本發明涉及有機硅多孔體及其制造方法。
背景技術：
：關于多孔質結構，可看到許多采用了各種材料及制法的范例，并且其被用于低折射率層等光學構件、絕熱材料、吸音材料、再生醫療用基材等廣泛領域的制品中。對于上述多孔質結構，存在單一的空隙(空孔)分散而成的閉孔(closed-cell)結構、上述閉孔結構緊連而成的開孔(open-cell)結構等以分散狀態表示的定義。此外，也存在以空隙尺寸、或各種多孔質結構的定義。作為制作這種多孔質結構的方法，例如有如下的方法：通過將濕潤凝膠中所含的溶劑在其超臨界條件下與氣體進行置換，而獲得上述濕潤凝膠的骨架結構直接被凍結而成的無收縮的干燥凝膠體(例如參照專利文獻1)。對于該干燥凝膠體，可分為在常壓下逐漸地蒸發除去了凝膠溶劑的干凝膠及具有低松密度和高氣孔率的“如空氣那樣的凝膠”即氣凝膠。一般而言，在制作氣凝膠的塊狀體(bulkbody)時，其課題是在凝膠的干燥時防止在凝膠體上產生龜裂。上述龜裂是在干燥中的凝膠體細孔中殘留的溶液因基于表面張力的毛細管力所引起的拉伸應力大于凝膠的強度時產生的。在超臨界條件下，雖然可通過表面張力消失而獲得無龜裂的塊狀體，但在其后進行高溫的燒結處理作為除去較大細孔的過程時，有時產生龜裂。為了抑制在這種高溫處理時產生龜裂，有使用沸點比水高且表面張力較小的溶劑或混入微粒二氧化硅等例子(非專利文獻1)。另一方面，若形成空隙率高的有機硅多孔體，則存在由于二氧化硅凝膠材料的松密度降低所以強度顯著下降的課題。若強度下降，則有耐擦傷性變低等使用上的問題。對此，以往公開了將有機硅多孔體進行燒成來提高強度的方法(例如參照專利文獻2～5)。然而，為了在燒成處理中長時間進行200℃以上的高溫處理，批次處理成為前提，變得無法在工業上進行連續生產。此外，在進行燒成處理時，二氧化硅凝膠的結晶穩定相一旦從低溫相相變成高溫相后，在燒結結束進行放冷時，有伴隨大的體積變化而產生龜裂的課題。另一方面，公開了通過將二氧化硅氣凝膠膜進行堿性處理而使未反應硅烷醇基進行縮合反應，由此來提高二氧化硅氣凝膠膜的強度(例如參照專利文獻6)。然而，這種情況下，由于相對于已經形成的二氧化硅氣凝膠膜浸漬堿性處理液，所以前提是通過堿性溶液滲透到空隙內部而引起未反應硅烷醇基的脫水縮合反應。所以，二氧化硅氣凝膠膜會溶脹·干燥，使二氧化硅氣凝膠膜的空隙率在進行堿性處理的前后降低。結果是，成為強度與空隙率權衡的關系，存在難以兼顧兩種特性的課題。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2005-154195號公報專利文獻2：日本特開2006-297329號公報專利文獻3：日本特開2006-221144號公報專利文獻4：日本特開2006-011175號公報專利文獻5：日本特開2008-040171號公報專利文獻6：日本特開2009-258711號公報非專利文獻非專利文獻1：t.adachi,j.mater.sci.,22.4407-4410(1987)技術實現要素：發明所要解決的問題于是，本發明的目的是提供例如可在抑制龜裂產生的同時形成空隙率高的多孔結構且也兼具強度的有機硅多孔體及其制造方法。用于解決問題的手段為了達成上述目的，本發明的有機硅多孔體的特征在于：含有硅化合物的微細孔粒子，且上述硅化合物的微細孔粒子彼此介由催化作用而進行了化學鍵合。本發明的有機硅多孔體的制造方法的特征在于，其包含下述工序：制作含有硅化合物的微細孔粒子的液體的工序；在上述液體中添加使上述硅化合物的微細孔粒子彼此進行化學鍵合的催化劑的工序；及使上述微細孔粒子彼此通過催化作用進行化學鍵合的鍵合工序。發明效果本發明的有機硅多孔體使用上述硅化合物的微細孔粒子，通過上述硅化合物的微細孔粒子彼此介由催化作用而進行化學鍵合，從而上述多孔結構被固定化。由此，可提供一種可在抑制龜裂(裂紋)產生的同時形成空隙率高的多孔結構且也兼具強度的有機硅多孔體。附圖說明圖1是示意地表示本發明中在基材10上形成有機硅多孔體20的方法的一個例子的工序截面圖。圖2是示意地表示本發明的有機硅多孔體的制造方法中的工序的一部分及其中使用的裝置一個例子的圖。圖3是示意地表示本發明的有機硅多孔體的制造方法中的工序的一部分及其中使用的裝置的另一個例子的圖。圖4是實施例的有機硅多孔體的截面sem圖像。圖5是實施例的有機硅多孔體中的微細孔粒子的tem圖像。圖6是示意地表示本發明中在基材上形成有機硅多孔體的方法的另一個例子的工序截面圖。圖7是示意地表示本發明的有機硅多孔體的制造方法中的工序的一部分及其中使用的裝置的又另一個例子的圖。圖8是示意地表示本發明的有機硅多孔體的制造方法中的工序的一部分及其中使用的裝置的又另一個例子的圖。圖9是示意地表示本發明中在基材上形成有機硅多孔體的方法的又另一個例子的工序截面圖。圖10是示意地表示本發明的有機硅多孔體的制造方法中的工序的一部分及其中使用的裝置的又另一個例子的圖。圖11是示意地表示本發明的有機硅多孔體的制造方法中的工序的一部分及其中使用的裝置的又另一個例子的圖。具體實施方式本發明的有機硅多孔體是例如其多孔質結構為孔結構連續而成的開孔結構體。本發明的制造方法中，例如上述催化劑是促進硅化合物溶膠彼此的交聯鍵合的催化劑。以下，對于本發明列舉出例子進一步具體說明。但是，本發明不受以下的說明的限定及限制。[1.有機硅多孔體]如上所述，本發明的有機硅多孔體的特征在于，其含有硅化合物的微細孔粒子，且上述硅化合物的微細孔粒子彼此介由催化作用而進行了化學鍵合。另外，在本發明中，“粒子”(例如，上述硅化合物的微細孔粒子等)的形狀沒有特別限定，例如可以為球狀，也可以為非球狀系等。本發明的有機硅多孔體通過上述硅化合物的微細孔粒子彼此介由催化作用進行化學鍵合(例如交聯)而形成三維結構。通過具有這種構成，本發明的有機硅多孔體雖然為具有空隙的結構，但可以同時維持充分的強度及抑制龜裂產生的充分的可撓性。因此，本發明的有機硅多孔體可以作為例如多孔結構的塊狀體或膜體而使用于各種構件。具體而言，本發明的有機硅多孔體例如可以作為低折射率層等光學構件、絕熱材料、吸音材料、再生醫療用基材、結露防止材料、油墨圖像接收材料等使用。本發明的有機硅多孔體例如也根據用途或目的的不同而不同，但特別優選干凝膠。以往，干凝膠雖然強度優異但空隙率低，另一方面，氣凝膠則是空隙率高但強度低。與此相對，本發明的有機硅多孔體兼具高空隙率及強度。即，本發明的有機硅多孔體例如即使是干凝膠，也能夠與氣凝膠同樣地實現高空隙率。此外，在本發明的有機硅多孔體中，上述硅化合物的微細孔粒子優選為凝膠狀硅化合物的粉碎物。通過上述凝膠狀硅化合物的粉碎物，可以形成與未粉碎的凝膠狀硅化合物不同的新的三維結構，且可以形成上述粉碎物彼此的化學鍵合(例如交聯)。由此，本發明的有機硅多孔體可以發揮不同于未粉碎的凝膠狀硅化合物的物性(例如，上述的充分的強度、充分的可撓性等)。此外，在本發明中，上述硅化合物的微細孔粒子例如也可以為溶膠凝膠念珠狀粒子、納米粒子(空心納米二氧化硅·納米球粒子)、納米纖維等。如上所述，本發明的有機硅多孔體含有上述硅化合物的微細孔粒子(優選為凝膠狀硅化合物的粉碎物)，且上述硅化合物的微細孔粒子彼此介由催化作用而進行了化學鍵合。在本發明的有機硅多孔體中，上述硅化合物的微細孔粒子彼此的化學鍵合(化學鍵)的形態沒有特別限制，上述化學鍵的具體例子可列舉出例如交聯鍵等。