本發明涉及一種可用于蝕刻切割玻璃基材的溶液。
背景技術：
：強化玻璃是一類經過受控熱處理加工或化學處理加工而相比于普通玻璃具有更大強度的玻璃。由于其安全性和強度，強化玻璃用于多種苛刻應用中，包括電子器件、客運車車窗、浴室門、建筑玻璃門和桌子、冰箱托盤、作為防彈玻璃部件、用于潛水面罩以及各種類型的板件和炊具。強化玻璃可被設計成結合了薄、輕和抗沖擊性的優點，用作電子器件的蓋板玻璃，這些電子器件包括液晶顯示器、手持裝置、平板電腦、手機、便攜式媒體播放器以及筆記本電腦顯示器。大尺寸的強化玻璃基材必須切成小尺寸才能滿足目標應用要求，并且一旦強化玻璃硬化后便不能重新加工。機械切割是切割強化玻璃最常見的方式。但是因為強化玻璃在切割時易碎，機械切割的產率很低，并且在強化玻璃的切割邊緣處會有微裂紋產生。切割邊緣處的微裂紋不僅降低了玻璃的強度，并且在對切割邊緣拋光或在表面上施壓時容易造成破裂。化學蝕刻切割是一種將大尺寸強化玻璃切成小塊的理想選擇，在這種方法中強化玻璃的一部分被保護膜覆蓋而其余部分則暴露于蝕刻切割溶液中。氫氟酸(hf)是目前用于玻璃的化學蝕刻切割的化學品之一；但是，在此應用中存在一些嚴重問題。舉例來說，低濃度的hf會導致蝕刻速率緩慢、切割邊緣(也被稱為棱角)尖銳以及嚴重的側向蝕刻(參見圖1)，這些都不利于電子器件的制造。雖然使用較高濃度的hf可提高蝕刻速率，但也會增加熱量的釋放并且降低蝕刻過程的可控性。美國專利申請no.2010/0239818公開了一種硅基材紋理化的方法和實現該紋理化的蝕刻方法。所公開的方法包括：a)使所述基材接觸包括乙醇酸的蝕刻溶液；b)從而蝕刻所述基材的表面；c)在所述基材的所述表面上形成一定程度的紋理；以及d)除去所述蝕刻溶液以得到紋理化基材。所公開的方法用于數十微米厚的硅基材的紋理化以制造光伏產品和電子產品，而不是用于切割數百微米厚的玻璃基材。美國專利no.8,043,525公開了一種濕法蝕刻溶液，該溶液包含氟化氫(0.1重量％至10重量％)、氟化銨(0.1重量％至10重量％)、有機酸(30重量％至50重量％)、醇(30重量％至50重量％)和水。所公開的濕法蝕刻溶液對用于半導體器件和顯示裝置的金屬硅化物具有改善的氧化物選擇性，主要目的是選擇性地蝕刻金屬硅化物和摻雜磷的硅玻璃，因此并不適合切割強化玻璃。共同擁有的中國專利申請no.103693855公開了一種通過使用包含10.1重量％至20重量％的hf、5重量％至20重量％的乙醇酸、0至30重量％的硝酸和剩余部分的水的溶液來切割玻璃基材的方法。總之，雖然存在多種切割強化玻璃的方法，但仍需要改進的蝕刻切割方法，在不產生過多熱量的情況下以較高的蝕刻速率、較大的棱角和較小的側向蝕刻來切割玻璃基材。本發明滿足了上述需求。技術實現要素：本發明提供了一種玻璃蝕刻溶液，該溶液包含：(a)約20.1重量％至約25重量％的氫氟酸；(b)約7重量％至約10.5重量％的有機羧酸；(c)0至約10重量％的硝酸；以及(d)約54.5重量％至約72.9重量％的水；其中重量％基于蝕刻切割溶液的總重量計，并且前提條件是蝕刻切割溶液基本上不含氟化銨。本發明的各種其他特征、方面和優點參照下述具體實施方式、實例和所附權利要求書將變得更加顯而易見。附圖說明附圖并入了說明書并構成本說明書的一部分。附圖連同以上一般性說明、下文中示例性實施例和方法的詳細描述一同用于闡釋本發明的原理。在附圖中：圖1是化學蝕刻切割玻璃的橫截面視圖，示出了側向蝕刻和棱角。圖2是部分地覆蓋有圖案化保護膜的玻璃基材示意圖。具體實施方式除非另行指出，本文所提及的所有公布、專利申請、專利和其它參考文獻均全文以引用方式明確地并入本文以適于所有目的，如同被完全描述一樣。