技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種非晶鈷基磁性薄膜的間歇式直流磁控濺射制備方法，包括以下步驟：1)采用鑄造Co67FexMo5.5?xSiyB27?y(2<x<5；10<y<17)晶態(tài)合金作為靶材，石英為基片，先在石英基片上濺射一層純金屬緩沖層，采用間歇式直流磁控濺射的方法，控制基片溫度50～70℃。磁控濺射工藝為：濺射功率為120～180W，氬氣流量為40～200ml/min，氬氣分壓為0.4～1.2Pa；2)濺射態(tài)薄膜的退火處理：將濺射態(tài)Co67FexMo5.5?xSiyB27?y薄膜置于真空退火爐中，采用梯度升溫的方式，在300～430℃的溫度下保溫1h，隨爐冷卻，制備的薄膜非晶程度高，飽和磁化強度達到了0.27T。本發(fā)明適合不同種類磁性薄膜的制備方法，操作簡便，生產(chǎn)周期短，對設(shè)備要求低，易于實現(xiàn)工業(yè)化。

技術(shù)研發(fā)人員：羅國強;鄢鳳麟;林耀軍;張建;張聯(lián)盟;沈強
受保護的技術(shù)使用者：武漢理工大學
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.21
技術(shù)公布日：2017.08.15