另外，使上述硅化合物的微細孔粒子彼此進行化學鍵合的方法將在本發明的制造方法中詳述。上述交聯鍵例如為硅氧烷鍵。但是，本發明的化學鍵不限定于硅氧烷結構。上述硅氧烷鍵例如可例示出以下所示的t2的鍵、t3的鍵、t4的鍵。本發明的有機硅多孔體具有上述硅氧烷鍵時，例如可以具有任一種鍵，也可以具有任兩種鍵，還可以具有三種全部的鍵。上述硅氧烷鍵中，t2及t3的比率越多，越富于可撓性，越可以期待凝膠本來的特性，但強度會變得脆弱。另一方面，若上述硅氧烷鍵中的t4比率多，則雖然容易體現出強度，但空隙尺寸會變小，且可撓性變脆。因此，例如，優選根據用途來改變t2、t3、t4比率。本發明的有機硅多孔體具有上述硅氧烷鍵時，t2、t3及t4的比例例如在相對地以“1”表示t2時，t2：t3：t4＝1：[1～100]：[0～50]、1：[1～80]：[0～40]、1：[5～60]：[0～30]。此外，本發明的有機硅多孔體優選例如所含的硅原子進行硅氧烷鍵合。作為具體例子，上述有機硅多孔體中所含的總硅原子中的未鍵合的硅原子(即殘留硅烷醇)的比率例如為低于50％、30％以下、15％以下。上述硅化合物的微細孔粒子沒有特別限定，如上所述優選為凝膠狀硅化合物的粉碎物。上述凝膠狀硅化合物的凝膠形態沒有特別限制。一般而言，“凝膠”是指溶質具有因相互作用失去獨立的運動性而聚集成的結構，且呈現固化的狀態。此外，凝膠中，一般而言，濕凝膠是指含有分散介質且在分散介質中溶質采用一樣的結構的凝膠，干凝膠是指溶劑被除去且溶質采用具有空隙的網眼結構的凝膠。在本發明中，上述凝膠狀硅化合物優選使用例如濕凝膠。本發明的有機硅多孔體具有孔結構，孔的空隙尺寸是指空隙(孔)的長軸的直徑及短軸的直徑中的上述長軸的直徑。優選的空孔尺寸例如為5nm～10cm。對于上述空隙尺寸，其下限例如為5nm以上、10nm以上、20nm以上，其上限例如為10cm以下、1mm以下、1μm以下，其范圍例如為5nm～10cm、10nm～1mm、20nm～1μm。空隙尺寸由于根據使用空隙結構的用途來決定優選的空隙尺寸，所以例如必須根據目的而調整成期望的空隙尺寸。另外，本發明的有機硅多孔體中的孔結構的優選的形態例例如為如后述的實施例中的圖4(截面sem圖像)所示的那樣。但是，圖4為例示，絲毫不限定本發明。此外，空隙尺寸例如可以通過下述方法來評價。(有機硅多孔體的截面sem觀察)在本發明中，有機硅多孔體的形態可以使用sem(掃描型電子顯微鏡)來進行觀察及解析。具體而言，例如可以將形成在樹脂膜上的硅烷醇多孔體樣品在冷卻下進行fib加工(加速電壓：30kv)，對于獲得的截面樣品通過fib-sem(fei公司制：商品名heliosnanolab600、加速電壓：1kv)在觀察倍率100,000倍下獲得截面電子圖像。(空隙尺寸的評價)本發明中，上述空隙尺寸可以通過bet試驗法而定量。具體而言，在比表面積測定裝置(micromeritics公司制：商品名asap2020)的毛細管中投入樣品(本發明的有機硅多孔體)0.1g后，在室溫下進行減壓干燥24小時，將空隙結構內的氣體進行脫氣。然后，通過使氮氣吸附在上述樣品上，繪出吸附等溫線，求出細孔分布。由此可以評價空隙尺寸。本發明的有機硅多孔體例如通過bemcot(注冊商標)得到的耐擦傷性為60～100％。上述耐擦傷性是指例如膜強度等強度。本發明例如由于具有這種強度，所以在各種工藝中的耐擦傷性優異。本發明在例如制膜成上述有機硅多孔體后的卷取及處理制品膜時的生產工藝中具有耐損傷性。此外，本發明的有機硅多孔體例如可以調整膜密度同時提高膜強度。具體而言，可以利用后述加熱工序中的催化反應，使硅化合物的微細孔粒子(優選為二氧化硅溶膠微粒，更優選為將凝膠狀二氧化硅化合物粉碎而得到的二氧化硅溶膠微粒)的硅烷醇基進行交聯反應，來提高上述硅化合物的微細孔粒子彼此的鍵合力。通過調整殘留硅烷醇基的量及交聯反應的平衡，可以控制空孔率同時可以賦予膜強度。由此，本發明的有機硅多孔體可以對例如本來脆弱的空隙結構賦予一定水平的強度。對于上述耐擦傷性，其下限例如為60％以上、80％以上、90％以上，其上限例如為100％以下、99％以下、98％以下，其范圍例如為60～100％、80～99％、90～98％。上述耐擦傷性例如可以通過以下那樣的方法進行測定。(耐擦傷性的評價)(1)將涂裝·成膜于丙烯酸膜上的空隙層(本發明的有機硅多孔體)以直徑為15mm左右的圓狀進行采樣。(2)接著，對于上述樣品以熒光x射線(島津制作所公司制：zsxprimusii)鑒定硅以測定si涂布量(si0)。接著，對于上述丙烯酸膜上的上述空隙層，從上述進行采樣的附近將上述空隙層裁切成50mm×100mm并將其固定在玻璃板(厚度為3mm)上后，通過bemcot(注冊商標)進行滑動試驗。滑動條件設定為砝碼100g、10個往返。(3)通過從結束滑動的上述空隙層與上述(1)同樣地進行采樣及熒光x測定，測定擦傷試驗后的si殘存量(si1)。耐擦傷性以通過bemcot(注冊商標)進行滑動試驗前后的si殘存率(％)定義，可以以下述式表示。耐擦傷性(％)＝[殘存的si量(si1)/si涂布量(si0)]×100(％)本發明的有機硅多孔體例如通過mit試驗得到的耐折次數為100次以上。上述耐折次數例如表示可撓性，可撓性是指例如物質的易變形性。本發明例如由于具有這種可撓性，所以可以抑制上述那樣的龜裂產生，此外，例如在制造時的卷取或使用時等的處理性也優異。關于上述耐折次數，其下限例如為100次以上、500次以上、1000次以上，其上限沒有特別限制，例如為10000次以下，其范圍例如為100～10000次、500～10000次、1000～10000次。上述通過mit試驗得到的耐折次數例如可以通過以下那樣的方法進行測定。(耐折試驗的評價)將上述空隙層(本發明的有機硅多孔體)裁切成20mm×80mm的長條狀后，安裝在mit耐折試驗機(testersangyo公司制：be-202)上，并施加1.0n的載荷。包入上述空隙層的夾頭部使用r2.0mm，耐折次數最多進行10000次，并以上述空隙層斷裂的時間點的次數作為耐折次數。在本發明的有機硅多孔體中，膜密度無特別限制，其下限例如為1g/cm3以上、10g/cm3以上、15g/cm3以上，其上限例如為50g/cm3以下、40g/cm3以下、30g/cm3以下、2.1g/cm3以下，其范圍例如為5～50g/cm3、10～40g/cm3、15～30g/cm3、1～2.1g/cm3。此外，在本發明的有機硅多孔體中，基于上述膜密度的空孔率無特別限制，其下限例如為40％以上、50％以上、70％以上、85％以上，其上限例如為98％以下、95％以下，其范圍例如為40～98％、50～95％、70～95％、85～95％。上述膜密度例如可以通過以下那樣的方法進行測定，空孔率例如可以基于上述膜密度以下述算出。(膜密度、空孔率的評價)在基材(丙烯酸膜)上形成空隙層(本發明的有機硅多孔體)后，對于該層疊體中的上述空隙層使用x射線衍射裝置(rigaku公司制：rint-2000)測定全反射區域的x射線反射率。然后，在進行intensity(強度)與2θ的擬合后，從上述層疊體(空隙層·基材)的全反射臨界角算出膜密度(g/cm3)，進而，通過下式算出空孔率(p％)。