除非另外規定，否則本文所用的全部科技術語的含義都與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的一致。如發生矛盾，以本說明書及其包括的定義為準。除非另外指明，否則所有百分數、份數、比率等均按重量計。如本文所用，術語“由...制得”與“包括”同義。如本文所用，術語“包含”、“包括”、“具有”或“含有”，或者其任何其它變型旨在包括非排它的包括。例如，包含一系列元素的組合物、過程、方法、制品或設備不必僅限于那些元素，而可以包括其它未明確列出的元素，或此類組合物、過程、方法、制品或設備固有的元素。連接短語“由...組成”不包括任何沒有指定的元素、步驟或成分。如果是在權利要求中，除非另有說明，則除了常見的相關雜質外，這類短語將限制權利要求為不包含所提及材料以外的材料。當短語“由...組成”出現在權利要求主體的條款中，而非緊接前言之后，則其僅限制此條款中提到的元素；其他要素不排除于作為整體的權利要求。連接短語“基本上由...組成”用于限定所述組合物、方法或設備除了字面論述的那些以外，還包括物質、步驟、部件、組分或元素，前提條件是，這些附加的物質、步驟、部件、組分或元素不會實質上影響了受權利要求書保護的本發明的基本特征和新穎特征。術語“基本上由...組成”居于“包含”和“由...組成”的中間。連接短語“基本上不包括”或“基本上不含有”某種/些組分意指基于蝕刻切割溶液的總重量計，本發明的蝕刻切割溶液應含有低于1重量％，或低于0.1重量％，或低于0.01重量％，或0％的該組分。術語“包括”意在包括由“基本由......組成”和“由......組成”所涵蓋的實施例。類似地，術語“基本由......組成”包含”意在包括術語“由......組成”所涵蓋的實施例。當數量、濃度或其他數值或參數以范圍、優選范圍或優選上限數值和優選下限數值的列表形式給出時，其應理解為具體地公開由任何范圍上限或優選數值和任何范圍下限或優選數值的任何一對所構成的所有范圍，而不管所述范圍是否被單獨地公開。例如，當列出范圍“1至5”時，所列范圍應視為包括范圍“1至4”、“1至3”、“1至2”、“1至2和4至5”、“1至3和5”等等。除非另外指明，否則凡在本文中給出某一數值范圍之處，該范圍均旨在包括其端點，以及位于該范圍內的所有整數和分數。當使用術語“約”描述數值或范圍的端點時，本公開應被理解為包括所指具體值或端點。此外，除非明確規定相反的意思，否則“或”是指包含性的而非排他性的“或”。例如，下列任一種情況都表示條件a或b得到滿足：例如，以下任何一種情況均滿足條件a或b：a是真實(或存在)的且b是虛假(或不存在)的、a是虛假(或不存在)的且b是真實(或存在)的、以及a和b都是真實(或存在)的。此外，涉及元素或組分例子(即出現)的數目在本發明元素或組分前的不定冠詞“一個”或“一種”旨在為非限制性的。因此，應將“一個”或“一種”理解為包括一個或至少一個，并且元素或組分的詞語單數形式也包括復數指代，除非有數字明顯表示單數。在具體實施方式中所描述的本發明實施例包括本文所述的任何其他的實施例，可以任意地進行組合，并且實施例中變量的表述適用于本發明的蝕刻切割溶液及其方法或其用途。本文的材料、方法和實例僅僅是例證性的，除非具體指明，并非旨在限制。盡管與本文所述方法和材料類似或等同的方法和材料也可用于本發明的實踐或測試，但是本文描述了合適的方法和材料。下文對本發明進行詳細說明。本發明提供了一種玻璃蝕刻切割溶液，該溶液包含：(a)約20.1重量％至約25重量％的氫氟酸；(b)約7重量％至約10.5重量％的有機羧酸；(c)0至約10重量％的硝酸；以及(d)約54.5重量％至約72.9重量％的水；其中重量％基于蝕刻切割溶液的總重量計，并且前提條件是蝕刻切割溶液基本上不含氟化銨。