本實用新型涉及太陽能電池片的制備，尤其涉及一種硅片鍍膜用石墨框。

背景技術：

常規的化石燃料日益消耗殆盡，在所有的可持續能源中，太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前，在所有的太陽電池中，晶體硅太陽電池是得到大范圍商業推廣的太陽能電池之一，這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量，同時晶體硅太陽電池相比其他類型的太陽能電池有著優異的電學性能和機械性能，因此，晶體硅太陽電池在光伏領域占據著重要的地位。

現有技術中，晶體硅太陽能電池的制備工藝主要包括：清洗、去損傷層、制絨、擴散制結、刻蝕、沉積減反射膜、印刷、燒結、電池片測試。其中，沉積減反射膜是晶體硅太陽能電池生產過程中的一個重要工序。目前，氮化硅薄膜作為晶體硅太陽能電池的光學減反射膜，同時也起到表面鈍化和體內鈍化的作用，以提高太陽能電池的轉換效率?，F有技術中，制備氮化硅薄膜一般采用的是等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）方法，如可以才用德國ROTH&RAU公司的PECVD設備。在采用PECVD設備制備氮化硅薄膜的過程中，需要使用一種承載硅片的石墨框。

現有的石墨框參見附圖1和附圖2所示，包括石墨框本體1，其呈網格狀結構，由復數個網格2組成，網格2的四邊上均勻分布有多個掛鉤3，用來承載硅片，以防止硅片掉落，硅片水平放置在石墨框本體1的網格2中，對硅片向下的面進行鍍膜。硅片表層的氮化硅薄膜在鈍化和減反射方面起到了非常重要的作用，但同時由于氮化硅薄膜的存在，增加了絲網主柵線與硅片的接觸電阻，導致效率的降低。

技術實現要素：

本實用新型的目的在于提供一種減少主柵線和硅片之間接觸電阻的硅片鍍膜用石墨框。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種硅片鍍膜用石墨框，所述石墨框包括一石墨框本體，石墨框本體內設有復數個網格，每個網格對應一硅片設置；

每個網格內對應于硅片上每條主柵線的位置均設置有石墨遮擋條。

上述方案中，所述石墨遮擋條的寬度比主柵線寬度小0.1~0.5毫米。

上述方案中，所述石墨遮擋條的厚度為0.3~1毫米。

上述方案中，所述網格的尺寸大于硅片尺寸。

上述方案中，所述石墨遮擋條與石墨框本體為一體結構。

上述方案中，在使用狀態下，所述石墨遮擋條承托硅片，石墨遮擋條與硅片接觸，以遮擋主柵線對應的位置。

由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點：

1．本實用新型在石墨框的網格內對應于主柵線的位置設置石墨遮擋條，鍍膜時，石墨遮擋條將主柵線的位置遮擋，被石墨遮擋條遮擋的位置不會沉積氮化硅，從而減少了主柵線和硅片之間的接觸電阻，提高了效率；

2. 本實用新型不易發生形變，無污染，耐酸洗；

3. 本實用新型結構簡單，適于推廣。

附圖說明

圖1為現有技術石墨框結構示意圖。

圖2為現有技術石墨框的單個網格結構示意圖。

圖3為本實用新型實施例一石墨框結構示意圖。

圖4為本實用新型實施例一石墨框的單個網格結構示意圖。

其中：1、石墨框本體；2、網格；3、掛鉤；4、石墨遮擋條。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述：

實施例一：

參見圖3~4所示，一種硅片鍍膜用石墨框，所述石墨框包括一石墨框本體1，石墨框本體1內設有二十五個網格2，每個網格2對應一硅片設置；

每個網格2內對應于硅片上每條主柵線的位置均設置有石墨遮擋條4。

每個石墨框本體1內網格2數量及石墨遮擋條4的數量根據實際情況確定。

所述石墨遮擋條4的寬度比主柵線寬度小0.3毫米。

所述石墨遮擋條4的厚度為0.6毫米。

所述網格2的尺寸大于硅片尺寸。

所述石墨遮擋條4與石墨框本體1為一體結構。

在使用狀態下，所述石墨遮擋條4承托硅片，石墨遮擋條4與硅片接觸，以遮擋主柵線對應的位置。