本發明涉及一種絕緣組件，尤其涉及一種多晶硅還原爐的絕緣組件。

背景技術：

多晶硅生產過程中，還原爐內電極穿過還原爐底盤，將硅芯通過石墨套件及絕緣套件固定在電極上，通過電極為硅芯接通電流，加熱硅芯，從而達到發生還原化學氣相沉積所需溫度。其中石墨套件主要起到固定硅芯、支撐硅棒和與硅芯接觸導通電流的作用，絕緣陶瓷環主要起到隔絕電極與還原爐底盤，絕緣保護、避免放電現象發生的作用。

一般絕緣套件為陶瓷套件，呈圓環形，嵌套在電極上，起到絕緣隔離電極與還原爐底盤的作用。但是對于異形的電極及石墨結構，這種絕緣套件就難以穩定支撐。

技術實現要素：

本發明要解決的技術問題是：提供一種可以穩定支撐的多晶硅還原爐絕緣組件。

一種多晶硅還原爐的絕緣組件，包括石墨支撐底座，石墨支撐底座包括第一導電臂和第二導電臂。多晶硅還原爐的絕緣組件還包括絕緣支撐臺，該絕緣支撐臺包括用于支撐第一導電臂的第一支撐臂和用于支撐第二導電臂的第二支撐臂。

本發明的多晶硅還原爐的絕緣組件，對于多導電臂的石墨支撐底座對應設計，可以穩定支撐石墨支撐底座，保證多晶硅還原爐內可以高密度生長大量硅棒。

附圖說明

圖1為本發明實施方式一多晶硅還原爐的絕緣組件的示意圖。

圖2為圖1所示的多晶硅還原爐的絕緣組件的絕緣支撐臺的剖視圖。

圖3為圖2所示的絕緣支撐臺的俯視圖。

圖4為本發明實施方式二的絕緣支撐臺的俯視圖。

圖5為本發明實施方式三的絕緣支撐臺的俯視圖。

圖6為本發明實施方式四的絕緣支撐臺的剖視圖。

圖7為本發明實施方式五的多晶硅還原爐的絕緣組件的剖視圖。

圖8本發明實施方式六的絕緣支撐臺的俯視圖。

圖9本發明實施方式七的絕緣支撐臺的俯視圖。

具體實施方式

下面結合圖示對本發明的多晶硅還原爐的絕緣組件進行詳細說明。

請參見圖1到圖3，本發明實施方式一的多晶硅還原爐的絕緣組件包括石墨支撐底座21、設置在石墨支撐底座21上的石墨卡瓣23、設置在石墨卡瓣23外部的石墨卡套25、絕緣套31和絕緣支撐臺33。其中，石墨卡瓣23用于夾持硅芯，石墨卡套25在石墨卡瓣23夾持硅芯后套在石墨卡瓣23外部，保持石墨卡瓣23能夠穩定夾持硅芯。

在實施方式一中，石墨支撐底座21與電極12配合固定。石墨支撐底座21包括第一導電臂213和第二導電臂215，第一導電臂213和第二導電臂215對稱。第一導電臂213相對于卡槽211的遠端端部設置有第一安裝部2131，同樣地，第二導電臂215相對于卡槽211的遠端端部設置有第二安裝部2151。第一安裝部2131和第二安裝部2151上可以分別設置一個石墨卡瓣23和石墨卡套25，用于分別安裝一個硅芯，可以提高還原爐使用時多晶硅硅棒的密度。

對應地，本案實施方式一的絕緣套31環繞電極設置，絕緣支撐臺33與石墨支撐底座21形狀相應，包括用于支撐第一導電臂213的第一支撐臂331和用于支撐第二導電臂215的第二支撐臂333。第一支撐臂331上對應于第一安裝部2131設置有第一支撐部3311。第二支撐臂333對應于第二安裝部2151設置有第二支撐部3331。絕緣支撐臺33設置在絕緣套31和石墨支撐底座21之間，這樣既能夠保持絕緣，又可以對石墨支撐底座21起到支撐作用，即使在硅棒生長的后期，第一支撐部和第二支撐部3331分別對應于第一安裝部和第二安裝部，可以有效支撐硅棒的重量，也能夠保持石墨支撐底座21的穩定。

當然，絕緣套31可以省略。

請參見圖4，本發明實施方式二與實施方式一相似，但實施方式二的絕緣支撐臺33除了包括第一支撐臂331和第二支撐臂333之外，還包括第三支撐臂335。第一支撐臂331、第二支撐臂333和第三支撐臂335結構相同，三者均勻分布，相鄰兩者的夾角為120度。每個支撐臂的末端設置有一個支撐部，對應支撐硅芯。實施方式二的結構是對應于具有三條導電臂的石墨支撐底座。

請參見圖5，本發明實施方式三與實施方式二類似，但實施方式三的絕緣支撐臺33除了包括第一支撐臂331、第二支撐臂333、第三支撐臂335之外，還包括第四支撐臂337。四個支撐臂成十字分布，兩兩對稱。實施方式三是對應相似結構的石墨支撐底座，即具有四個導電臂，且四個導電臂兩兩對稱呈十字形分布的石墨支撐底座。每一個支撐臂對應支撐一個導電臂，使石墨支撐底座可以穩定使用。每個支撐臂的末端設置有一個支撐部，對應支撐安裝在導電臂上的硅芯。

可以理解，上述實施方式的支撐臂數量對應導電臂數量設置，還可以增加。

請參見圖6，本發明實施方式四與實施方式一類似，對應的石墨支撐底座具有第一導電臂和第二導電臂，第一導電臂除了末端的第一安裝部之外，還在中部設置有第一附加安裝部，使得在第一導電臂上可以同時安裝兩個硅芯。第二導電臂的末端有第二安裝部，中部設置有第二附加安裝部。絕緣支撐臺也有對應的結構，除了第一支撐部3311之外，第一支撐臂331額外對應第一附加安裝部設置有第一附加支撐部3313。除了第一支撐部3311之外，第一支撐臂331額外對應第一附加安裝部設置有第一附加支撐部3313。除了第二支撐部3331之外，第二支撐臂333額外對應第二附加安裝部設置有第二附加支撐部3333。

請參見圖7，圖7為本發明的實施方式五與實施方式一類似。如果石墨支撐底座的第一導電臂和第二導電臂的高度不同，第一導電臂高于第二導電臂，那么對應地，第一支撐臂331也會有相應結構匹配，第一支撐臂331末端有凸臺3315，對應支撐第一導電臂。

請參見圖8，本發明的實施方式六與實施方式一類似，不同在于，第一支撐臂331和第二支撐臂333中間可轉動連接，可以與第一導電臂和第二導電臂活動連接的石墨支撐底座配合使用，對應支撐。

請參見圖9，本發明實施方式七的多晶硅還原爐的絕緣組件的絕緣支撐臺33與實施方式一相似，不同在于，第一支撐臂331和第二支撐臂333的底部邊緣具有切削部，可以減少物料的使用，節約成本。

本發明的多晶硅還原爐的絕緣組件，對于多導電臂的石墨支撐底座對應設計，可以穩定支撐石墨支撐底座，保證多晶硅還原爐內可以高密度生長大量硅棒。

綜上所述，以上僅為本發明的較佳實施例而已，不應以此限制本發明的范圍。即凡是依本發明權利要求書及說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋的范圍內。