熔射設備的制造方法
【專利說明】
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種熔射設備，特別是涉及一種涉及可用于熔射處理的熔射設備。
【【背景技術】】
[0002]在半導體制程中，必須定期或不定期地對半導體制程設備的零件進行清洗及再生，以維持半導體制程設備的效能，并可延長設備的使用壽命。
[0003]以物理氣相沉積制程為例，物理氣相沉積制程主要是在一基板上沉積一薄膜。首先利用一直流電源分別電性耦接至一背板及一遮覆板，通過該背板及該遮覆板于該反應室腔體內形成電場將離子槍束擊向金屬靶材。在離子槍束撞擊靶材后，會將該靶材上的金屬濺射在該基板上而形成該薄膜。
[0004]通常，物理氣相沉積之反應室腔體在使用一段時間后，會在反應室腔體中該遮覆板及母材的表面形成金屬鍍膜，因此必須對反應室腔體進行洗凈與再生，防止金屬鍍膜破裂或剝落所產生之微塵粒子散布至該基板而影響良率。所謂洗凈系指針對反應室腔體中該遮覆板及該母材之金屬鍍膜的材質選用適當之方法與材料予以去除，例如以酸性或堿性之化學溶液浸泡反應室腔體，將形成于遮覆板及母材表面之金屬鍍膜溶解分離。所謂再生是指洗凈后再以噴砂及整形等方式恢復該遮覆板及母材原有外形與表面特性。然而上述洗凈及再生皆會侵蝕與損耗反應室腔體中遮覆板及母材的本體厚度，造成使用壽命減短。
[0005]此外，對于反應室腔中的螺絲孔，例如鎖固于該母材之間之螺絲孔，上述以化學溶液浸泡反應室腔體、對該遮覆板及該母材噴砂及整形等步驟會使螺絲孔產生擴孔現象，因此在多次進行洗凈及再生后，會造成螺絲孔尺寸與原先尺寸有所差異，導致螺絲孔與螺絲在組合時誤差過大而使得鎖固功能不佳甚至無法繼續使用。
[0006]并且，由于在前述洗凈等過程中，必須使用大量的酸性或堿性之化學溶液，浸泡遮覆板及母材，以溶解金屬鍍膜，使其與遮覆板及母材分離。由于不可避免地必須使用大量的酸性或堿性之化學溶液，因而在洗凈的過程中，必須使用大量的清水來沖洗半導體制程的零件。
【【實用新型內容】】
[0007]本實用新型的主要目的在于提供一種熔射設備，所述熔射設備包括:
[0008]密閉隔間；
[0009]機械手臂，設置于所述密閉隔間內；以及
[0010]熔射裝置，設置于所述機械手臂上。
[0011]在一實施例中，在進行所述熔射設備的操作時，操作人員是通過所述密閉隔間的透明窗來得知熔射處理的情形。
[0012]相較于現有的熔射設備的問題，在進行熔射處理時，可利用本實施例的熔射設備來進行熔射處理，由于操作人員可位于密閉隔間的外面來進行操作，因而可避免操作人員受到熔射處理的傷害。
[0013]為讓本實用新型的上述內容能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下:
【【附圖說明】】
[0014]圖1是使用本實用新型的熔射設備的一實施例的示意圖。
【【具體實施方式】】
[0015]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本實用新型可用以實施的特定實施例。本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。
[0016]附圖和說明被認為在本質上是示出性的，而不是限制性的。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。另外，為了理解和便于描述，附圖中示出的每個組件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本實用新型不限于此。
[0017]在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜、面板、區域等的厚度。在附圖中，為了理解和便于描述，夸大了一些層和區域的厚度。將理解的是，當例如層、膜、區域或基底的組件被稱作“在”另一組件“上”時，所述組件可以直接在所述另一組件上，或者也可以存在中間組件。
[0018]另外，在說明書中，除非明確地描述為相反的，否則詞語“包括”將被理解為意指包括所述組件，但是不排除任何其它組件。此外，在說明書中，“在......上”意指位于目標組件上方或者下方，而不意指必須位于基于重力方向的頂部上。
[0019]請參照圖1，圖1是熔射設備的示意圖。本實施例的熔射設備可用于對半導體設備的零件的至少部分表面進行熔射處理。熔射設備包括密閉隔間118、機械手臂119及熔射裝置120。機械手臂119是設置于密閉隔間118內，熔射裝置120是設置于機械手臂119上，用于對半導體設備零組件的表面熔射處理。當進行熔射處理時，操作人員可位于密閉隔間118的外面通過控制裝置來控制機械手臂119移動熔射裝置120，同時啟動熔射裝置120，以便利用熔射裝置120來對半導體設備零組件的表面熔射處理。在進行操作時，操作人員可通過密閉隔間118的透明窗118a來得知熔射處理的情形。
