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一種采用SS?PREPTi6Al4V球形粉末的激光鋪粉增材制造方法與流程

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一種采用SS?PREP Ti6Al4V球形粉末的激光鋪粉增材制造方法與流程

本發(fā)明屬于金屬增材制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種采用ss-prepti6al4v球形粉末的激光增材制造方法。



背景技術(shù):

金屬3d打印技術(shù)源于上世紀(jì)九十年代的快速成形工藝(rapidprototyping,rp),以“離散+堆積”的增材制造理念作為基礎(chǔ),應(yīng)用高能粒子束熔化金屬粉末,結(jié)合三維實(shí)體數(shù)字模型逐層制備高性能近全致密金屬零件[1]。粉末金屬3d打印技術(shù)主要由激光送粉成形技術(shù)(ded)、激光鋪粉成形技術(shù)(slm)、電子束選區(qū)鋪粉成形技術(shù)(sebm)三種技術(shù)組成。相比于精密鑄造、軋制鍛造等傳統(tǒng)工藝,3d打印技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于:①高能粒子束瞬時(shí)溫度可達(dá)數(shù)十萬(wàn)攝氏度,適于制備鈦合金等難熔金屬零件。②屬于近凈成形技術(shù),節(jié)省機(jī)械加工時(shí)間和減少金屬?gòu)U料,適于制備難加工、難變形鈦合金零件。③增材制造技術(shù)理念,無(wú)需造型模具即可制備幾何形狀復(fù)雜的鈦合金零件,不僅能夠大幅縮短零件從設(shè)計(jì)到投產(chǎn)的生產(chǎn)周期,并且能夠避免陶瓷夾雜污染。④真空或惰性氣體氣氛的制備環(huán)境,最大程度地避免氮、氧等雜質(zhì)氣體對(duì)合金性能的影響;⑤精確控制合金成分分布,適于制備雙合金盤(pán)等功能梯度材料。

ti6al4v鈦合金最早由美國(guó)研制并投入使用,目前ti6al4v在世界鈦合金產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用領(lǐng)域占據(jù)一半以上的市場(chǎng)份額,利用激光鋪粉成形技術(shù)(slm)制備ti6al4v鈦合金成形件,具有設(shè)計(jì)柔性大、材料利用率高等顯著優(yōu)點(diǎn)。但是,氣霧化球形粉末作為目前主流的slm粉體原材料,其具有的空心粉、15微米以下超細(xì)顆粒等固有特性會(huì)對(duì)slm成形件造成不可逆的力學(xué)性能損害,包括降低成形件致密度、影響鋪粉均勻性、堵塞設(shè)備氣體循環(huán)裝置等。眾所周知,等離子旋轉(zhuǎn)電極(prep)粉末具有最優(yōu)異的流動(dòng)性和球形度、完全無(wú)空心顆粒,但是長(zhǎng)久以來(lái)prep技術(shù)未能解決ti6al4v粉末粒徑粗大的問(wèn)題,因而不能滿足slm技術(shù)要求。近年來(lái),隨著超高轉(zhuǎn)速等離子旋轉(zhuǎn)電極技術(shù)(ss-prep)的突破性應(yīng)用,ti6al4v粉末粒徑能夠低于45微米,滿足的應(yīng)用要求,但是并未有實(shí)際的工藝參數(shù)試驗(yàn)和性能測(cè)試。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的是提供一種采用ss-prepti6al4v球形粉末的激光增材制造方法,解決了上述ss-prepti6al4v在激光鋪粉成形設(shè)備上應(yīng)用的技術(shù)難點(diǎn),可制備出滿足航空航天、生物醫(yī)療應(yīng)用的ti6al4v成形件,經(jīng)過(guò)單次真空退火處理后,抗拉強(qiáng)度不低于1050mpa,屈服強(qiáng)度不低于980mpa,斷后伸長(zhǎng)率不低于15%,斷面收縮率不低于45%。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種采用ss-prepti6al4v球形粉末的激光鋪粉增材制造方法,其特征在于,包括以下步驟:

1)利用超高轉(zhuǎn)速等離子旋轉(zhuǎn)電極制備45μm以下的ti6al4v球形粉末,其中d50低于35μm,d90低于53μm;

2)利用激光鋪粉增材制造方法制備ti6al4v成形件,技術(shù)參數(shù)包括激光功率100-240w,掃描速率10-300mm/s,掃描間距50-100μm,光斑直徑50-120μm,鋪粉層厚20-60μm;

3)將成形件進(jìn)行真空去應(yīng)力熱處理,隨爐升溫至800-850℃,保溫1-2小時(shí),真空爐冷至200℃,出爐空冷至室溫。

本發(fā)明的有益效果在于:

1)本發(fā)明將ss-prepti6al4v球形粉末應(yīng)用于激光鋪粉增材制造技術(shù)(slm),突破氣霧化球形粉末的限制,擴(kuò)展了激光鋪粉增材制造的原材料供應(yīng)范圍;

