1.一種硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，包括拉晶爐的工作腔和設于工作腔內的石墨加熱器，石墨加熱器的瓣沿著工作腔的內部圓周設置而圍括住用于盛放硅料的坩堝，其特征在于：所述石墨加熱器采用對應于坩堝中上部的主加熱器和對應于坩堝下部的副加熱器，所述主加熱器和副加熱器分別由兩個電源獨立控制，所述副加熱器位于主加熱器的正下方，所述主加熱器和副加熱器的瓣所分別圍括成的筒體同軸等徑，且所述主加熱器的瓣和副加熱器的瓣之間具有間隙，在化料階段，所述主加熱器和副加熱器同時開啟工作，主加熱器和副加熱器的功率之比為2：1～3：1；在拉晶階段，降低主加熱器和副加熱器的功率，且主加熱器的功率大于副加熱器的功率，使硅料處于結晶點，由主加熱器主要控制整個拉晶時熱場溫度，從而使熱對流強度減弱，以減緩石英堝的反應速度，降低由于石英堝與硅進行化學反應所產生的氧及雜質。
2.根據權利要求1所述的硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，其特征在于：在化料階段，主加熱器的功率是85±8KW，副加熱器的功率是35±8KW；在拉晶階段，主加熱器的功率是55±15KW，副加熱器的功率是0～35KW。
3.根據權利要求2所述的硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，其特征在于：在化料階段，主加熱器和副加熱器的加熱時間為5±2小時。
4.根據權利要求3所述的硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，其特征在于：在拉晶階段，主加熱器和副加熱器的加熱時間為5±2小時。
5.根據權利要求4所述的硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，其特征在于：在拉晶階段，降低副加熱器的功率至零，即關閉副加熱器，此時，由主加熱器完全控制整個拉晶時熱場溫度。
6.根據權利要求5所述的硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，其特征在于：所述主加熱器的瓣為長短間隔設置，即長瓣和短瓣間隔設置，所述長瓣和短瓣分別為數對，每對中的兩個長瓣相對設置，每對中的兩個短瓣也相對設置。
7.根據權利要求6所述的硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，其特征在于：所述主加熱器的長瓣和短瓣的長度之比是大于1：1且小于或等于1.9：1。
8.根據權利要求7所述的硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，其特征在于：所述副加熱器的瓣的長度相同。
9.根據權利要求8所述的硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，其特征在于：所述主加熱器的短瓣的長度大于所述副加熱器的瓣的長度。
10.根據權利要求9所述的硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，其特征在于：用于控制副加熱器的電源還控制處于其它拉晶爐工作腔內的副加熱器。