空孔率(p％)＝45.48×膜密度(g/cm3)+100(％)本發明的有機硅多孔體只要如上所述具有孔結構(多孔質結構)即可，例如也可以為上述孔結構連續而成的開孔結構體。上述開孔結構體例如是指在上述有機硅多孔體中孔結構以三維相連，也可以說是上述孔結構的內部空隙連續的狀態。多孔體具有開孔結構時，由此可以提高有機硅多孔體中所占的空孔率，但在使用如空心二氧化硅那樣的閉孔粒子時，無法形成開孔結構。相對于此，本發明的有機硅多孔體由于上述硅化合物的微細孔粒子(優選為二氧化硅溶膠微粒，更優選為形成溶膠的凝膠狀硅化合物的粉碎物即二氧化硅溶膠微粒)具有三維的樹狀結構，所以例如在制造過程中可以在涂裝膜(含有上述二氧化硅溶膠微粒的溶膠的涂裝膜)中通過上述樹狀粒子沉降·沉積而容易地形成開孔結構。此外，本發明的有機硅多孔體更優選形成開孔結構具有多個細孔分布的整塊(monolith)結構。上述整塊結構是指例如存在納米尺寸的微細的空隙的結構及作為該納米空隙聚集成的開孔結構存在的分層結構。在形成上述整塊結構時，例如可以以微細的空隙賦予強度，并且以粗大的開孔空隙賦予高空孔率，可以兼顧強度及高空孔率。為了形成這些整塊結構，例如，首先，優選在粉碎成上述二氧化硅溶膠微粒的前階段的凝膠(凝膠狀硅化合物)中控制生成的空隙結構的細孔分布。此外，在粉碎上述凝膠狀硅化合物時，例如通過將粉碎后的二氧化硅溶膠微粒的粒度分布控制在期望的尺寸，可以形成上述整塊結構。在本發明的有機硅多孔體中，表示透明性的霧度無特別限制，其下限例如為0.1％以上、0.2％以上、0.3％以上，其上限例如為30％以下、10％以下、3％以下，其范圍例如為0.1～30％、0.2～10％、0.3～3％。上述霧度例如可以以下述那樣的方法進行測定。(霧度的評價)將空隙層(本發明的有機硅多孔體)裁切成50mm×50mm的尺寸并安裝在霧度計(村上色彩技術研究所公司制：hm-150)上，測定霧度。關于霧度值，可以以下式進行算出。霧度(％)＝[擴散透射率(％)/全光線透射率(％)]×100(％)上述折射率一般是將真空中的光的波面的傳遞速度與在介質內的傳播速度的比稱為該介質的折射率。本發明的有機硅多孔體的折射率無特別限制，其上限例如為1.25以下、1.20以下、1.15以下，其下限例如為1.05以上、1.06以上、1.07以上，其范圍例如為1.05以上～1.25以下、1.06以上～1.20以下、1.07以上～1.15以下。本發明中，只要沒有特別說明，上述折射率是指在波長550nm下測得的折射率。此外，折射率的測定方法沒有特別限定，例如可以通過下述的方法來測定。(折射率的評價)在丙烯酸膜上形成空隙層(本發明的有機硅多孔體)后，裁切成50mm×50mm的尺寸，并將其以粘合層貼合在玻璃板(厚度：3mm)的表面。將上述玻璃板的背面中央部(直徑為20mm左右)以黑色萬能筆涂滿，調制出不會在上述玻璃板背面反射的樣品。將上述樣品安裝在橢偏儀(j.a.woollamjapan公司制：vase)上，在波長500nm且入射角50～80度的條件下測定折射率，并以其平均值作為折射率。本發明的有機硅多孔體的厚度無特別限制，其下限例如為0.01μm以上、0.05μm以上，其上限例如為1m以下、1cm以下、100μm以下，其范圍例如為0.05～100μm。當為膜體時，可以根據用途或要求特性而進行調整，例如在重視透射率的情況下，優選為0.01μm以上且10μm以下；例如在重視絕熱性的情況下，優選為100μm以上且1m以下。上述凝膠狀硅化合物可列舉出例如使單體的硅化合物凝膠化而成的凝膠化物。具體而言，上述凝膠狀硅化合物可列舉出例如上述單體的硅化合物彼此鍵合而成的凝膠化物，作為具體例子，可列舉出上述單體的硅化合物彼此進行氫鍵合或分子間力鍵合而成的凝膠化物。上述鍵合可列舉出例如利用脫水縮合的鍵合。上述凝膠化的方法將在本發明的制造方法中后述。在本發明中，上述單體的硅化合物沒有特別限制。上述單體的硅化合物可列舉出例如下述式(1)所示的化合物。上述凝膠狀硅化合物如上所述是單體的硅化合物彼此進行氫鍵合或分子間力鍵合而成的凝膠化物時，式(1)的單體間例如可以介由各自的羥基而進行氫鍵合。上述式(1)中，例如x為2、3或4，r1為直鏈烷基或支鏈烷基。上述r1的碳數例如為1～6、1～4、1～2。上述直鏈烷基可列舉出例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等，上述支鏈烷基可列舉出例如異丙基、異丁基等。上述x例如為3或4。作為上述式(1)所示的硅化合物的具體例子，可列舉出例如x為3的下述式(1’)所示的化合物。下述式(1’)中，r1與上述式(1)相同，例如為甲基。當r1為甲基時，上述硅化合物為三(羥基)甲基硅烷。當上述x為3時，上述硅化合物例如為具有3個官能團的3官能硅烷。此外，作為上述式(1)所示的硅化合物的具體例子，可列舉出例如x為4的化合物。此時，上述硅化合物例如為具有4個官能團的4官能硅烷。上述單體的硅化合物例如也可以為硅化合物前體的水解物。作為上述硅化合物前體，例如只要是可以通過水解而生成上述硅化合物的物質即可，作為具體例子，可列舉出下述式(2)所示的化合物。上述式(2)中，例如x為2、3或4，r1及r2分別為直鏈烷基或支鏈烷基，r1及r2可以相同也可以不同，r1在x為2時，彼此可以相同也可以不同，r2彼此可以相同也可以不同。上述x及r1例如與上述式(1)中的x及r1相同。此外，上述r2例如可以援引式(1)中的r1的例示。作為上述式(2)所示的硅化合物前體的具體例子，可列舉出例如x為3的下述式(2’)所示的化合物。下述式(2’)中，r1及r2分別與上述式(2)相同。當r1及r2為甲基時，上述硅化合物前體為三甲氧基(甲基)硅烷(以下也稱為“mtms”)。上述單體的硅化合物無特別限制，例如可以根據本發明的有機硅多孔體的用途而適當選擇。在本發明的有機硅多孔體中，例如在重視低折射率性的情況下，從低折射率性優異的方面出發，上述單體的硅化合物優選為上述3官能硅烷；此外，在重視強度(例如耐擦傷性)的情況下，從耐擦傷性優異的方面出發，上述單體的硅化合物優選為上述4官能硅烷。另一方面，在想要賦予柔軟性時，從可撓性優異的方面出發，優選為上述2官能硅烷。此外，成為上述凝膠狀硅化合物的原料的上述單體的硅化合物例如可以僅使用一種，也可以將兩種以上并用。作為具體例子，作為上述單體的硅化合物，例如可以僅含有上述3官能硅烷，也可以僅含有上述4官能硅烷，還可以含有上述3官能硅烷及上述4官能硅烷這兩者，進而，也可以含有其它的硅化合物。使用兩種以上的硅化合物作為上述單體的硅化合物時，其比率沒有特別限制，可以適當設定。在本發明的有機硅多孔體中，表示上述硅化合物的微細孔粒子(優選為凝膠狀二氧化硅化合物的粉碎物)的粒度不均的體積平均粒徑無特別限制，其下限例如為0.05μm以上、0.10μm以上、0.20μm以上，其上限例如為2.00μm以下、1.50μm以下、1.00μm以下，其范圍例如為0.05μm～2.00μm、0.10μm～1.50μm、0.20μm～1.00μm。上述粒度分布例如可以通過光離心沉降法、動態光散射法、激光衍射法等粒度分布評價裝置、及掃描型電子顯微鏡(sem)、透射型電子顯微鏡(tem)等電子顯微鏡等進行測定，但不受這些方法的限定。此外，本發明中，上述硅化合物的微細孔粒子可以為定形也可以為不定形。