本發明也涉及一種切割玻璃基材的方法，該方法包括：(i)提供玻璃基材；(ii)用保護膜覆蓋玻璃基材；(iii)將保護膜圖案化以得到部分覆蓋的玻璃基材，其中所述部分覆蓋的玻璃基材包括遮蔽區域和暴露區域；(iv)用蝕刻切割溶液在約10℃至約90℃下接觸所述部分覆蓋的玻璃基材約1分鐘至約120分鐘；(v)用水沖洗經接觸的玻璃基材；(vi)干燥經沖洗的玻璃基材；以及(vii)移除步驟(vi)的玻璃基材上的保護膜，其中，步驟(iv)的蝕刻切割溶液包含：(a)約20.1重量％至約25重量％的氫氟酸；(b)約7重量％至約10.5重量％的有機羧酸；(c)0至約10重量％的硝酸；以及(d)約54.5重量％至約72.9重量％的水；其中重量％基于蝕刻切割溶液的總重量計，并且前提條件是蝕刻切割溶液基本上不含氟化銨。可以使用本發明的玻璃蝕刻切割溶液切割的玻璃基材的示例包括以下組成：二氧化硅(sio2)約55％至79％、氧化鈉(na2o)0至約14.2％、氧化鎂(mgo)約2.5％至7％、石灰(cao)0至約10.0％、氧化鋁(al2o3)約0.4％至16％、氧化硼(b2o3)0至約12％、氧化鋅(zno)0至約1.5％、氧化鋇(bao)0至約6.0％和氧化鉀(k2o)約12％。玻璃基材可優選自鈉鈣硅玻璃、硅酸鹽玻璃、硅鋁酸鹽玻璃、氟硅玻璃、磷硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、硼磷硅酸鹽玻璃、zblan玻璃和鉛玻璃。玻璃基材可以通過本領域已知的方法，例如受控的熱處理或化學處理進行強化或鋼化，參見h.g.pfaender(1996)“schottguidetoglass”，chapmanandhall(h.g.pfaender，1996年，《schottguidetoglass》，chapman&hall出版社)。這種經強化或鋼化方法處理的玻璃基材常被稱為強化玻璃或鋼化玻璃(本文中可互換使用)。本發明中的強化或鋼化方法可為受控的熱處理或化學處理，其工藝條件是本領域技術人員所熟知的。這種玻璃表面上的壓應力大于65mpa。本發明也可用于蝕刻切割非強化玻璃。玻璃基材可以具有任何形狀、尺寸和厚度。玻璃基材可為長方形或正方形的。玻璃基材上可以有單層或多層電子組件。玻璃基材優選為平整的玻璃板。玻璃基材可由單層或多層玻璃構成。玻璃基材的厚度可根據其應用而變化。單層玻璃板的厚度優選為約300μm至約2000μm，多層玻璃板的厚度則優選為約900μm至約6000μm。在切割之前，玻璃基材在與蝕刻切割溶液接觸之前，可先用保護膜覆蓋。然后，將該保護膜圖案化以得到部分覆蓋的玻璃基材，其中所述部分覆蓋的玻璃基材包括遮蔽區域和暴露區域。未被保護膜覆蓋的暴露區域將與蝕刻切割溶液接觸，并將被切割。在大多數應用中，未被保護膜覆蓋的暴露區域小于被保護膜覆蓋的遮蔽區域。本發明中使用的保護膜由耐hf的聚合物材料制成。這種保護膜的聚合物材料的示例包括但不限于聚四氟乙烯(ptfe)、聚酰亞胺(pi)、聚(氯乙烯)(pvc)、聚(對苯二甲酸乙二醇酯)(pet)、聚丙烯(pp)、全氟磺酸聚合物(pfsa，也被稱為四氟乙烯-全氟-3，6-二氧雜-4-甲基-7-亞辛基磺酸共聚物)或聚乙烯(pe)。這種保護膜的厚度可為約0.01mm至約0.8mm。在一個實施例中，本發明中使用的保護膜為ptfe膜，例如由杜邦公司(e.i.dupontdenemoursco.)以商品名出售的ptfe膜。本發明中使用的保護膜可通過涂布工藝粘附到玻璃基材的兩面上，該涂布工藝包括但不限于涂覆、層壓、澆注等。