技術特征：

技術總結
本發明公開一種基于PECVD的增強型石墨烯薄膜鍍膜設備及方法，該設備的多個真空室包括依次連接的放卷室、多個鍍膜室和收卷室；每個鍍膜室中，泡沫鎳基材的上下兩側分別設有射頻放電板和等離子體磁控增強裝置；其方法是在各鍍膜室中，開啟射頻放電板進行放電，產生等離子體，等離子體磁控增強裝置在射頻放電板下方形成一個閉環回路磁場，等離子體在磁場作用下進行螺旋旋轉運動，從而增大等離子體密度，在泡沫鎳基材表面沉積膜層。本發明實現等離子氣體的化學反應速度增大，沉積的膜層厚度也大大增加，可達到傳統鍍膜設備所制得膜厚的4～8倍。同時，泡沫鎳基材表面溫度可上升至600℃以上，增強了石墨烯成膜條件，提高了石墨烯成膜的速度。

技術研發人員：朱建明
受保護的技術使用者：肇慶市科潤真空設備有限公司
技術研發日：2017.08.03
技術公布日：2017.09.29