本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備化學(xué)機(jī)械拋光領(lǐng)域,尤其是一種CMP設(shè)備內(nèi)的噴灑系統(tǒng)。
背景技術(shù):
化學(xué)機(jī)械拋光(簡(jiǎn)稱CMP)設(shè)備是半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)的重要設(shè)備,現(xiàn)有的CMP設(shè)備內(nèi)部噴灑系統(tǒng)只能用于清洗研磨頭,不能清潔機(jī)器內(nèi)部其他部位,以致于研磨液揮發(fā)物會(huì)沉積污染機(jī)器內(nèi)部,日積月累,大的揮發(fā)物顆粒會(huì)掉落在研磨墊上導(dǎo)致晶圓劃傷,嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致晶圓報(bào)廢。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,本實(shí)用新型提供一種CMP設(shè)備內(nèi)部噴灑系統(tǒng),相較于現(xiàn)有技術(shù)能夠發(fā)揮更好的清洗作用,實(shí)現(xiàn)CMP設(shè)備內(nèi)部環(huán)境的清潔,降低CMP工藝時(shí)顆粒密度,提高晶圓良率。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
一種CMP設(shè)備內(nèi)部噴灑系統(tǒng),包括至少一根支撐桿,所述支撐桿連接在支撐裝置上,支撐桿位于相鄰兩個(gè)研磨頭之間;支撐桿的安裝高度高于研磨頭;
在支撐桿上固定有噴灑器;所述噴灑器包括底座、底座內(nèi)部的通道、轉(zhuǎn)接頭和噴嘴;兩個(gè)轉(zhuǎn)接頭分別設(shè)在底座的兩端,與通道連通,且所述轉(zhuǎn)接頭為傾斜角度轉(zhuǎn)接頭;噴嘴設(shè)在轉(zhuǎn)接頭上;
底座固定在支撐桿上,底座上的兩個(gè)噴嘴分別位于所在支撐桿的兩側(cè),并朝向外側(cè)下方。
更優(yōu)地,支撐桿設(shè)有數(shù)根,連接在CMP設(shè)備大盤中央上方的支撐裝置上,并呈放射狀向大盤外側(cè)邊緣延伸。
進(jìn)一步地,轉(zhuǎn)接頭采用45度轉(zhuǎn)接頭。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:
1)能夠清潔CMP設(shè)備內(nèi)多處位置,清潔效果更好。
2)減少CMP設(shè)備內(nèi)部顆粒殘留,提高晶圓的良率。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型的CMP設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的俯視角度示意圖。
圖3為本實(shí)用新型的噴灑器結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
圖1所示為CMP設(shè)備之重要部分,包括大盤1、拋光墊2、研磨頭3、支撐裝置4;拋光墊2設(shè)置在大盤1的一個(gè)表面;研磨頭3設(shè)置在拋光墊2上方,其一種較優(yōu)的排布方式是,如圖2所示,圍繞拋光墊2中心沿周向均布數(shù)個(gè);研磨頭3下端通過吸附或粘附方式固定住晶圓(圖1、圖2中未畫出晶圓,實(shí)際位于研磨頭3與拋光墊2之間,吸附或粘附在研磨頭3下端);研磨頭3將晶圓壓在拋光墊2上,晶圓的一個(gè)待拋光面與拋光墊2接觸;大盤1在其驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)下轉(zhuǎn)動(dòng),大盤1的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)可安裝在大盤1下方;同時(shí)研磨頭3在其驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)作用下帶動(dòng)晶圓轉(zhuǎn)動(dòng);此時(shí)晶圓相對(duì)拋光墊2就會(huì)形成圍繞晶圓中心自轉(zhuǎn)和圍繞拋光墊2中心公轉(zhuǎn)的狀態(tài),同時(shí)在拋光墊2上噴淋拋光液,晶圓表面就會(huì)被拋光;
CMP設(shè)備內(nèi)部噴灑系統(tǒng),包括至少一根支撐桿5,所述支撐桿5連接在支撐裝置4上,支撐桿5位于相鄰兩個(gè)研磨頭3之間;支撐桿5的安裝高度高于研磨頭3;
優(yōu)選地,支撐桿5設(shè)有數(shù)根,連接在大盤1中央上方的支撐裝置4上,并呈放射狀向大盤1外側(cè)邊緣延伸;
在支撐桿5上安裝如圖3所示的噴灑器6;所述噴灑器6包括底座601、底座601內(nèi)部的通道602、轉(zhuǎn)接頭603和噴嘴604;
通道602是去離子水的通路,兩個(gè)轉(zhuǎn)接頭603分別設(shè)在底座601的兩端,與通道602連通,且所述轉(zhuǎn)接頭603為傾斜角度轉(zhuǎn)接頭,方便噴嘴604向兩側(cè)的側(cè)下方噴射去離子水;噴嘴604設(shè)在轉(zhuǎn)接頭603上;
底座601固定在支撐桿5上,底座601上的兩個(gè)噴嘴604分別位于所在支撐桿5的兩側(cè),并朝向外側(cè)下方;
轉(zhuǎn)接頭603具體可采用45度轉(zhuǎn)接頭;
工作時(shí),去離子水通過底座601,再經(jīng)過轉(zhuǎn)接頭603,從噴嘴604上向支撐桿5兩側(cè)側(cè)下方的研磨頭3噴灑去離子水,由于大盤1帶動(dòng)拋光墊2在轉(zhuǎn)動(dòng),同時(shí)也可以對(duì)拋光墊2起到不間斷的清潔作用。