后述的實施方式主要涉及氮化硅燒結體、耐磨性構件、及氮化硅燒結體的制造方法。

背景技術：

1、氮化硅燒結體利用其耐磨性而作為軸承滾珠、輥等耐磨性構件來使用。作為以往的氮化硅燒結體的燒結組成，已知有氮化硅-氧化釔-氧化鋁-氮化鋁-氧化鈦系等(專利文獻1：日本特開2001-328869號公報)。通過使用氧化釔、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦作為燒結助劑，得到燒結性提高、具有優(yōu)異的耐磨性的氮化硅燒結體。

2、例如，軸承具有在外環(huán)與內環(huán)之間配置有軸承滾珠的結構。軸承的壽命受到軸承滾珠、外環(huán)及內環(huán)的壽命的影響。在專利文獻1中，使由氮化硅燒結體制成的軸承滾珠的耐久性提高。另一方面，對于外環(huán)和內環(huán)，使用了軸承鋼(suj2)。即使提高了軸承滾珠的耐久性，也會產(chǎn)生外環(huán)及內環(huán)磨損而軸承的耐久性降低的情況。

3、在日本特開2003-65337號公報(專利文獻2)中，使用了由熱導率高的氮化硅燒結體制成的軸承滾珠。通過提高氮化硅燒結體的熱導率，從而散熱性提高。

4、現(xiàn)有技術文獻

5、專利文獻

6、專利文獻1：日本特開2001-328869號公報

7、專利文獻2：日本特開2003-65337號公報

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、通過提高軸承滾珠的散熱性，得到抑制外環(huán)及內環(huán)的熱膨脹的效果。然而，未得到其以上的效果。追究其原因，結果獲知：從軸承滾珠向對象構件(外環(huán)及內環(huán))的攻擊性沒有充分降低，使耐久性降低。

3、本發(fā)明是用于應對這樣的問題的發(fā)明，提供能夠提高耐磨性構件的耐久性的氮化硅燒結體。

4、用于解決課題的手段

5、實施方式的氮化硅燒結體的特征在于，對于具備氮化硅結晶粒子和晶界相的氮化硅燒結體的任意的截面，在對20μm×20μm的區(qū)域進行拉曼光譜分析時，在400cm-1以上且1200cm-1以下的范圍內在7處以上檢測到峰，處于上述范圍內的最強峰不在515cm-1以上且525cm-1以下的范圍內。

技術特征：

1.一種軸承滾珠，其特征在于，其是使用了氮化硅燒結體的軸承滾珠，所述氮化硅燒結體具備氮化硅結晶粒子及包含燒結助劑成分的晶界相，

2.根據(jù)權利要求1所述的軸承滾珠，其特征在于，所述7個以上的峰中的至少3個在530cm-1以上且830cm-1以下的范圍內。

3.根據(jù)權利要求1～權利要求2中任一項所述的軸承滾珠，其特征在于，關于所述7個以上的峰，在500cm-1以上且830cm-1以下的范圍內的至少3個峰各自的強度為在440cm-1以上且460cm-1以下的范圍內的最強峰的強度的0.8倍以上且2.0倍以下。

4.根據(jù)權利要求1～權利要求2中任一項所述的軸承滾珠，其特征在于，關于所述7個以上的峰，在超過830cm-1且1200cm-1以下的范圍內的至少3個峰各自的強度為在440cm-1以上且460cm-1以下的范圍內的最強峰的強度的2.7倍以上且3.7倍以下。

5.根據(jù)權利要求3所述的軸承滾珠，其特征在于，關于所述7個以上的峰，在超過830cm-1且1200cm-1以下的范圍內的至少3個峰各自的強度為在440cm-1以上且460cm-1以下的范圍內的最強峰的強度的2.7倍以上且3.7倍以下。

6.根據(jù)權利要求1～權利要求2中任一項所述的軸承滾珠，其特征在于，三點彎曲試驗中的抗彎強度為700mpa以上。

7.根據(jù)權利要求5所述的軸承滾珠，其特征在于，三點彎曲試驗中的抗彎強度為700mpa以上。

8.根據(jù)權利要求1～權利要求2中任一項所述的軸承滾珠，其特征在于，在20μm×20μm的所述區(qū)域中，所述氮化硅結晶粒子的平均粒徑為2μm以下。

9.根據(jù)權利要求7所述的軸承滾珠，其特征在于，在20μm×20μm的所述區(qū)域中，所述氮化硅結晶粒子的平均粒徑為2μm以下。

10.根據(jù)權利要求1～權利要求2中任一項所述的軸承滾珠，其特征在于，在20μm×20μm的所述區(qū)域中，長寬比為2以上的所述氮化硅結晶粒子的面積比為20％以上且70％以下的范圍內。

11.根據(jù)權利要求9所述的軸承滾珠，其特征在于，在20μm×20μm的所述區(qū)域中，長寬比為2以上的所述氮化硅結晶粒子的面積比為20％以上且70％以下的范圍內。

12.一種軸承，其特征在于，其使用了權利要求1～權利要求11中任一項所述的軸承滾珠。

技術總結
實施方式的氮化硅燒結體的特征在于，其具備氮化硅結晶粒子及晶界相，在上述氮化硅燒結體的任意的截面中對20μm×20μm的區(qū)域進行拉曼光譜分析的情況下，在400cm<supgt;?1</supgt;以上且1200cm<supgt;?1</supgt;以下的范圍內檢測到7個以上的峰，上述7個以上的峰的最強峰不在515cm<supgt;?1</supgt;以上且525cm<supgt;?1</supgt;以下的范圍內。此外，上述7個以上的峰中的至少3個優(yōu)選在530cm<supgt;?1</supgt;以上且830cm<supgt;?1</supgt;以下的范圍內。上述7個以上的峰中的至少1個優(yōu)選在440cm<supgt;?1</supgt;以上且460cm<supgt;?1</supgt;以下的范圍內。

技術研發(fā)人員：佐野翔哉,青木克之,船木開,大久保和也
受保護的技術使用者：株式會社東芝
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/4/24