1.一種BN-SiC復合顆粒，包括SiC顆粒和包覆在所述SiC顆粒外的BN鍍層，所述BN鍍層的厚度為0.5～20μm。
2.根據權利要求1所述的BN-SiC復合顆粒，其特征在于，所述SiC顆粒的粒徑為0.05～700μm。
3.根據權利要求1所述的BN-SiC復合顆粒，其特征在于，所述BN-SiC復合顆粒的粒徑為0.6～720μm。
4.權利要求1或2所述復合顆粒的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射法在SiC顆粒表面沉積BN鍍層，得到BN-SiC復合顆粒。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射法具體包括以下步驟：
(1)將SiC顆粒裝入工裝，對真空腔進行抽真空；
(2)向所述抽真空后的真空腔內充入惰性氣體；
(3)將SiC顆粒加熱至300～500℃；
(4)控制超聲波振動頻率為(0W,350W]，樣品臺擺動頻率為1～150次/分鐘，在SiC顆粒表面磁控濺射沉積BN鍍層，得到BN-SiC復合顆粒。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中真空腔抽真空后的真空度為4×10-4～4×10-3Pa。
7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中充入惰性氣體至真空腔內氣壓為0.1～15Pa。
8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中磁控濺射的功率為100～250W。
9.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中磁控濺射的時間為2～6h。
10.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射沉積BN鍍層后還包括：將BN-SiC復合顆粒保溫20～60min。