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一種含n取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮及其制備方法

文檔序號:3682952閱讀:387來源:國知局
一種含n取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮及其制備方法
【專利摘要】本發明提供了一種含N取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮(通式為Ι)及其制備方法,所述聚合物的制備方法:以摩爾比為1:1的2-(2'-羥基苯基)苯并咪唑和含酮基的二氟化合物為單體,環丁砜為溶劑,氯苯為除水劑,碳酸鈣為除氟離子劑,在無水碳酸鉀催化條件下,得到含N取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮高分子聚合物。本發明的方法,其合成過程簡單,成本低廉,產品的產率較高。同時,合成的新型聚合物具有優良的綜合性能:(a)良好的熱穩定性,具有較高的玻璃化轉變溫度(Tg>200℃)和熱分解溫度(TD5%>420℃);(b)具有良好的溶解性能;(c)加工方式多樣化,可進行熔融加工成型,也可進行溶液加工。
【專利說明】一種含N取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種含N取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮及其制備方法,更具體地說,本發明涉及一種耐熱可溶性高性能含N取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮及其制備方法的實現。
【背景技術】
[0002]聚芳醚酮是主鏈由醚鍵和酮鍵交替形成的高分子聚合物,具有阻燃、耐輻射、耐熱等級高、介電性能和沖擊性能優異等特點,在航空航天、電子通訊及民用高技術產品等領域有著重要的應用,已成為高分子材料研究領域的一大熱點。
[0003]在聚芳醚酮結構中引入苯并咪唑可增加其玻璃化轉變溫度、熱穩定性、抗張強度、拉伸模量等性能。但目前合成出的含有苯并咪唑基團的聚芳醚酮材料大部分苯并咪唑環上都存在N-H鍵,H原子的存在使該類聚合物在空氣中的穩定性降低,進而影響其耐熱級別。

【發明內容】

[0004]本發明的目的在于提供一種含N取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮高分子材料。
[0005]本發明的另一個目的是提供一種上述聚合物的制備方法。
[0006]本發明的含N取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮(I ):
【權利要求】
1.一種含N取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮(I ):
2.一種含N取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮(I )的制備方法,包括以下步驟: 氮氣氛圍中,依次加入摩爾比為1:1的2- (2’ -羥基苯基)苯并咪唑和含酮基的二氟化合物、碳酸鈣、無水碳酸鉀、環丁砜和氯苯; 加熱升溫至140°C~160°C,保持2h ; 隨后再加熱升溫到180°C~200°C,繼續反應4h ; 繼續加熱升溫至210°C~220°C,反應6h~8h ;然后將體系緩慢冷卻至室溫,反應溶液倒入水中沉淀,用甲醇提取24tT30h ; 提取物在100°C ~120°C條件下真空干燥3tT8h,制得含N取代苯并咪唑基團的聚芳醚酮。`
【文檔編號】C08G65/40GK103554479SQ201310557455
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月12日 優先權日:2013年11月12日
【發明者】徐業偉, 張 林, 崔相旺, 羅炫 申請人:西南科技大學, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心
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