技術特征：

技術總結
一種控制碳化硅單晶生長裝置，其感應線圈(1)、坩堝(2)、氣路系統和升降旋轉控制系統均位于真空腔室內。坩堝(2)位于升降旋轉控制系統的上托盤(8)和下托盤(10)之間，放置在感應線圈(1)內的中央位置。坩堝(2)外包覆有保溫層(4)。感應線圈(1)位于真空腔室中心位置，用以加熱坩堝(2)。坩堝(2)內裝有碳化硅粉料和籽晶，用于碳化硅晶體生長。氣路系統連接在真空腔室側壁上。通過上、下托盤的移動，控制坩堝與線圈的相對位置；調整坩堝下部和坩堝鍋蓋的旋轉速度和方向，控制碳化硅晶體生長時原料區和晶體生長區的距離；通過原料區和晶體生長區距離的控制，實現晶體生長溫度的精確控制。

技術研發人員：張賀;古宏偉;丁發柱;屈飛;李輝;張慧亮;董澤斌;商紅靜
受保護的技術使用者：中國科學院電工研究所
技術研發日：2017.05.17
技術公布日：2017.09.08