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一種溫度穩定型鎵酸鹽微波介電陶瓷的制作方法

文檔序號:11610621閱讀:410來源:國知局

本發明涉及介電陶瓷材料,特別是涉及用于制造微波頻率使用的陶瓷基板、諧振器與濾波器等微波元器件的介電陶瓷材料及其制備方法。



背景技術:

微波介電陶瓷是指應用于微波頻段(主要是uhf和shf頻段)電路中作為介質材料并完成一種或多種功能的陶瓷,在現代通訊中被廣泛用作諧振器、濾波器、介質基片和介質導波回路等元器件,是現代通信技術的關鍵基礎材料,已在便攜式移動電話、汽車電話、無繩電話、電視衛星接受器和軍事雷達等方面有著十分重要的應用,在現代通訊工具的小型化、集成化過程中正發揮著越來越大的作用。

應用于微波頻段的介電陶瓷,應滿足如下介電特性的要求:(1)系列化介電常數εr以適應不同頻率及不同應用場合的要求;(2)高的品質因數q值或低的介質損耗tanδ以降低噪音,一般要求qf≥3000ghz;(3)諧振頻率的溫度系數τf盡可能小以保證器件具有好的熱穩定性,一般要求-10ppm/℃≤τf≤+10ppm/℃。國際上從20世紀30年代末就有人嘗試將電介質材料應用于微波技術,并制備出tio2微波介質濾波器,但其諧振頻率溫度系數τf太大而無法實用化。上世紀70年代以來,開始了大規模的對介質陶瓷材料的開發工作,根據相對介電常數εr的大小與使用頻段的不同,通常可將已被開發和正在開發的微波介質陶瓷分為4類。

(1)超低介電常數微波介電陶瓷,主要代表是al2o3-tio2、y2bacuo5、mgal2o4和mg2sio4等,其εr≤20,品質因數q×f≥50000ghz,τf≤10ppm/℃。主要用于微波基板以及高端微波元器件。

(2)低εr和高q值的微波介電陶瓷,主要是bao-mgo-ta2o5,bao-zno-ta2o5或bao-mgo-nb2o5,bao-zno-nb2o5系統或它們之間的復合系統mwdc材料。其εr=20~35,q=(1~2)×104(在f≥10ghz下),τf≈0。主要應用于f≥8ghz的衛星直播等微波通信機中作為介質諧振器件。

(3)中等εr和q值的微波介電陶瓷,主要是以bati4o9、ba2ti9o20和(zr、sn)tio4等為基的mwdc材料,其εr=35~45,q=(6~9)×103(在f=3~-4ghz下),τf≤5ppm/℃。主要用于4~8ghz頻率范圍內的微波軍用雷達及通信系統中作為介質諧振器件。

(4)高εr而q值較低的微波介電陶瓷,主要用于0.8~4ghz頻率范圍內民用移動通訊系統,這也是微波介電陶瓷研究的重點。80年代以來,kolar、kato等人相繼發現并研究了類鈣鈦礦鎢青銅型bao—ln2o3—tio2系列(ln=la、sm、nd或pr等,簡稱blt系)、復合鈣鈦礦結構cao—li2o—ln2o3—tio2系列、鉛基系列材料、ca1-xln2x/3tio3系等高εr微波介電陶瓷,其中blt體系的bao—nd2o3—tio2材料介電常數達到90,鉛基系列(pb,ca)zro3介電常數達到105。

由于微波介電陶瓷的三個性能指標(εr與q·f和τf)之間是相互制約的關系(見文獻:微波介質陶瓷材料介電性能間的制約關系,朱建華,梁飛,汪小紅,呂文中,電子元件與材料,2005年3月第3期),滿足三個性能要求的單相微波介質陶瓷非常少,主要是它們的諧振頻率溫度系數通常過大或者品質因數偏低而無法實際應用要求。目前對微波介質陶瓷的研究大部分是通過大量實驗而得出的經驗總結,卻沒有完整的理論來闡述微觀結構與介電性能的關系,因此,在理論上還無法從化合物的組成與結構上預測其諧振頻率溫度系數和品質因數等微波介電性能,探索與開發近零諧振頻率溫度系數(-10ppm/℃≤τf≤+10ppm/℃)與較高品質因數的系列不同介電常數微波介電陶瓷是本領域技術人員一直渴望解決但始終難以獲得成功的難題,這在很大程度上限制了微波介電陶瓷與器件的發展。



技術實現要素:

本發明的目的是提供一種具有良好熱穩定性與低損耗的超低介電常數微波介電陶瓷材料及其制備方法。

本發明的微波介電陶瓷材料的化學組成為bi2sm3ga3o12。

本微波介電陶瓷材料的制備方法步驟為:

(1)將純度為99.9%(重量百分比)以上的bi2o3、sm2o3和ga2o3的原始粉末按bi2sm3ga3o12的組成稱量配料。

(2)將步驟(1)原料濕式球磨混合12小時,球磨介質為無水乙醇,烘干后在1250℃大氣氣氛中預燒6小時。

(3)在步驟(2)制得的粉末中添加粘結劑并造粒后,再壓制成型,最后在1300~1350℃大氣氣氛中燒結4小時;所述的粘結劑采用質量濃度為5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末總質量的3%。

本發明的優點:bi2sm3ga3o12陶瓷在1350℃以下燒結良好,介電常數達到11.9~12.7,尤其是諧振頻率的溫度系數τf小,溫度穩定性好;品質因數qf值高達118000-148000ghz,可廣泛用于各種介質基板、諧振器和濾波器等微波器件的制造,在工業上有著極大的應用價值。

具體實施方式

實施例:

表1示出了構成本發明的不同燒結溫度的3個具體實施例及其微波介電性能。其制備方法如上所述,用x射線衍射分析進行了物相分析,所有陶瓷均為石榴石結構單相;用圓柱介質諧振器法進行微波介電性能的評價。

本陶瓷可廣泛用于各種介質基板、諧振器和濾波器等微波器件的制造,可滿足移動通信和衛星通信等系統的技術需要。

表1:



技術特征:

技術總結
本發明公開了一種鎵酸鹽高品質因數溫度穩定型超低介電常數微波介電陶瓷Bi2Sm3Ga3O12及其制備方法。(1)將純度為99.9%(重量百分比)以上的Bi2O3、Sm2O3和Ga2O3的原始粉末按Bi2Sm3Ga3O12的組成稱量配料;(2)將步驟(1)原料濕式球磨混合12小時,球磨介質為無水乙醇,烘干后在1250℃大氣氣氛中預燒6小時;(3)在步驟(2)制得的粉末中添加粘結劑并造粒后,再壓制成型,最后在1300~1350℃大氣氣氛中燒結4小時;所述的粘結劑采用質量濃度為5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末總質量的3%。本發明制備的陶瓷燒結良好,介電常數達到11.9~12.7,其品質因數Qf值高達118000?148000GHz,諧振頻率溫度系數小,在工業上有著極大的應用價值。

技術研發人員:李純純;方維雙;方亮
受保護的技術使用者:桂林理工大學
技術研發日:2017.03.24
技術公布日:2017.08.04
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