此外，上述硅化合物的微細孔粒子優選每一個粒子具有單一或多個微細孔。本發明中，上述硅化合物的微細孔粒子的優選的形態例如如后述的實施例的圖5(tem圖像)所示。但是，圖5為例示，絲毫不限定本發明。此外，本發明中，上述硅化合物的微細孔粒子的tem圖像例如可以通過以下的方法來觀察。(微細孔粒子的tem觀察)本發明中，硅化合物的微細孔粒子的形態可以利用tem(透射型電子顯微鏡)進行觀察及解析。具體而言，將上述硅化合物的微細孔粒子的分散液稀釋成適度的濃度，進而使其分散在碳支撐體上并干燥而獲得微細孔粒子樣品。然后，將該樣品通過tem(日立制作所公司制、商品名h-7650、加速電壓：100kv)在觀察倍率100,000倍下獲得電子圖像。此外，表示上述硅化合物的微細孔粒子的粒度不均的粒度分布沒有特別限制，例如粒徑為0.4μm～1μm的粒子為50～99.9重量％、80～99.8重量％、90～99.7重量％，或者粒徑為1μm～2μm的粒子為0.1～50重量％、0.2～20重量％、0.3～10重量％。上述粒度分布例如可以通過粒度分布評價裝置或電子顯微鏡而進行測定。本發明的有機硅多孔體例如也可以含有用于使上述硅化合物的微細孔粒子彼此進行化學鍵合的催化劑。上述催化劑的含有率沒有特別限定，相對于上述硅化合物的微細孔粒子的重量，例如為0.01～20重量％、0.05～10重量％、或0.1～5重量％。此外，本發明的有機硅多孔體例如也可以進一步含有用于使上述硅化合物的微細孔粒子彼此間接鍵合的交聯輔助劑。上述交聯輔助劑的含有率沒有特別限定，例如相對于上述硅化合物的微細孔粒子的重量，為0.01～20重量％、0.05～15重量％、或0.1～10重量％。本發明的有機硅多孔體的形態無特別限制，例如可以為膜形狀，也可以為塊狀體等。本發明的有機硅多孔體的制造方法沒有特別限制，例如可以通過以下所示的本發明的制造方法來制造。[2.有機硅多孔體的制造方法]如上所述，本發明的有機硅多孔體的制造方法的特征在于，其包含下述工序：制作含有硅化合物的微細孔粒子的液體的工序；在上述液體中添加使上述微細孔粒子彼此進行化學鍵合的催化劑的工序；及使上述微細孔粒子彼此通過催化作用進行化學鍵合的鍵合工序。上述含有硅化合物的微細孔粒子的液體沒有特別限定，例如為含有上述硅化合物的微細孔粒子的懸浮液。另外，如上所述，上述硅化合物的微細孔粒子優選為凝膠狀二氧化硅化合物的粉碎物。以下，主要對于上述硅化合物的微細孔粒子為凝膠狀二氧化硅化合物的粉碎物(以下，有時簡稱為“粉碎物”)的情況進行說明。但是，本發明的有機硅多孔體的制造方法即使使用凝膠狀二氧化硅化合物的粉碎物以外的微粒作為上述硅化合物的微細孔粒子，也可以同樣地進行。此外，除了使用上述涂裝液以外，例如也可以采用氣溶膠沉積法(ad法)等在干燥環境下在基材上制造有機硅多孔體。根據本發明的制造方法，可以形成可以在抑制龜裂的產生的同時形成空隙率高的多孔結構、并且兼具充分強度的有機硅多孔體。其理由例如推測如下，但本發明不限制于該推測。本發明的制造方法中使用的上述粉碎物由于是將上述凝膠狀硅化合物粉碎而成的，因此上述粉碎前的凝膠狀硅化合物的三維結構變成被分散為三維基本結構的狀態。而且，在本發明的制造方法中，使用含有上述凝膠狀硅化合物的粉碎物的溶膠來沉積上述三維基本結構，而形成有基于上述三維基本結構的多孔結構。即，根據本發明的制造方法，可以形成與上述凝膠狀硅化合物的三維結構不同的由上述三維基本結構的上述粉碎物形成的新型多孔結構。此外，在本發明的制造方法中，為了進一步使上述粉碎物彼此進行化學鍵合，將上述新型三維結構固定化。因此，通過本發明的制造方法得到的上述有機硅多孔體雖然為具有空隙的結構，但可以維持抑制龜裂的產生且兼具充分強度的效果。根據本發明的制造方法，例如可以將上述有機硅多孔體制造成單體的塊狀體，或可以將上述有機硅多孔體形成為針對各種對象物的附加構件。通過本發明得到的有機硅多孔體例如可以作為利用空隙的構件而用于低折射率層等光學構件、絕熱材料、吸音材料、再生醫療用基材、結露防止材料、油墨圖像接收材料等廣泛領域的制品中，此外也可以用于制作賦予了各種功能的層疊膜。本發明的制造方法只要沒有特別記載，可以援引上述本發明的有機硅多孔體的說明。本發明例如根據用途及目的可以利用于任何的凝膠的制造，但特別是在干凝膠的制造中是有效的。此外，如上所述，根據本發明的有機硅多孔體，例如即使是干凝膠，也可以與氣凝膠同樣地實現高空隙率。在本發明的制造方法中，上述凝膠狀硅化合物及其粉碎物、上述單體的硅化合物及硅化合物前體都可以援引上述本發明的有機硅多孔體的說明。本發明的制造方法如上所述具有制作含有上述硅化合物的微細孔粒子的液體(優選為含有上述凝膠狀硅化合物的粉碎物的溶膠)的工序。上述粉碎物例如可以將上述凝膠狀硅化合物粉碎而得到。如上所述，通過粉碎上述凝膠狀硅化合物，上述凝膠狀硅化合物的三維結構被破壞而分散成三維基本結構。以下，對于上述硅化合物的利用凝膠化的上述凝膠狀硅化合物的生成、上述凝膠狀硅化合物的利用粉碎的粉碎物的調制進行說明，但本發明并不限制于以下的例示。上述硅化合物的凝膠化例如可以通過使上述單體的硅化合物彼此進行氫鍵合或分子間力鍵合來進行。上述單體的硅化合物可列舉出例如上述本發明的有機硅多孔體中敘述過的上述式(1)所示的硅化合物。上述式(1)的硅化合物由于具有羥基，因此上述式(1)的單體間例如可以介由各自的羥基進行氫鍵合或分子間力鍵合。此外，上述硅化合物如上所述也可以為上述硅化合物前體的水解物，例如也可以將上述本發明的有機硅多孔體中敘述過的上述式(2)所示的硅化合物前體進行水解而生成。上述硅化合物前體的水解的方法無特別限制，例如可以通過催化劑存在下的化學反應而進行。作為上述催化劑，可列舉出例如草酸、乙酸等酸等。上述水解反應例如可以將草酸的水溶液在室溫環境下緩慢地滴加混合至上述硅化合物與二甲基亞砜的混合液(例如懸浮液)中后，在此狀態下攪拌30分鐘左右來進行。在水解上述硅化合物前體時，例如可以通過將上述硅化合物前體的烷氧基完全水解，從而進一步高效地體現出其后的凝膠化·熟化·空隙結構形成后的加熱·固定化。上述單體的硅化合物的凝膠化例如可以通過上述單體間的脫水縮合反應而進行。上述脫水縮合反應例如優選在催化劑存在下進行，作為上述催化劑，可列舉出例如鹽酸、草酸、硫酸等酸催化劑、及氨、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨等堿性催化劑等脫水縮合催化劑。上述脫水縮合催化劑特別優選為堿性催化劑。在上述脫水縮合反應中，上述催化劑相對于上述單體的硅化合物的添加量沒有特別限制，相對于上述單體的硅化合物1摩爾，催化劑例如為0.1～10摩爾、0.05～7摩爾、0.1～5摩爾。上述單體的硅化合物的凝膠化例如優選在溶劑中進行。上述溶劑中的上述硅化合物的比例沒有特別限制。上述溶劑可列舉出例如二甲基亞砜(dmso)、n-甲基吡咯烷酮(nmp)、n,n-二甲基乙酰胺(dmac)、二甲基甲酰胺(dmf)、γ-丁內酯(gbl)、乙腈(mecn)、乙二醇乙基醚(egee)等。上述溶劑例如可以為1種，也可以將2種以上并用。將上述凝膠化中使用的溶劑以下也稱為“凝膠化用溶劑”。上述凝膠化的條件沒有特別限制。相對于含有上述硅化合物的上述溶劑的處理溫度例如為20～30℃、22～28℃、24～26℃，處理時間例如為1～60分鐘、5～40分鐘、10～30分鐘。