另外，一面上具有粘合劑的保護膜也可通過層壓機或手動附接到玻璃基材的兩面上。粘合劑存在于保護膜與玻璃基材之間。優選的是，粘合劑是耐hf的，即不與hf反應或不被hf降解。這類粘合劑的示例包括但不限于橡膠、聚氨酯、聚丙烯酸酯、聚環氧化物以及它們的共混物。優選地，本發明中使用的粘合劑可用一種或多種有機溶劑，例如，甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等去除。無論是通過涂布工藝或是粘合劑，保護膜應當緊密地粘附在玻璃基材上，保護膜和玻璃基材之間不可有任何氣泡，以免蝕刻切割溶液滲入不欲被蝕刻切割的區域。然后，將該保護膜圖案化以得到部分覆蓋的玻璃基材，其中所述部分覆蓋的玻璃基材包括被保護膜覆蓋的遮蔽區域和待蝕刻切割的暴露區域。保護膜的圖案化可以通過切割和移除暴露區域上的保護膜，或通過光刻工藝而完成。保護膜的切割可通過刀具、輥刀、激光切割/雕刻機或cnc等離子體切割機進行。暴露區域也可被稱為遮蔽區域之間的間隙。該間隙的寬度通常為至少0.1mm，優選為至少0.3mm，更優選為至少0.5mm。任選地，粘合劑的殘余物可以用一種或多種溶劑(例如甲醇、乙醇、丙酮或甲苯等)去除。為了得到最佳的切割效果，經圖案化的保護膜(包括遮蔽區域和暴露區域)優選在玻璃基材的兩面上是對稱和對齊的。根據保護膜圖案化之后的圖案，在本發明的方法中使用的玻璃基材可被切割成任何形狀類型。舉例來說，玻璃基材可被切割成長方形、正方形、圓形、曲線和特殊的角度(參見圖2)。玻璃基材可被切割成具有任意類型孔的任意形狀類型，例如具有圓孔的長方形基材或具有長方形孔的圓形基材。在本發明的方法中，使上述部分覆蓋的玻璃基材與蝕刻切割溶液接觸足夠長的時間，就可蝕刻溶解暴露區域的玻璃基材從而與之分開。上述接觸的方法包括本領域技術人員已知的浸沒、浸入、噴淋或其他方法。例如，將所述部分覆蓋的玻璃基材浸入盛有蝕刻切割溶液的槽中，或將蝕刻切割溶液噴淋在所述部分覆蓋的玻璃基材上。接觸時間可根據蝕刻切割溶液的濃度、接觸方法和玻璃基材的厚度而調整。一般來講，接觸時間的范圍為約1分鐘至約120分鐘。為了節省接觸時間，可以在不改變其他參數的情況下，將接觸溫度提高。但因考慮蝕刻切割溶液的沸點與操作上的安全性，接觸溫度通常為約10℃至約90℃，優選為室溫至約50℃，其中本發明的室溫根據地區不同可在15℃至25℃的范圍內。在一個實施例中，本發明方法中使用的接觸方法包括浸沒、浸入或噴淋。以噴淋方法為例，可將根據上述步驟所得的部分覆蓋的玻璃基材直接放置在輥上；若玻璃基材的尺寸較小(包括切割之前和之后)，則可放置在具有網篩的支架上，然后將支架放置在輥上。用噴淋系統從輥上側和下側將蝕刻切割溶液噴淋在所述部分覆蓋的玻璃基材上。噴淋蝕刻切割溶液的溫度為約10℃至約90℃，優選為室溫至約50℃。噴淋時間的范圍為約1分鐘至約120分鐘。在與蝕刻切割溶液接觸之后，通常用水充分清洗經切割的玻璃基材至少0.5分鐘。所述水可為去離子水。清洗水的溫度可為約10℃至約90℃，優選為室溫至約50℃。最后并任選地將經清洗的玻璃基材干燥。本發明方法中使用的干燥方法可通過本領域技術人員已知的任何方式，例如熱干燥(烘箱干燥)、空氣干燥、鼓風干燥和風扇干燥而實現。在一個實施例中，本發明方法中使用的干燥方法為烘箱干燥或空氣(即風刀)干燥至少0.5分鐘。優選的是，通過風刀進行干燥約1分鐘至約10分鐘。用于干燥玻璃基材的溫度可為約10℃至約200℃，優選為室溫至約120℃，在該溫度下干燥至少0.5分鐘。在干燥之后，可用手或通過剝離劑溶液從經切割的玻璃基材上移除保護膜。