本發明涉及掩模金屬膜及其制造方法。更具體地，涉及一種通過形成精細的掩模圖案能夠實現高分辨率的oled像素的掩模金屬膜及其制造方法。

背景技術：

1、作為oled(有機發光二極管)制造工藝中形成像素的技術，主要使用精細金屬掩模(fine?metal?mask，fmm)方法，該方法將薄膜形式的金屬掩模(shadow?mask，陰影掩模)緊貼于基板并且在所需位置上沉積有機物。

2、在現有的oled制造工藝中，將掩模制造成條狀、板狀等后，將掩模焊接固定到oled像素沉積框架并使用。一個掩模上可以具備與一個顯示器對應的多個單元。另外，為了制造大面積oled，可將多個掩模固定于oled像素沉積框架，在固定于框架的過程中，拉伸各個掩模，以使其變得平坦。調節拉伸力以使掩模的整體部分變得平坦是非常困難的作業。特別是，為了使各個單元全部變得平坦，同時對準尺寸僅為數μm至數十μm的掩模圖案，需要微調施加到掩模各側的拉伸力并且實時確認對準狀態的高難度作業要求。

3、盡管如此，在將多個掩模固定于一個框架過程中，仍然存在掩模之間以及掩模單元之間對準不好的問題。另外，在將掩模焊接固定于框架的過程中，掩模膜的厚度過薄且面積大，因此存在掩模因荷重而下垂或者扭曲的問題；由于焊接過程中在焊接部分產生的皺紋、毛邊burr等，導致掩模單元的對準不準的問題等。

4、在超高畫質的oled中，現有的qhd畫質為500至600ppi(pixel?per?inch，每英寸像素)，像素的尺寸達到約30至50μm，而4kuhd、8kuhd高畫質具有比之更高的-860ppi，-1600ppi等的分辨率。如此，考慮到超高畫質的oled的像素尺寸，需要將各單元之間的對準誤差縮減為數μm左右，超出這一誤差將導致產品的不良，所以收率可能極低。因此，需要開發能夠防止掩模的下垂或者扭曲等變形并且使對準精確的技術，以及將掩模固定于框架的技術等。

5、另外，除了防止掩模變形和準確對準之外，還需要一種能夠在掩模金屬膜上清晰形成掩模圖案的技術。掩模金屬膜表面或內部的缺陷可能會對掩模圖案的形成工藝產生不良影響。因此，除了精細地形成掩模圖案的工藝之外，使用沒有雜質和夾雜物等缺陷的掩模金屬膜顯得尤為重要。

技術實現思路

1、技術問題

2、因此，本發明是為了解決現有技術的上述問題而提出的，目的在于提供一種能夠在掩模上形成精細掩模圖案的掩模金屬膜及其制造方法。

3、此外，本發明的目的在于，提供一種掩模金屬膜及其制造方法，該掩模金屬膜的表面和內部質量特性不會對掩模圖案的形成產生不良影響。

4、此外，本發明的目的在于提供一種能夠無變形且穩定地支撐并移動掩模、能夠防止掩模下垂或者扭曲等變形且準確地進行對準的掩模和框架的連接體及其制造方法。

5、此外，本發明的目的在于提供一種能夠顯著減少制造費用和制造時間并顯著地提高產率的掩模和框架的連接體及其制造方法。

6、但是，上述技術問題用于示例性的，本發明的范圍不受限于此。

7、技術方案

8、本發明的上述目的通過掩模金屬膜的制造方法得以實現，該掩模金屬膜用于制造oled像素形成用掩模，該方法包括以下步驟：(a)準備基于軋制工藝制成的掩模金屬膜；(b)在所述掩模金屬膜的第一面上進行表面缺陷去除及厚度減薄；在所述掩模金屬膜的所述第一面上沿著至少一方向長度為1μm至100μm且深度小于5μm的(超過0)缺陷定義為表面缺陷，在所述(b)步驟中，通過將所述掩模金屬膜的厚度減薄3μm至13μm，以去除所述表面缺陷。

9、進一步包括以下步驟：(c)在所述掩模金屬膜的所述第一面的相反面即第二面上進行表面缺陷去除及厚度減薄；在所述掩模金屬膜的所述第二面上沿著至少一方向長度為1μm至100μm且深度小于5μm(超過0)的缺陷定義為表面缺陷，在所述(c)步驟中，通過將所述掩模金屬膜的厚度減薄3μm至13μm，以去除所述表面缺陷。