在進行上述脫水縮合反應時，其處理條件沒有特別限制，可以援引這些例示。通過進行上述凝膠化，例如可以使硅氧烷鍵生長而形成二氧化硅一次粒子，進一步通過反應而進展，使上述一次粒子彼此連接成念珠狀而生成三維結構的凝膠。通過上述凝膠化獲得的上述凝膠狀硅化合物優選在凝膠化反應后實施熟化處理。通過上述熟化處理，例如使通過凝膠化獲得的具有三維結構的凝膠的一次粒子進一步生長，可以增大粒子自身的尺寸，結果是可以使粒子彼此接觸的頸部的接觸狀態從點接觸擴增到面接觸。進行了上述那樣的熟化處理的凝膠例如凝膠自身的強度會增加，結果是可以提高進行粉碎后的三維基本結構的強度。由此，例如在涂裝上述粉碎物后的干燥工序中，可以抑制上述三維基本結構沉積而成的空隙結構的細孔尺寸伴隨干燥過程的溶劑揮發而收縮。上述熟化處理例如可以通過在規定的溫度且規定的時間內，培養上述凝膠狀硅化合物而進行。上述規定的溫度無特別限制，其下限例如為30℃以上、35℃以上、40℃以上，其上限例如為80℃以下、75℃以下、70℃以下，其范圍例如為30～80℃、35～75℃、40～70℃。上述規定的時間無特別限制，其下限例如為5小時以上、10小時以上、15小時以上，其上限例如為50小時以下、40小時以下、30小時以下，其范圍例如為5～50小時、10～40小時、15～30小時。另外，關于熟化的最佳條件，條件的主要目的例如在于取得上述二氧化硅一次粒子尺寸的增大及頸部的接觸面積的增大。進而，優選考慮使用的溶劑的沸點，例如若熟化溫度過高，則溶劑就會過度揮發，有可能產生因涂裝液(凝膠液)濃度的濃縮使三維空隙結構的細孔閉口等不良情況。另一方面，例如在熟化溫度過低時，不僅無法充分獲得由上述熟化帶來的效果，而且量產工藝的經時的溫度不均增大，有可能形成質量差的制品。上述熟化處理例如可以使用與上述凝膠化處理相同的溶劑，具體而言，優選對上述凝膠處理后的反應物(即，含有上述凝膠狀硅的上述溶劑)直接實施。結束凝膠化后的熟化處理的上述凝膠(上述凝膠狀硅化合物)中所含的殘留硅烷醇基的摩爾數例如是設所添加的原材料(例如上述硅化合物前體)的烷氧基的摩爾數為100時的殘留硅烷醇基的比率，其上限例如為50％以下、40％以下、30％以下，其下限例如為1％以上、3％以上、5％以上，其范圍例如為1～50％、3～40％、5～30％。為了提高凝膠的硬度，例如殘留硅烷醇基的摩爾數越低越優選。若硅烷醇基的摩爾數過高，則例如有可能無法將空隙結構保持到使有機硅多孔體的前體進行交聯為止。另一方面，若硅烷醇基的摩爾數過低，則例如有可能在鍵合工序中無法將有機硅多孔體的前體交聯，無法賦予充分的強度。另外，上述為硅烷醇基的例子，例如在將單體的硅化合物以各種反應性官能團修飾過的情況下，對于各官能團也可以適用相同的現象。使上述單體的硅化合物在上述凝膠化用溶劑中凝膠化后，將所得到的凝膠狀硅化合物粉碎。上述粉碎例如可以對上述凝膠化用溶劑中的凝膠狀硅化合物直接實施粉碎處理，也可以將上述凝膠化用溶劑置換成其它的溶劑后，對上述其它溶劑中的凝膠狀硅化合物實施粉碎處理。此外，例如，由于在凝膠化反應中所用的催化劑及所用的溶劑在熟化工序后也會殘存，所以在產生液體的經時凝膠化(適用期(potlife))、干燥工序時的干燥效率降低時，優選置換成其它溶劑。將上述其它溶劑以下也稱為“粉碎用溶劑”。上述粉碎用溶劑無特別限制，例如可以使用有機溶劑。上述有機溶劑可列舉出例如沸點為130℃以下、沸點為100℃以下、沸點為85℃以下的溶劑。作為具體例子，可列舉出例如異丙醇(ipa)、乙醇、甲醇、丁醇、丙二醇單甲基醚(pgme)、甲基溶纖劑、丙酮、二甲基甲酰胺(dmf)等。上述粉碎用溶劑例如可以為1種，也可以為2種以上的并用。上述凝膠化用溶劑與上述粉碎用溶劑的組合無特別限制，可列舉出例如dmso與ipa的組合、dmso與乙醇的組合、dmso與甲醇的組合、dmso與丁醇的組合等。像這樣，通過將上述凝膠化用溶劑置換成上述粉碎用溶劑，例如可以在后述的涂膜形成中形成更均勻的涂裝膜。上述凝膠狀硅化合物的粉碎方法沒有特別限制，但優選使用高壓無介質粉碎裝置。例如，可以通過超聲波均質機、高速旋轉均質機、高壓擠出粉碎裝置、其它利用氣蝕現象的濕式無介質粉碎裝置或以高壓使液體彼此斜向沖擊的粉碎裝置等來進行。球磨機等進行介質粉碎的裝置例如在粉碎時以物理方式破壞凝膠的空隙結構，與此相對，均質機等本發明中優選的氣蝕方式粉碎裝置通過無介質方式，在不會伴隨介質的物理性破壞現象的情況下，以高壓·高速的剪切力將已經內包于凝膠三維結構中的鍵合比較弱的二氧化硅溶膠粒子接合面剝離。由此，獲得的溶膠三維結構例如可以保持在亞微米區域具有一定范圍的粒度分布的空隙結構，可以通過涂裝·干燥時的沉積而再形成空隙結構。上述粉碎的條件無特別限制，例如優選通過瞬間賦予高速的流動，在不使溶劑揮發的情況下將凝膠粉碎。例如，優選按照成為如上所述的粒度不均(例如體積平均粒徑或粒度分布)的粉碎物的方式進行粉碎。假設當粉碎時間·強度等作功量不足時，例如不僅會殘留粗粒而無法形成致密的細孔，而且還有可能外觀缺點也增加，無法獲得高品質。另一方面，當作功量過多時，例如有可能會成為比期望的粒度分布更微細的溶膠粒子，使涂裝·干燥后沉積而成的空隙尺寸變得微細，而無法滿足期望的空孔率。按照上述可以制作含有上述微細孔粒子(凝膠狀硅化合物的粉碎物)的液體(例如懸浮液)。進而，可以在制作了含有上述微細孔粒子的液體后或在制作工序中，通過添加使上述微細孔粒子彼此進行化學鍵合的催化劑來制作含有上述微細孔粒子及上述催化劑的含有液。上述催化劑的添加量沒有特別限定，相對于上述微細孔粒子(凝膠狀硅化合物的粉碎物)的重量，例如為0.01～20重量％、0.05～10重量％、或0.1～5重量％。通過該催化劑，例如可以在后述的鍵合工序中使上述微細孔粒子彼此進行化學鍵合。上述催化劑也可以為例如促進上述微細孔粒子彼此的交聯鍵合的催化劑。作為使上述微細孔粒子彼此進行化學鍵合的化學反應，優選利用二氧化硅溶膠分子中所含的殘留硅烷醇基的脫水縮合反應。通過以上述催化劑促進硅烷醇基的羥基彼此的反應，能夠實現在短時間內使空隙結構固化的連續成膜。作為上述催化劑，可列舉出例如光活性催化劑及熱活性催化劑。根據上述光活性催化劑，例如不用加熱就可以使上述微細孔粒子彼此進行化學鍵合(例如交聯鍵合)。由此，例如由于不易因加熱而產生收縮，所以可以維持更高的空隙率。此外，除了上述催化劑以外，或者也可以使用可以產生催化劑的物質(催化劑產生劑)來取而代之。例如，也可以為：上述催化劑是交聯反應促進劑，而上述催化劑產生劑是產生上述交聯反應促進劑的物質。例如，除了上述光活性催化劑以外，或者也可以使用通過光產生催化劑的物質(光催化劑產生劑)來取而代之；除了上述熱活性催化劑以外，或者也可以使用通過熱產生催化劑的物質(熱催化劑產生劑)來取而代之。作為上述光催化劑產生劑，沒有特別限定，可列舉出例如光產堿劑(通過光照射產生堿性催化劑的催化劑)、光產酸劑(通過光照射產生酸性催化劑的物質)等，優選為光堿劑。