如果需要的話，可用一種或多種溶劑如甲醇、乙醇、丙酮或甲苯等將粘合劑的殘余物清除。本發明所得的切割玻璃沒有如通過機械切割裝置切割所產生的微裂紋。此外，當與用現有技術蝕刻溶液蝕刻切割的玻璃比較時，本發明所得玻璃具有較小的側向蝕刻和較大的棱角。本發明的蝕刻切割溶液是通過將氫氟酸、有機羧酸、任選硝酸以及水混合而制得的。這種蝕刻切割溶液包含：(a)約20.1重量％至約25重量％的氫氟酸；(b)約7重量％至約10.5重量％的有機羧酸；(c)0至約10重量％的硝酸；以及(d)約54.5重量％至約72.9重量％的水；其中重量％是基于蝕刻切割溶液的總重量計，并且前提條件是蝕刻切割溶液基本上不含氟化銨。可以使用任何合適的有機羧酸；但是，優選的有機羧酸包括α-羥基酸并優選包括檸檬酸或乙醇酸，尤其優選乙醇酸。其他合適的有機羧酸包含選自草酸、乳酸和丙二酸的物質。氫氟酸(hf)，cas編號：7664-39-3，可以40重量％或49重量％的水溶液形式商購而得，并可購自景明化工公司(echochemicalco.ltd.，臺灣)或國藥化試公司(sinopharmchemicalreagentco.ltd.，中國)。在本發明的蝕刻切割溶液中，hf的量為約20.1重量％至約25重量％，優選為約20.2重量％至約23重量％，其中重量％是基于蝕刻切割溶液的總重量計。乙醇酸(ga)，cas編號：79-14-1，可為純度大于等于98％的化學品或其水溶液，例如，由美國特拉華州威爾明頓市的杜邦公司(e.i.dupontdenemoursandcompany，wilmington，de，usa)出售的ga水溶液。在本發明的蝕刻切割溶液中，有機羧酸和優選乙醇酸的量為約7重量％至約10.5重量％，優選為約10.5重量％，其中重量％基于蝕刻切割溶液的總重量計。硝酸(hno3)，cas編號：7697-37-2，可為高純度的發煙硝酸或其水溶液，例如，含70重量％硝酸的水溶液，并可購自景明化工公司(echochemicalco.ltd.，臺灣)或國藥化試公司(sinopharmchemicalreagentco.ltd.，中國)。在本發明的蝕刻切割溶液中，硝酸的量為約0重量％至約10重量％，優選為約5重量％，其中重量％基于蝕刻切割溶液的總重量計。本發明的蝕刻切割溶液中所用的所有化學品及其水溶液均可商購而得。在配制蝕刻切割溶液時，添加酸組分的次序并不重要，但為了安全起見，應將酸組分加入水(d)中。在一個實施例中，本發明的蝕刻切割溶液所含各酸的量如下：氫氟酸約20.1重量％至約25重量％，乙醇酸約7重量％至約10.5重量％，硝酸0至約10重量％。在第二個實施例中，可在本發明方法中使用的蝕刻切割溶液所含各酸的量如下：氫氟酸約20.2重量％至約23重量％，乙醇酸約7重量％至約10.5重量％，硝酸約0重量％至約10重量％。在第三個實施例中，可在本發明方法中使用的蝕刻切割溶液所含各酸的量如下：氫氟酸約20.2重量％至約23重量％，乙醇酸約10.5重量％，硝酸約5重量％。本文所述各酸組分例如氫氟酸、乙醇酸和硝酸的重量％是指這些酸組分的純物質而非其水溶液含量。此外，水(d)在本發明的蝕刻切割溶液中的重量％是指作為余料添加以平衡蝕刻切割溶液的總重量百分比的水，以及蝕刻切割溶液的其他組分(a)-(c)(例如氫氟酸水溶液、乙醇酸水溶液和/或硝酸水溶液)所含有的任何水。在如上文限定的所有實施例中，蝕刻切割溶液基本上不含氟化銨。采用本發明的方法所制得的玻璃基材可用作電子器件的蓋板玻璃，這些電子裝置包括液晶顯示器、手持裝置、平板電腦、手機、便攜式媒體播放器和筆記本電腦顯示器。本發明提供了一種用于切割玻璃基材的方法，本方法使經切割玻璃基材沒有如通過機械切割裝置切割所產生的微裂紋。