2)采用ss-prepti6al4v球形粉末制備slm成形件,xy平面、z軸、45°體對(duì)角線的抗拉強(qiáng)度均不低于1050mpa,屈服強(qiáng)度均不低于980mpa,斷后伸長(zhǎng)率均不低于14%,斷面收縮率均不低于44%,具有優(yōu)異的綜合力學(xué)性能,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于航空航天及生物醫(yī)療的應(yīng)用要求。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明等離子旋轉(zhuǎn)電極霧化法制粉的設(shè)備示意圖。

圖2是本發(fā)明所用的激光鋪粉增材制造設(shè)備。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明,而非限定其范圍。

實(shí)施例1:

一種采用ss-prepti6al4v球形粉末的激光鋪粉增材制造方法,包括以下步驟:

利用超高轉(zhuǎn)速等離子旋轉(zhuǎn)電極制備15μm的ti6al4v球形粉末,其中d50=26μm,d90=46μm;采用激光鋪粉增材制造方法制備ti6al4v成形件,技術(shù)參數(shù)為激光功率120w,掃描速率15mm/s,掃描間距30μm,光斑直徑50μm,鋪粉層厚30μm;真空去應(yīng)力熱處理,隨爐升溫至800℃,保溫2小時(shí),真空爐冷至200℃,出爐空冷至室溫。

經(jīng)測(cè)試分析可知,ti6al4v激光鋪粉成形件xy平面的抗拉強(qiáng)度、屈服強(qiáng)度、斷后伸長(zhǎng)率、斷面收縮率分別為1061mpa、982mpa、14%、46%,z軸的抗拉強(qiáng)度、屈服強(qiáng)度、斷后伸長(zhǎng)率、斷面收縮率分別為1082mpa、998mpa、16%、44%,45°體對(duì)角線的抗拉強(qiáng)度、屈服強(qiáng)度、斷后伸長(zhǎng)率、斷面收縮率分別為1083mpa、1007mpa、15%、49%,成形件具備優(yōu)異的強(qiáng)韌綜合力學(xué)性能。

實(shí)施例2:

一種采用ss-prepti6al4v球形粉末的激光鋪粉增材制造方法,包括以下步驟:

利用超高轉(zhuǎn)速等離子旋轉(zhuǎn)電極制備35μm的ti6al4v球形粉末,其中d50=30μm,d90=49μm;采用激光鋪粉增材制造方法制備ti6al4v成形件,技術(shù)參數(shù)為激光功率180w,掃描速率200mm/s,掃描間距60μm,光斑直徑100μm,鋪粉層厚40μm;真空去應(yīng)力熱處理,隨爐升溫至850℃,保溫1小時(shí),真空爐冷至200℃,出爐空冷至室溫。

經(jīng)測(cè)試分析可知,ti6al4v激光鋪粉成形件xy平面的抗拉強(qiáng)度、屈服強(qiáng)度、斷后伸長(zhǎng)率、斷面收縮率分別為1063mpa、986mpa、16%、48%,z軸的抗拉強(qiáng)度、屈服強(qiáng)度、斷后伸長(zhǎng)率、斷面收縮率分別為1084mpa、1008mpa、16.5%、47%,45°體對(duì)角線的抗拉強(qiáng)度、屈服強(qiáng)度、斷后伸長(zhǎng)率、斷面收縮率分別為1087mpa、1010mpa、17%、52%,成形件具備優(yōu)異的強(qiáng)韌綜合力學(xué)性能。

實(shí)施例3:

一種采用ss-prepti6al4v球形粉末的激光鋪粉增材制造方法,包括以下步驟:

利用超高轉(zhuǎn)速等離子旋轉(zhuǎn)電極制備40μm的ti6al4v球形粉末,其中d50=30μm,d90=50μm;采用激光鋪粉增材制造方法制備ti6al4v成形件,技術(shù)參數(shù)為激光功率230w,掃描速率300mm/s,掃描間距100μm,光斑直徑120μm,鋪粉層厚60μm;真空去應(yīng)力熱處理,隨爐升溫至830℃,保溫1.5小時(shí),真空爐冷至200℃,出爐空冷至室溫。

實(shí)施例4:

一種采用ss-prepti6al4v球形粉末的激光鋪粉增材制造方法,包括以下步驟:

利用超高轉(zhuǎn)速等離子旋轉(zhuǎn)電極制備43μm的ti6al4v球形粉末,其中d50=33μm,d90=52μm;采用激光鋪粉增材制造方法制備ti6al4v成形件,技術(shù)參數(shù)為激光功率170w,掃描速率160mm/s,掃描間距75μm,光斑直徑85μm,鋪粉層厚25μm;真空去應(yīng)力熱處理,隨爐升溫至850℃,保溫1小時(shí),真空爐冷至200℃,出爐空冷至室溫。

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