10、在所述(b)步驟之后，所述第一面上的所述表面缺陷被全部去除或者殘留有沿著至少一方向長度小于1μm且深度小于1μm形態的所述表面缺陷。

11、所述(b)步驟利用濕式蝕刻執行。

12、所述(b)步驟在蝕刻方法的基礎上進一步利用研磨(lapping)、拋光(polishing)、擦光(buffing)中的至少一個方法執行。

13、所述(a)步驟中的掩模金屬膜的厚度為35μm至45μm。

14、所述(a)步驟中的掩模金屬膜的厚度為35μm至45μm，在所述(c)步驟之后，掩模金屬膜的厚度為15μm至30μm。

15、在所述(b)步驟之前，所述掩模金屬膜的所述第一面上的任意1cm2區域內存在的所述表面缺陷的數量大于0且小于50個。

16、所述表面缺陷包括凹痕類型(dent?type)、線類型(line?type)、劃痕類型(scratch?type)，在所述(b)步驟中，如果將所述掩模金屬膜的厚度減薄3μm則所述凹痕類型、所述線類型和所述劃痕類型的所述表面缺陷將被去除。

17、所述掩模金屬膜為因瓦合金(invar)、超因瓦合金(super?invar)、鎳(ni)、鎳-鈷(ni-co)、鈷(co)、鈦(ti)、鉻(cr)，鎢(w)，鉬(mo)中的至少任意一種材料，所述表面缺陷包含夾雜物，所述夾雜物含有碳、氧化鋁、硫化錳中的至少任意一種成份。

18、以所述掩模金屬膜的厚度方向為基準，相較于所述(b)步驟中執行的厚度減薄的部分，在更深的區域沿著至少一方向長度為1μm至5μm且深度小于2μm(超過0)的缺陷定義為內部缺陷，在所述(b)步驟之后，所述掩模金屬膜的所述第一面上的任意1cm2區域內存在的所述內部缺陷的數量小于15個。

19、所述掩模金屬膜為因瓦合金(invar)、超因瓦合金(super?invar)、鎳(ni)、鎳-鈷(ni-co)、鈷(co)、鈦(ti)、鉻(cr)、鎢(w)、鉬(mo)中的至少一個材料，所述內部缺陷含有所述掩模金屬膜的材料的氧化物、硫化錳中的至少一個成份。

20、此外，本發明的上述目的通過掩模金屬膜得以實現，該掩模金屬膜用于制造oled像素形成用掩模，所述掩模金屬膜基于軋制工藝制成，在所述掩模金屬膜的第一面上進行用于去除表面缺陷的3μm至13μm的厚度減薄，所述表面缺陷的定義為在所述掩模金屬膜的所述第一面上沿著至少一方向長度為1μm至100μm且深度小于5μm(超過0)的缺陷，從而所述第一面上的所述表面缺陷被全部去除或者殘留有沿著至少一方向長度小于1μm且深度小于1μm的所述表面缺陷。

21、所述掩模金屬膜的厚度為15μm至30μm，以所述掩模金屬膜的厚度方向為基準，相較于所述厚度減薄的部分，在更深的區域中至少一方向上的長度為1μm至5μm且深度小于2μm(超過0)的缺陷定義為內部缺陷時，所述掩模金屬膜的所述第一面上的任意1cm2區域內存在的所述內部缺陷的數量小于15。

22、此外，本發明的上述目的通過掩模金屬膜得以實現，該掩模金屬膜用于制造oled像素形成用掩模，所述掩模金屬膜基于壓延工藝制成，所述掩模金屬膜的厚度為15μm至30μm，以所述掩模金屬膜的厚度方向為基準，沿著至少一方向長度為1μm至5μm且深度小于2μm(超過0)的缺陷定義為內部缺陷時，所述掩模金屬膜的至少一面上的任意1cm2區域內存在的所述內部缺陷的數量小于15個。

23、有益效果

24、根據上述構成的本發明，具有能夠在掩模上形成精細的掩模圖案的效果。

25、此外，根據本發明，提供具有能夠提供具有不會對掩模圖案的形成產生不利影響的表面和內部質量特性的掩模金屬膜。

26、此外，根據本發明，具有能夠無變形且穩定地支撐并移動掩模、能夠防止掩模下垂或者扭曲等變形且準確地進行對準的效果。

27、此外，根據本發明，具有能夠顯著減少制造費用和制造時間并顯著地提高產率的效果。

28、當然，本發明的范圍不受上述效果的限制。