與采用現有技術蝕刻切割溶液切割的玻璃基材相比，采用本發明方法切割的玻璃基材具有三個主要優勢。首先，本發明的方法具有較高的蝕刻速率，并且不會顯著增加熱量的釋放而降低蝕刻過程的可控性。第二，本發明的方法產生具有較小側向蝕刻的玻璃基材。第三，本發明的方法產生具有較大棱角的玻璃基材。實例測試方法和材料實例1-3和比較實例1-4中所用材料玻璃基材：強化玻璃鈉鈣玻璃和強化硅鋁酸鹽玻璃。氫氟酸(hf)：cas編號：7664-39-3，49重量％，購景明化工公司(echochemicalco.ltd.，臺灣)。乙醇酸(ga)：cas編號：79-14-1，水溶液，購自美國特拉華州威爾明頓市的科慕公司(chemourscompany，wilmington，de，usa)。硝酸：cas編號：7697-37-2，含70重量％硝酸的水溶液，購自景明化工公司(echochemicalco.ltd.，中國)。保護膜為一面上含丙烯酸類粘合劑的聚四氟乙烯(ptfe)膠帶。膠帶的厚度為0.1mm，購自美國明尼蘇達州圣保羅市的3m公司(3m，st.paul，mn，usa)。蝕刻切割溶液的制備通過混合氫氟酸、乙醇酸、硝酸和水制備七種蝕刻切割溶液(比較實例1、2、3和4以及實例1、2和3)。這些蝕刻切割溶液的組成按最終溶液中氫氟酸、乙醇酸和硝酸各自的重量％(剩余為水)示于表1中。表1實例編號hf乙醇酸硝酸比較例117.9％7％3.5％比較例220％3.5％14.2％比較例322.0％0％0％比較例418.4％0％3.5％實例120.2％10.5％5％實例223％10.5％5％實例321％10.5％5％測試方法1：蝕刻速率測試過程-噴淋將玻璃基材直接放置在噴淋系統的輥上。通過噴淋系統，從輥的上側和下側將每個實例和比較實例的蝕刻切割溶液噴淋在玻璃基材上。蝕刻切割溶液的溫度為約35℃。接觸約20分鐘后，取出未被完全切割開的玻璃基材，然后用去離子水充分清洗至少約0.5分鐘。清洗水的溫度為約35℃。通過風刀干燥經清洗的玻璃大約5分鐘；干燥空氣的溫度為約70℃。通過測微計測量各玻璃基材的厚度以確定其相對于對應初始厚度的厚度差。將所得厚度差轉換為蝕刻速率，以μm/min列于表2和表3中。表2硅鋁酸鹽玻璃的蝕刻速率表3鈉鈣玻璃的蝕刻速率實例編號兩面(μm/min)比較例117.7比較例224.7比較例324.4比較例416.7實例123.2實例228.9實例324.7測試方法2：側向蝕刻和棱角測量在與蝕刻切割溶液接觸之前，通過層壓機在玻璃基材的兩面上覆蓋一面上有丙烯酸類粘合劑的ptfe保護膜。用激光切割保護膜以形成圖案。保護膜的圖案在玻璃基材的兩面上是對稱和對齊的。手動撕去暴露區域上的保護膜，露出將要被蝕刻的區域。用乙醇除去暴露區域上所有殘余的粘合劑。在所有實例和比較實例中，經圖案化后所得到部分覆蓋的玻璃基材具有兩個不同寬度的間隙，分別是1.5mm和0.9mm(參見圖2的圖案a)。將部分覆蓋的玻璃基材放置在輥上。對于比較實例1和2以及實例1、2和3中的每個實例，均完成了多個測試運行(參見表4和5)。表4和5記錄了每個實例和比較實例的平均蝕刻間隙和側向蝕刻。棱角是經蝕刻的表面相對于未蝕刻表面的角度量度。側向蝕刻是從暴露基材的邊緣(即側視圖的頂點)到未暴露基材的邊緣之間距離的量度。如果基材兩面的側向蝕刻是不同的，則將較大值記錄為側向蝕刻(參見圖1)。對于每次測試運行，用噴淋系統從輥上側和下側將蝕刻切割溶液噴淋在玻璃基材上。蝕刻切割溶液的溫度為約35℃。用去離子水充分地清洗玻璃基材大約0.5分鐘。清洗水的溫度為約35℃。通過風刀干燥經清洗的玻璃基材大約2分鐘。干燥空氣的溫度為約70℃。蝕刻時間根據由測試方法1所確定的蝕刻速率來調整到足夠切開玻璃基材。