技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種硅太陽能低氧、低光衰單晶熱場，包括拉晶爐的工作腔和設(shè)于工作腔內(nèi)的石墨加熱器，石墨加熱器采用對應(yīng)于坩堝中上部的主加熱器和對應(yīng)于坩堝下部的副加熱器，主加熱器和副加熱器分別由兩個電源獨立控制，在化料階段，主加熱器和副加熱器同時開啟工作，主加熱器和副加熱器的功率之比為2：1～3：1，在拉晶階段，降低主加熱器和副加熱器的功率，且主加熱器的功率大于副加熱器的功率，使硅料處于結(jié)晶點，由主加熱器主要控制整個拉晶時熱場溫度，使熱對流強度減弱，減緩石英堝的反應(yīng)速度，降低由于石英堝與硅進行化學(xué)反應(yīng)所產(chǎn)生的氧及雜質(zhì)，降低硅棒氧含量、氧施主硅片產(chǎn)出比例，提高硅棒少子壽命，使電池片環(huán)節(jié)的LID衰減降低。

技術(shù)研發(fā)人員：李守衛(wèi);楚信博;王松;李志輝;岳瑞存;侯占鵬
受保護的技術(shù)使用者：晶澳太陽能有限公司
文檔號碼：201611143452
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.13
技術(shù)公布日：2017.03.22