作為上述光產堿劑，可列舉出例如：9-蒽基甲基n,n-二乙基氨基甲酸酯(9-anthrylmethyln,n-diethylcarbamate、商品名wpbg-018)、(e)-1-[3-(2-羥苯基)-2-丙烯酰基]哌啶((e)-1-[3-(2-hydroxyphenyl)-2-propenoyl]piperidine、商品名wpbg-027)、1-(蒽醌-2-基)乙基咪唑羧酸酯(1-(anthraquinon-2-yl)ethylimidazolecarboxylate、商品名wpbg-140)、2-硝基苯基甲基4-甲基丙烯酰氧基哌啶-1-羧酸酯(商品名wpbg-165)、1,2-二異丙基-3-[雙(二甲基氨基)亞甲基]胍鎓2-(3-苯甲酰苯基)丙酸酯(商品名wpbg-266)、1,2-二環己基-4,4,5,5-四甲基雙胍鎓正丁基三苯基硼酸酯(商品名wpbg-300)、及2-(9-氧雜蒽-2-基)丙酸1,5,7-三氮雜雙環[4.4.0]癸-5-烯(東京化成工業株式會社)、含4-哌啶甲醇的化合物(商品名hdpd-pb100：heraeus公司制)等。另外，上述含有“wpbg”的商品名均為和光純藥工業株式會社的商品名。作為上述光產酸劑，可列舉出例如芳香族锍鹽(商品名sp-170：adeka公司)、三芳基锍鹽(商品名cpi101a：san-apro公司)、芳香族碘鎓鹽(商品名irgacure250：cibajapan公司)等。此外，使上述微細孔粒子彼此進行化學鍵合的催化劑不限定于上述光活性催化劑及上述光催化劑產生劑，例如也可以為熱活性催化劑或脲那樣的熱催化劑產生劑。使上述微細孔粒子彼此進行化學鍵合的催化劑可列舉出例如氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨等堿性催化劑、鹽酸、乙酸、草酸等酸催化劑等。它們中，優選為堿性催化劑。使上述微細孔粒子彼此進行化學鍵合的催化劑例如可以在即將進行涂裝前添加到含有上述粉碎物(微細孔粒子)的溶膠粒子液(例如懸浮液)中使用，或可以作為將上述催化劑混合至溶劑中而得到的混合液來使用。上述混合液例如可以為：直接添加溶解在上述溶膠粒子液中而得到的涂裝液、使上述催化劑溶解在溶劑中而得到的溶液、或使上述催化劑分散在溶劑中而得到的分散液。上述溶劑無特別限制，可列舉出例如各種有機溶劑、水、緩沖液等。此外，例如當上述硅化合物的微細孔粒子為由至少含有3官能以下的飽和鍵官能團的硅化合物得到的凝膠狀硅化合物的粉碎物時，也可以在制作了含有上述硅化合物的微細孔粒子的液體后或在制作工序中進一步添加用于使上述硅化合物的微細孔粒子彼此間接鍵合的交聯輔助劑。該交聯輔助劑通過進入粒子彼此之間，粒子與交聯輔助劑各自進行相互作用或鍵合，能夠使距離上稍分離的粒子彼此也得以鍵合，能夠高效地提高強度。作為上述交聯輔助劑，優選為多交聯硅烷單體。上述多交聯硅烷單體具體而言具有例如2個以上且3個以下的烷氧基甲硅烷基，且烷氧基甲硅烷基間的鏈長可以為碳數1以上且10以下，并可以含有除碳以外的元素。作為上述交聯輔助劑，可列舉出例如：雙(三甲氧基甲硅烷基)乙烷、雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、雙(三甲氧基甲硅烷基)甲烷、雙(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、雙(三乙氧基甲硅烷基)丙烷、雙(三甲氧基甲硅烷基)丙烷、雙(三乙氧基甲硅烷基)丁烷、雙(三甲氧基甲硅烷基)丁烷、雙(三乙氧基甲硅烷基)戊烷、雙(三甲氧基甲硅烷基)戊烷、雙(三乙氧基甲硅烷基)己烷、雙(三甲氧基甲硅烷基)己烷、雙(三甲氧基甲硅烷基)-n-丁基-n-丙基-乙烷-1,2-二胺、三-(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)異氰脲酸酯、三-(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)異氰脲酸酯等。作為該交聯輔助劑的添加量，沒有特別限定，例如相對于上述硅化合物的微細孔粒子的重量為0.01～20重量％、0.05～15重量％、或0.1～10重量％。上述有機硅多孔體例如可以通過使用含有上述硅化合物的微細孔粒子的液體(優選為含有上述凝膠狀硅化合物的粉碎物的溶膠)形成涂裝膜而形成。上述硅化合物的微細孔粒子的涂裝例如可以使用后述的各種涂裝方式，此外，并不限定于這些。此外，通過將含有上述粉碎物的溶劑直接涂裝在上述基材上，可以形成上述涂裝膜。此外，上述多孔體前體即后述的鍵合工序前的上述涂裝膜例如也可以稱為相對于上述本發明的有機硅多孔體的前體膜(或前體層)。通過形成上述涂裝膜，例如可以通過上述三維結構被破壞的上述粉碎物沉降·沉積而構建出新的三維結構。上述溶劑(以下也稱為“涂裝用溶劑”)無特別限制，例如可以使用有機溶劑。上述有機溶劑可列舉出例如沸點為130℃以下的溶劑。作為具體例子，可列舉出例如ipa、乙醇、甲醇、丁醇等，此外，可以使用與上述粉碎用溶劑相同的溶劑。本發明包含粉碎上述凝膠狀硅化合物的工序時，在上述涂裝膜的形成工序中，例如可以直接使用含有上述凝膠狀硅化合物的粉碎物的上述粉碎用溶劑。在上述涂裝膜的形成工序中，例如優選將已分散在上述溶劑中的溶膠狀的上述硅化合物的微細孔粒子(以下也稱為“溶膠粒子液”)涂裝在上述基材上。本發明的溶膠粒子液例如可以在涂裝到基材上并經干燥后，通過鍵合工序進行化學交聯而連續成膜出具有一定水平以上的強度的空隙層。另外，本發明中的“溶膠”是指通過將凝膠的三維結構進行粉碎，使保持空隙結構一部分的納米三維結構的二氧化硅溶膠粒子分散在溶劑中并顯示流動性的狀態。上述硅化合物的微細孔粒子在上述溶劑中的濃度沒有特別限制，例如為0.3～80％(v/v)、0.5～40％(v/v)、1.0～10％(v/v)。若上述粉碎物的濃度過高，則例如上述溶膠粒子液的流動性有可能會顯著降低而產生涂裝時的凝聚物·涂裝條紋。另一方面，若上述硅化合物的微細孔粒子濃度過低，則例如不僅上述溶膠粒子液的溶劑的干燥需要耗費相當的時間，而且由于剛干燥后的殘留溶劑也會增高，因而有可能空孔率降低。上述溶膠粒子液的物性沒有特別限制。上述溶膠粒子液的剪切粘度例如在10001/s的剪切速度下，例如為粘度100cpa·s以下、粘度10cpa·s以下、粘度1cpa·s以下。若剪切粘度過高，則例如有可能會產生涂裝條紋，而見到凹版涂裝的轉印率的降低等不良情況。相反，在剪切粘度過低時，例如有可能無法加厚涂裝時的濕式涂布厚度而無法在干燥后獲得期望的厚度。上述硅化合物的微細孔粒子相對于上述基材的涂裝量無特別限制，例如可以根據期望的上述有機硅多孔體的厚度等而適當設定。作為具體例子，在形成厚度為0.1～1000μm的上述有機硅多孔體時，上述粉碎物相對于上述基材的涂裝量在上述基材的每1m2面積例如為0.01～60000g、0.1～5000g、1～50g。上述溶膠粒子液的優選的涂裝量由于與例如液體濃度或涂裝方式等相關，所以難以作單一定義，若考慮生產率，則優選盡可能以薄層進行涂裝。若涂布量過多，則例如在溶劑揮發前在干燥爐中被干燥的可能性會提高。由此，納米粉碎溶膠粒子在溶劑中沉降·沉積而形成空隙結構之前，有可能因溶劑干燥而阻礙空隙的形成，使空孔率大幅降低。另一方面，若涂布量過薄，則因基材的凹凸·親疏水性的不均等，產生涂裝凹陷的風險有可能變高。將上述粉碎物涂裝在上述基材上以后，也可以對上述涂裝膜實施干燥處理。本發明的干燥處理溫度的特征在于可以從較低的溫度開始處理，適合短時間的連續生產。通過上述干燥處理，例如不僅可以除去上述涂裝膜中的上述溶劑(上述溶膠粒子液中所含的溶劑)，目的還在于在干燥處理中使溶膠粒子沉降·沉積，以形成空隙結構。