用顯微鏡(olympus，型號：bx-rla2，軟件：圖形測量工具)對經切割的玻璃基材的橫截面拍照，測量和記錄其側向蝕刻和蝕刻角，并將結果列于表4和5中。結果記錄在下表4和5中。表4表5雖然以典型的實施例說明和描述了本發明，但其意圖不是將本發明限于所示出的細節中，因為在不背離本發明的精神下可能存在多種修改和替代形式。由此，本領域技術人員可以只通過常規實驗就獲得本文所公開的本發明修改和等同形式，并且確信所有這些修改和等同形式包含在權利要求書所限定的本發明的精神和范圍內。實例4至7中使用的材料氫氟酸(hf)：cas編號7664-39-3，49％，購自霍尼韋爾公司(honeywell)乙醇酸(ga)：cas編號79-14-1，70％，購自科慕公司(thechemourscompany)硝酸(na)：cas編號7697-37-2，67％檸檬酸(ca)：cas編號5949-29-1，99％，emdmillipore公司草酸(oa)：cas編號6153-56-6，99.8％，購自emdmillipore公司乳酸(la)：cas編號7732-18-5，88％，購自acrosorganics公司蝕刻切割溶液的制備蝕刻切割溶液的組成按最終溶液中氫氟酸、乙醇酸、硝酸、檸檬酸、草酸和乳酸各自的重量％(剩余為水)示于表6中。表6測試方法1：蝕刻速率測試過程-噴淋將玻璃基材直接放置在噴淋系統的輥上。通過噴淋系統，從輥的上側和下側將每個實例的蝕刻切割溶液噴淋在玻璃基材上。蝕刻切割溶液的溫度為約30℃。接觸約20分鐘后，取出未被完全切割開的玻璃基材，然后用去離子水充分清洗至少約0.5分鐘。清洗水的溫度為約30℃。通過風刀干燥經清洗的玻璃大約5分鐘；干燥空氣的溫度為約70℃。通過測微計測量各玻璃基材的厚度以確定其相對于對應初始厚度的厚度差。將所得厚度差轉換為蝕刻速率，以μm/min列于表7中。表7硅鋁酸鹽玻璃的蝕刻速率實例編號兩面(μm/min)實例489.85實例542.4實例634.6實例741.9測試方法2：側向蝕刻和棱角測量在與蝕刻切割溶液接觸之前，通過層壓機在玻璃基材的兩面上覆蓋一面上有丙烯酸類粘合劑的ptfe保護膜。用激光切割保護膜以形成圖案。保護膜的圖案在玻璃基材的兩面上是對稱和對齊的。手動撕去暴露區域上的保護膜，露出將要被蝕刻的區域。用乙醇除去暴露區域上所有殘余的粘合劑。在所有實例中，經圖案化后所得到部分覆蓋的玻璃基材具有兩個不同寬度的間隙，分別是1.5mm和0.9mm(參見圖2的圖案a)。將部分覆蓋的玻璃基材放置在輥上。對于實例4至7中的每個實例，均完成了多個測試運行(參見表8)。表8記錄了每個實例的平均蝕刻間隙和側向蝕刻。棱角是經蝕刻的表面相對于未蝕刻表面所形成的角度。側向蝕刻是從暴露基材的邊緣(即側視圖的頂點)到未暴露基材的邊緣之間距離的量度。如果基材兩面的側向蝕刻是不同的，則將較大值記錄為側向蝕刻(參見圖1)。對于每次測試運行，用噴淋系統從輥上側和下側將蝕刻切割溶液噴淋在玻璃基材上。蝕刻切割溶液的溫度為約30℃。用去離子水充分地清洗玻璃基材大約0.5分鐘。清洗水的溫度為約30℃。通過風刀干燥經清洗的玻璃基材大約2分鐘。干燥空氣的溫度為約70℃。蝕刻時間根據由測試方法1所確定的蝕刻速率來調整到足夠切開玻璃基材。用顯微鏡(olympus，型號：bx-rla2，軟件：圖形測量工具)對經切割的玻璃基材的橫截面拍照，測量和記錄其側向蝕刻和蝕刻角，并將結果列于表8中。表8從實例4至7中可以看出，較小的側向蝕刻和較大的棱角使得有機羧酸的使用具有很大的實用性。即使在高濃度的hf下，也大大提高了蝕刻切割速率，蝕刻速率達90微米/分鐘。當前第1頁12