技術(shù)總結(jié)
針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種顆粒狀碳化硅單晶的生長方法，通過使用多孔石墨板上涂覆高碳含量聚合物，在聚合物表面均勻布置小顆粒SiC籽晶，將多孔石墨板非涂覆面固定在石墨坩堝上蓋上，SiC粉料放于石墨坩堝底部，坩堝上蓋與SiC粉料相對放置，石墨坩堝放入感應(yīng)加熱爐中進(jìn)行SiC單晶生長，生長溫度1800℃?2400℃，生長壓力1×10?4Pa?1×104Pa，得到顆粒狀SiC單晶。由此，可以直接得到顆粒狀SiC單晶，避免了切割操作，并且顆粒狀SiC單晶可以直接作為SiC寶石原料，提高了生產(chǎn)率，降低了生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：喬松;楊昆;高宇;鄭清超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：河北同光晶體有限公司
文檔號碼：201611125920
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.09
技術(shù)公布日：2017.03.08