技術總結
本實用新型公開了一種動態(tài)電弧生長儀，包括高壓正極、高壓負極、控制處理器、第一IGBT、第二IGBT、限流電阻、正鎢電極桿組和負鎢電極桿組，正鎢電極桿組和負鎢電極桿組呈上下排列，正鎢電極桿組依次通過限流電阻、第一IGBT和高壓正極相連，負鎢電極桿組為橫向排列，負鎢電極桿組通過第二IGBT與高壓負極相連，所述控制處理器分別與第一IGBT和第二IGBT相連。本實用新型避免直流電弧生長法襯底溫度波動大，避免溫度中心到邊緣的溫度梯度不足的問題，該動態(tài)電弧生長儀具有高電弧溫度，穩(wěn)定溫度場和可調節(jié)的溫度梯度，便于制備大面積均勻金剛石膜。

技術研發(fā)人員：陳海勇;陳熙野;姜志剛
受保護的技術使用者：吉林大學
文檔號碼：201720021514
技術研發(fā)日：2017.01.09
技術公布日：2017.08.11