上述干燥處理的溫度例如為50～200℃、60～150℃、70～130℃，上述干燥處理的時間例如為0.1～30分鐘、0.2～10分鐘、0.3～3分鐘。關于干燥處理溫度及時間，例如在連續生產率或顯現高空孔率的關聯下，優選更低溫度且更短時間。若條件過于嚴格，則例如在基材為樹脂膜的情況下，因接近上述基材的玻璃化轉變溫度，上述基材會在干燥爐中伸展而有可能在剛涂裝后在所形成的空隙結構中產生裂紋等缺點。另一方面，在條件過于寬松時，例如由于在離開干燥爐的時刻含有殘留溶劑，所以在下一工序中與輥摩擦時有可能發生有刮傷等外觀上的不良。另一方面，上述干燥處理例如可以為自然干燥，可以為加熱干燥，也可以為減壓干燥。上述干燥方法無特別限制，例如可以使用一般的加熱機構。上述加熱機構可列舉出例如熱風器、加熱輥、遠紅外線加熱器等。其中，在以工業上連續生產為前提的情況下，優選使用加熱干燥。此外，關于所使用的溶劑，為了抑制干燥時伴隨溶劑揮發而產生的收縮應力以及由其產生的空隙層(上述有機硅多孔體)的裂紋現象，優選表面張力低的溶劑。作為上述溶劑，可列舉出例如以異丙醇(ipa)為代表的低級醇、己烷、全氟己烷等，但并不限定于這些。可以根據目標硅烷醇多孔體的厚度、溶劑種類而變更干燥處理溫度·時間。上述基材無特別限制，可以根據目標硅烷醇多孔體的構成，分開制作不使用基材的多孔體或形成于基材上的多孔體。例如，可以優選使用：熱塑性樹脂制的基材、玻璃制的基材、以硅為代表的無機基板、以熱固化性樹脂等成形的塑料、半導體等元件、以碳納米管為代表的碳纖維系材料等，但并不限定于這些。上述基材的形態可列舉出膜、板等。上述熱塑性樹脂可列舉出例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、丙烯酸、乙酸丙酸纖維素(cap)、環烯烴聚合物(cop)、三乙酸酯(tac)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)等透明性高的基材。在本發明的制造方法中，上述鍵合工序是使上述涂裝膜中所含的上述硅化合物的微細孔粒子彼此進行化學鍵合的工序，濕式處理及干式處理中的任一者均可以優選進行處理。通過上述鍵合工序，例如可以使上述多孔體的前體中的上述硅化合物的微細孔粒子的三維結構固定化。在利用以往的燒結進行固定化時，例如通過進行200℃以上的高溫處理來誘發硅烷醇基的脫水縮合、硅氧烷鍵的形成。在本發明的上述鍵合工序中，通過使催化上述脫水縮合反應的各種添加劑進行反應，例如當基材為樹脂膜時，不會在上述基材上產生損傷，可以在100℃左右的較低的熱風干燥溫度及低于數分鐘的短暫處理時間內進行濕式處理。此外，也可以在上述干燥工序后進行紫外線照射，通過光催化反應以短時間的干式處理進行鍵合反應，可以連續地形成空隙結構并進行固定化。濕式處理由于是在形成上述涂裝膜的同時引起交聯反應，因此具有僅以熱風干燥工序就可以進行處理的優點，但是另一方面，由于在形成空隙結構時并行地引起交聯反應，所以具有阻礙高空隙率的形成的缺點。此外，即使是一度形成空隙結構后通過浸漬催化劑溶液而引起鍵合反應的情況，也設想會有同樣的現象。與此相對，干式處理由于是在形成硅烷醇前體的高空隙結構后再引起交聯反應的2階段反應，因此具有不易阻礙高空隙結構的形成的優點。優選根據目的而分開采用濕式處理及干式處理。上述進行化學鍵合的方法沒有特別限制，例如可以根據上述凝膠狀硅化合物的種類而適當決定。作為具體例子，上述化學鍵合例如可以通過上述硅化合物的微細孔粒子彼此的化學交聯鍵合來進行，此外，例如在將氧化鈦等無機粒子等添加到上述硅化合物的微細孔粒子中的情況下，還認為會使上述無機粒子及上述硅化合物的微細孔粒子進行化學交聯鍵合。此外，在擔載酶等生物催化劑的情況下，也有可能使與催化劑活性點不同的部位與上述粉碎物進行化學交聯鍵合。因此，認為本發明不僅是例如以上述溶膠粒子彼此形成的空隙層(有機硅多孔體)，也可以擴展應用于有機無機混成空隙層、主客(host-guest)空隙層等，但并不限定于這些。上述鍵合工序例如可以根據上述硅化合物的微細孔粒子的種類，通過催化劑存在下的化學反應來進行。作為本發明中的化學反應，優選利用二氧化硅溶膠分子中所含的殘留硅烷醇基的脫水縮合反應。通過以上述催化劑促進硅烷醇基的羥基彼此的反應，可以實現在短時間內使空隙結構固化的連續成膜。但是，也可以使用將其它的反應性官能團進行有機修飾過的硅單體材料作為二氧化硅凝膠原料使用，在鍵合工序中進行反應的官能團并非限定于硅烷醇基。作為上述催化劑，可列舉出例如氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨等堿性催化劑、鹽酸、乙酸、草酸等酸催化劑等，但并不限定于這些。上述脫水縮合反應的催化劑特別優選為堿性催化劑。此外，也可以優選使用通過照射光(例如紫外線)來體現催化劑活性的光產酸催化劑、光產堿催化劑、光產酸劑、光產堿劑等。作為光產酸催化劑、光產堿催化劑、光產酸劑及光產堿劑，沒有特別限定，例如如上所述。上述催化劑例如如上所述優選為：在即將涂裝前添加到含有上述粉碎物的溶膠粒子液中使用或作為使上述催化劑混合到溶劑中而得到的混合液來使用。上述混合液例如可以為：直接添加溶解到上述溶膠粒子液中而得到的涂裝液、使上述催化劑溶解到溶劑中而得到的溶液、使上述催化劑分散到溶劑中而得到的分散液。上述溶劑如上所述沒有特別限制，可列舉出例如各種有機溶劑、水、緩沖液等。上述催化劑存在下的化學反應例如可以通過下述進行：對含有事先添加到上述溶膠粒子液中的上述催化劑的上述涂裝膜進行光照射或加熱；或對上述涂裝膜噴附上述催化劑后進行光照射或加熱；或在噴附上述催化劑的同時進行光照射或加熱。例如當上述催化劑為光活性催化劑時，通過光照射可以使上述微細孔粒子彼此進行化學鍵合而形成上述多孔體。此外，當上述催化劑為熱活性催化劑時，通過加熱可以使上述微細孔粒子彼此進行化學鍵合而形成上述多孔體。上述光照射中的累積光量沒有特別限定，以＠360nm換算計例如為200～800mj/cm2、250～600mj/cm2、或300～400mj/cm2。從防止照射量不足使利用催化劑的光吸收的分解無法進展而效果變得不充分的觀點出發，200mj/cm2以上的累積光量較佳。此外，從防止空隙層下的基材受到損傷而產生熱皺褶的觀點出發，800mj/cm2以下的累積光量較佳。上述加熱處理的條件無特別限制，上述加熱溫度例如為50～250℃、60～150℃、70～130℃，上述加熱時間例如為0.1～30分鐘、0.2～10分鐘、0.3～3分鐘。此外，關于所使用的溶劑，例如為了抑制干燥時伴隨溶劑揮發而產生的收縮應力、由其產生的空隙層的裂紋現象，優選為表面張力低的溶劑。可列舉出例如以異丙醇(ipa)為代表的低級醇、己烷、全氟己烷等，但并不限定于這些。此外，例如也可以在上述ipa等中添加少量的全氟系表面活性劑或硅系表面活性劑來降低表面張力。按照上述那樣可以制造本發明的有機硅多孔體，但本發明的制造方法不受此限定。此外，也可以對得到的本發明的有機硅多孔體進行例如實施加熱老化等處理而提高強度的強度提高工序(以下有時也稱為“老化工序”)。例如，在樹脂膜上層疊有本發明的有機硅多孔體的情況下，通過上述強度提高工序(老化工序)可以提高相對于上述樹脂膜的粘合剝離強度。