1.外延生長碳化硅-石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
（1）碳化硅-石墨烯制備
對碳化硅襯底進行清洗預處理，清洗完成后直接把SiC襯底硅面朝上，放入設備中準備外延生長，
（2）碳化硅-石墨烯薄膜外延生長
第一步，首先進行4H-SiC的同質外延生長：將腔室真空度降至8×10-4Pa 以下，持續通入7L/min 的H2，將腔室溫度從室溫逐步升至1600℃；在1600℃下保持10min 作為預生長階段，然后通入9~15mL/min 的SiH4和2~6mL/min 的C3H8生長60min，此時襯底表面的劃痕、缺陷被填平覆蓋，形成性能優異的新SiC表面；最后將設備溫度降至1000℃同時繼續通Ar保護，使SiC 形成3×3SiC的穩定結構，并且朝上的面仍然為Si面；
第二步，進行在4H-SiC上的石墨烯外延生長：腔體持續通入1L/min的Ar，壓力保持在133Pa，這樣可以抑制SiC中Si 原子的過快升華，提過石墨烯的生成質量；先將腔體溫度從1000℃上升到1100℃，穩定10min，隨著溫度的上升，SiC由3×3SiC 結構逐漸轉變為1×1SiC結構，最終在1100℃穩定為3×3SiC 結構；隨后將溫度升至1200℃形成63×63R30°的過渡緩沖層結構；再將溫度升至1300~1600℃并保持30~50min，表面結構逐漸從63×63R30°轉變為1×1grphene 結構，最后降溫至室溫得到穩定的石墨烯。
2.根據權利要求1所述的外延生長碳化硅-石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于：所述的外延生長設備為CVD 爐。