本發明屬于新材料領域，具體為一種引線框架、電焊電極、高溫模具等電子材料用的低應力銅鉻鈦硅合金帶材及其制備方法。
背景技術：
隨著電子信息產品向小型化、薄型化和智能化方向發展以及集成電路向大規模和超大規模方向發展，產品在沖壓或蝕刻后不能有形變，對產品的內應力有了更高要求。
技術實現要素：
本發明目的是要提供一種低應力、高導電、高導熱及耐熱性好的銅鉻鈦硅合金帶材，進而提供了一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材及其制備方法。
本發明采用的技術方案是：一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材，cr含量為0.15-0.4%，ti含量為0.01-0.4%，si含量為0.02-0.07%，其余部分為銅及雜質。
上述的一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材的制備方法，包括以下步驟：
（1）將合金成分混合均勻后進行鑄造，制備鑄錠；
（2）鑄錠經熱軋后冷卻淬火，熱軋開始溫度為910-1020℃，軋后溫度為700-800℃，軋后帶坯以10-100℃/s的冷卻速度進行淬火；
（3）銑面：去除表面氧化皮及表面缺陷；
（4）冷軋：將帶材軋制到符合要求的尺寸厚度；
（5）退火：進行時效退火，溫度350-600℃；保溫時間15s-100s；
（6）拉矯：矯正板型，消除殘余應力。
上述的一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材的制備方法，成品軋制過程中總加工率控制范圍10-50%；單道次加工率控制范圍10-20%；并且控制每道次軋制力波動范圍不超過15%。
本發明提供了一種低應力、高導電、高導熱及耐熱性好的銅鉻鈦硅合金帶材。
具體實施方式
實施例1：
一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材的制備方法，包括以下步驟：
將其他組分加入熔融的銅液，待混合均勻后，進行鑄錠。
鑄錠經950℃熱軋，700℃軋后帶坯（16mm）以25℃/s的冷卻速度進行淬火。
去除表面氧化皮及表面缺陷。
一次冷軋至1.5mm，進行退火（500℃，10h），二次冷軋至0.4mm，進行時效析出強化退火（500℃，6h），三次冷軋至0.15mm，冷軋道次0.4-0.3-0.23-0.18-0.15；
進行去應力退火（360℃，保溫時間60s）。
經過拉矯后得到帶材成品。
實施例2：
一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材的制備方法，包括以下步驟：
將其他組分加入熔融的銅液，待混合均勻后，進行鑄錠。
鑄錠經950℃熱軋，700℃軋后帶坯（16mm）以25℃/s的冷卻速度進行淬火。
去除表面氧化皮及表面缺陷。
一次冷軋至1.5mm，進行退火（500℃，10h），二次冷軋至0.3mm，進行時效析出強化退火（500℃，6h），三次冷軋至0.15mm，冷軋道次0.3-0.22-0.175-0.15。
進行去應力退火（400℃，保溫時間50s）。
經過拉矯后得到帶材成品。
實施例3：
一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材的制備方法，包括以下步驟：
將其他組分加入熔融的銅液，待混合均勻后，進行鑄錠。
鑄錠經950℃熱軋，700℃軋后帶坯（16mm）以25℃/s的冷卻速度進行淬火。
去除表面氧化皮及表面缺陷。
一次冷軋至2.0mm，進行退火（500℃，10h），二次冷軋至1.0mm，進行退火（450℃，10h），三次冷軋至0.3mm，進行時效析出強化退火（500℃，6h），四次冷軋至0.15mm，冷軋道次0.3-0.22-0.175-0.15；
進行去應力退火（400℃，保溫時間50s）。
經過拉矯后得到帶材成品。
實施例4：
一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材的制備方法，包括以下步驟：
將其他組分加入熔融的銅液，待混合均勻后，進行鑄錠。
鑄錠經910℃熱軋，800℃軋后帶坯（16mm）以10℃/s的冷卻速度進行淬火。
去除表面氧化皮及表面缺陷。
一次冷軋至2.0mm，進行退火（500℃，10h），二次冷軋至1.0mm，進行退火（450℃，10h），三次冷軋至0.3mm，進行時效析出強化退火（500℃，6h），最后冷軋至0.15mm，冷軋道次0.3-0.22-0.175-0.15。
進行去應力退火（350℃，保溫時間15s）。
經過拉矯后得到帶材成品。
實施例5：
一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材的制備方法，包括以下步驟：
將其他組分加入熔融的銅液，待混合均勻后，進行鑄錠。
鑄錠經1020℃熱軋，750℃軋后帶坯（16mm）以100℃/s的冷卻速度進行淬火。
去除表面氧化皮及表面缺陷。
一次冷軋至2.0mm，進行退火（500℃，10h），二次冷軋至1.0mm，進行退火（450℃，10h），三次冷軋至0.3mm，進行時效析出強化退火（500℃，6h），最后冷軋至0.15mm，冷軋道次0.3-0.22-0.175-0.15。
進行去應力退火（600℃，保溫時間100s）。
經過拉矯后得到帶材成品。
實施例6：
一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材的制備方法，包括以下步驟：
將其他組分加入熔融的銅液，待混合均勻后，進行鑄錠。
鑄錠經980℃熱軋，770℃軋后帶坯（16mm）以75℃/s的冷卻速度進行淬火。
去除表面氧化皮及表面缺陷。
一次冷軋至2.0mm，進行退火（500℃，10h），二次冷軋至1.0mm，進行退火（450℃，10h），三次冷軋至0.3mm，進行時效析出強化退火（500℃，6h），最后冷軋至0.15mm，冷軋道次0.3-0.22-0.175-0.15。
進行去應力退火（500℃，保溫時間30s）。
經過拉矯后得到帶材成品。
實施例7：
一種低應力銅鉻鈦硅合金帶材的制備方法，包括以下步驟：
將其他組分加入熔融的銅液，待混合均勻后，進行鑄錠。
鑄錠經1000℃熱軋，720℃軋后帶坯（16mm）以50℃/s的冷卻速度進行淬火。
去除表面氧化皮及表面缺陷。
一次冷軋至2.0mm，進行退火（500℃，10h），二次冷軋至1.0mm，進行退火（450℃，10h），三次冷軋至0.3mm，進行時效析出強化退火（500℃，6h），最后冷軋至0.15mm，冷軋道次0.3-0.22-0.175-0.15。
進行去應力退火（550℃，保溫時間80s）。
經過拉矯后得到帶材成品。
成品軋制過程：總加工率控制范圍10-50%；單道次加工率控制范圍10-20%；并且控制每道次軋制力波動范圍不超過15%。