技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種晶體材料、其制備方法、包含其的非線性光學(xué)晶體材料及其在激光器中的應(yīng)用。所述晶體材料化學(xué)式為[A2M4Q7]n或[AM3Q5]n；A代表Na、K、Rb、Cs中的至少一種；M代表Ga和/或In；Q代表S和/或Se；1≤n≤4。該晶體材料具有優(yōu)良的紅外非線性光學(xué)性能，倍頻強(qiáng)度可達(dá)同粒度商用AgGaS2的7.0倍，激光損傷閾值可達(dá)商用AgGaS2(可簡(jiǎn)寫(xiě)為AGS)的11倍。在中遠(yuǎn)紅外波段激光倍頻、和頻、差頻、光參量振蕩等變頻器件方面，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

技術(shù)研發(fā)人員：李淑芳;郭國(guó)聰;姜小明;徐忠寧;曾卉一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
文檔號(hào)碼：201611108475
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.06
技術(shù)公布日：2017.05.31