[0020]接著，以半導體設備的反應腔體內的零組件清洗過程為例來進行說明，主要于鋁合金零組件機械加工完成并施作相關的表面處理(如陽極處理、熔射處理、噴砂處理等)后，或經半導體干蝕刻機使用后下機，后續皆可使用該清洗方式進行超潔凈清洗，以符合嚴苛的半導體蝕刻機室內的超高潔凈要求，提升生產效率及產品良率的功效為目的。
[0021]在進行熔射處理時，可利用本實施例的熔射設備來進行熔射處理，由于操作人員可位于密閉隔間118的外面來進行操作，因而可避免操作人員受到熔射處理的傷害。
[0022]例如適用于鋁底材施作陽極處理的零組件，在清洗前必須根據零組件之狀態，而作不同事前準備。當零組件為新品件時，先使用皂洗液進行脫脂制程，之后再進行新陽極膜處理，完成后進入清洗流程。當零組件為陽極再生件，需將舊陽極膜進行退鍍及新陽極膜再生制程與新熔射膜再生制程，完成后進入清洗流程。當零組件為上機清洗件，依據不同反應腔體制程取相對應的藥液進行除膜制程，完成進入清洗流程。
[0023]在清洗前準備完成后，即可進行清洗流程，其步驟例如依序如下:一次IPA擦拭，使用無塵布沾取IPA(異丙醇)均勻擦拭零組件表面；純水沖洗，接續使用純水完全噴洗零組件表面；脫脂，再將零組件浸泡于配置溫度40?50°C、清潔劑(ALC0N0X Luminox)藥液中，以清除零組件表面油脂；二次純水沖洗，再使用純水完全噴洗零組件表面；二次IPA擦拭，將零組件轉置進入無塵室，將零組件置放于平臺，使用無塵布沾少許IPA(異丙醇)均勻擦拭零組件表面；超純水沖洗:在無塵室完全噴洗零組件表面，時間2?5分鐘；熱超純水浸泡，在無塵室，將零組件浸泡于溢流的超純水溫度40?50°C中，浸泡時間5?15分鐘；二次超純水沖洗，在無塵室內使用超純水完全噴洗零組件表面；超音波清洗，在無塵室內將零組件浸泡于溢流的超純水室溫中，搭配超音波頻率40kHz，進行超音波清洗；再次超純水沖洗:在無塵室，使用超純水完全噴洗零組件表面；吹干，在無塵室，使用潔凈空氣或氮氣吹干零組件表面；烘干:進入無塵室內，將零組件置放于90?120°C的無塵爐中，烘烤時間大于60分鐘，烘烤后待零組件表面的溫度低于50°C ;吹氮氣，在無塵室，取出烘干后的零組件，使用氮氣吹零組件表面；一次包裝，在無塵室，將零組件置放于充滿氮氣的尼龍(Nylon)袋，利用封口機與抽氣設備進行真空包裝；再次包裝，在無塵室，將尼龍(Nylon)袋包裝好的零組件置放于PE袋，利用封口機與抽氣設備進行真空包裝；裝箱運送，零組件取出無塵室，置放于專用通箱內，完成清洗流程，即可出貨至客戶端使用。
[0024]因此，在進行熔射處理時，可利用本實施例的熔射設備來進行熔射處理，由于操作人員可位于密閉隔間的外面來進行操作，因而可避免操作人員受到熔射處理的傷害。
[0025]“在一些實施例中”及“在各種實施例中”等用語被重復地使用。該用語通常不是指相同的實施例；但它亦可以是指相同的實施例。“包含”、“具有”及“包括”等用詞是同義詞，除非其前后文意顯示出其它意思。
[0026]雖然各種方法、設備、及系統的例子已被描述于本文中，但本揭示內容涵蓋的范圍并不局限于此。相反地，本揭示內容涵蓋所有合理地落在權利要求界定的范圍內的方法、設備、系統及制造之物，權利要求的范圍應依據已被建立的申請專利范圍解釋原理來加以解讀。例如，雖然上面揭示的系統的例子在其它構件之外還包括可自硬件上執行的軟件或或韌體，但應被理解的是，該等系統只是示范性的例子，并應被解讀為是限制性的例子。詳言之，任何或所有被揭示的硬件、軟件、及/或韌體構件可被專門地被體現為硬件、專門地被體現為軟件、專門地被體現為韌體、或硬件、軟件及/或韌體的一些組合。
[0027]綜上所述，雖然本實用新型已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例并非用以限制本實用新型，本領域的普通技術人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本實用新型的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。
【主權項】
1.一種熔射設備，其特征在于:所述熔射設備包括: 密閉隔間； 機械手臂，設置于所述密閉隔間內；以及 熔射裝置，設置于所述機械手臂上。2.根據權利要求1所述的熔射設備，其特征在于:在進行所述熔射設備的操作時，操作人員是通過所述密閉隔間的透明窗來得知熔射處理的情形。
【專利摘要】本實用新型提供一種熔射設備。熔射設備包括密閉隔間、機械手臂及熔射裝置。機械手臂是設置于密閉隔間內，熔射裝置是設置于機械手臂上，用于對半導體設備零組件的表面熔射處理。由于操作人員可位于密閉隔間的外面來進行操作，因而可避免操作人員受到熔射處理的傷害。
【IPC分類】C23C14/04
【公開號】CN205115587
【申請號】CN201520845008
【發明人】李澄盛
【申請人】世平科技(深圳)有限公司
【公開日】2016年3月30日
【申請日】2015年10月28日