在上述強度提高工序(老化工序)中，例如也可以將本發明的有機硅多孔體加熱。上述老化工序中的溫度例如為40～70℃、45～65℃、50～60℃。進行上述老化工序的時間例如為10～30hr、13～25hr、15～20hr。在上述老化工序中，例如通過將加熱溫度設定為低溫，可以在抑制上述有機硅多孔體收縮的同時提高粘合剝離強度，能夠達成高空隙率與強度的兼顧。在上述強度提高工序(老化工序)中引起的現象及機理不清楚，但可以認為是由于例如通過本發明的有機硅多孔體中所含的催化劑，使上述微細孔粒子彼此的化學鍵合(例如交聯反應)進一步發展而提高強度。作為具體例子，認為當上述微細孔粒子為硅化合物的微細孔粒子(例如凝膠狀二氧化硅化合物的粉碎體)且上述有機硅多孔體中存在殘留硅烷醇基(oh基)時，上述殘留硅烷醇基彼此會通過交聯反應而進行化學鍵合。另外，本發明的有機硅多孔體中所含的催化劑沒有特別限定，例如可以為上述鍵合工序中所采用的催化劑，也可以為上述鍵合工序中所采用的光產堿催化劑通過光照射所產生的堿性物質、或上述鍵合工序中所采用的光產酸催化劑通過光照射所產生的酸性物質等。但是，該說明為例示，不限定本發明。此外，也可以在本發明的有機硅多孔體上進一步形成粘合粘接層(粘合粘接層形成工序)。具體而言，例如也可以通過在本發明的有機硅多孔體上涂布(涂裝)粘合劑或粘接劑而形成上述粘合粘接層。此外，也可以通過將基材上層疊有上述粘合粘接層的膠粘帶等的上述粘合粘接層側貼合至本發明的有機硅多孔體上，由此在本發明的有機硅多孔體上形成上述粘合粘接層。此時，上述膠粘帶等基材可以保持直接貼合的狀態，也可以從上述粘合粘接層剝離。在本發明中，“粘合劑”及“粘合層”例如是指以被粘體的再剝離為前提的劑或層。本發明中，“粘接劑”及“粘接層”例如是指不以被粘體的再剝離為前提的劑或層。但是，本發明中，“粘合劑”及“粘接劑”并非可以明確區別，“粘合層”及“粘接層”也并非可以明確區別。在本發明中，形成上述粘合粘接層的粘合劑或粘接劑沒有特別限定，例如可以使用一般的粘合劑或粘接劑等。作為上述粘合劑或粘接劑，可列舉出例如丙烯酸系、乙烯基醇系、有機硅系、聚酯系、聚氨酯系、聚醚系等聚合物制粘接劑、橡膠系粘接劑等。此外，也可以列舉出由戊二醛、三聚氰胺、草酸等乙烯基醇系聚合物的水溶性交聯劑等構成的粘接劑等。這些粘合劑及粘接劑可以僅使用1種，也可以將多種并用(例如混合、層疊等)。上述粘合粘接層的厚度沒有特別限制，例如為0.1～100μm、5～50μm、10～30μm、或12～25μm。進而，也可以使本發明的有機硅多孔體與上述粘合粘接層進行反應，而形成配置在本發明的有機硅多孔體與上述粘合粘接層的中間的中間層(中間層形成工序)。通過上述中間層，例如可以使本發明的有機硅多孔體與上述粘合粘接層難以剝離。其理由(機理)不清楚，但推測是由于例如上述中間層的錨定性(錨定效應)所致。上述錨定性(錨定效應)是指在上述空隙層與上述中間層的界面附近，上述中間層形成交錯到上述空隙層內部的結構，因而使上述界面被牢固地固定的現象(效應)。但是，其理由(機理)為推測的理由(機理)的一個例子，并不限定本發明。本發明的有機硅多孔體與上述粘合粘接層的反應也無特別限定，例如也可以為利用催化作用的反應。上述催化劑也可以為例如本發明的有機硅多孔體中所含的催化劑。具體而言，例如可以為上述鍵合工序中所采用的催化劑，也可以為上述鍵合工序中所采用的光產堿催化劑通過光照射所產生的堿性物質、上述鍵合工序中所采用的光產酸催化劑通過光照射所產生的酸性物質等。此外，本發明的有機硅多孔體與上述粘合粘接層的反應例如也可以為可以生成新的化學鍵的反應(例如交聯反應)。上述反應的溫度例如為40～70℃、45～65℃、50～60℃。進行上述老化工序的時間例如為10～30hr、13～25hr、15～20hr。此外，該中間層形成工序也可以兼作用于提高本發明的有機硅多孔體強度的上述強度提高工序(老化工序)。以上述那樣得到的本發明的有機硅多孔體例如可以進一步與其它膜(層)層疊而制成含有上述多孔質結構的層疊結構體。此時，在上述層疊結構體中，各構成要素例如可以介由粘合劑或粘接劑而層疊。從效率的方面出發，上述各構成要素的層疊例如可以通過使用了長條膜的連續處理(所謂的輥對輥(rolltoroll)等)進行層疊，當基材為成形物·元件等時，也可以將經批次處理的那些進行層疊。以下，對于在基材上形成上述本發明的有機硅多孔體的方法，使用圖1～3舉例說明連續處理工序。關于圖2，表示制膜出上述有機硅多孔體后貼合保護膜并進行卷取的工序，在對另一功能性膜進行層疊時，可以使用上述的方法，也可以在涂裝另一功能性膜并進行干燥后，在即將卷取前貼合進行了上述成膜后的上述有機硅多孔體。另外，圖示的制膜方式僅為一個例子，并不限定于這些。在圖1的截面圖中示意地表示在上述基材上形成上述有機硅多孔體的方法中的工序的一個例子。圖1中，上述有機硅多孔體的形成方法包含：涂裝工序(1)，其將硅化合物的微細孔粒子的溶膠粒子液20”涂裝在基材10上；涂裝膜形成工序(干燥工序)(2)，其使溶膠粒子液20”干燥而形成作為上述有機硅多孔體的前體層的涂裝膜20’；及化學處理工序(例如交聯處理工序)(3)，其對涂裝膜20’進行化學處理(例如交聯處理)而形成有機硅多孔體20。按照這樣可以如圖示，在基材10上形成有機硅多孔體20。另外，上述有機硅多孔體的形成方法可以適宜包含或可以不包含除上述工序(1)～(3)以外的工序。在上述涂裝工序(1)中，溶膠粒子液20”的涂裝方法沒有特別限定，可以采用一般的涂裝方法。作為上述涂裝方法，可列舉出例如狹縫式模頭(slotdie)法、反向凹版涂布法、微凹版法(微凹版涂布法)、浸漬法(浸漬涂布法)、旋涂法、刷涂法、輥涂法、柔性印刷法、繞線棒涂布法、噴涂法、擠壓涂布法、簾幕涂布法、反向涂布法等。它們中，從生產率、涂膜的平滑性等觀點出發，優選為擠壓涂布法、簾幕涂布法、輥涂法、微凹版涂布法等。上述溶膠粒子液20”的涂裝量沒有特別限定，例如可以以使多孔質結構(有機硅多孔體)20成為適當厚度的方式適當設定。多孔質結構(有機硅多孔體)20的厚度沒有特別限定，例如可以如上所述。在上述干燥工序(2)中，將溶膠粒子液20”干燥(即，除去溶膠粒子液20”中所含的分散介質)而形成涂裝膜(前體層)20’。干燥處理的條件沒有特別限定，如上所述。此外，在上述化學處理工序(3)中，對含有涂裝前所添加的上述催化劑(例如，光活性催化劑或koh等熱活性催化劑)的涂裝膜20’進行光照射或加熱，使涂裝膜(前體)20’中的上述粉碎物彼此進行化學鍵合(例如進行交聯)而形成有機硅多孔體20。上述化學處理工序(3)中的光照射或加熱條件無特別限定，如上所述。接著，在圖2中示意地表示狹縫式模頭法的涂裝裝置及使用了其的上述有機硅多孔體的形成方法的一個例子。另外，圖2雖然為截面圖，但為了容易看省略了圖案填充。如圖示的那樣，使用了該裝置的方法中的各工序是一邊通過輥將基材10朝一個方向搬送一邊進行。搬送速度無特別限定，例如為1～100m/分鐘、3～50m/分鐘、5～30m/分鐘。首先，一邊從送出輥101放出基材10進行搬送，一邊在涂裝輥102上進行在基材10上涂裝溶膠粒子液20”的涂裝工序(1)，接著，在烘箱區110內移行到干燥工序(2)。在圖2的涂裝裝置中，在涂裝工序(1)之后在干燥工序(2)前進行預干燥工序。預干燥工序可以不經過加熱，在室溫下進行。在干燥工序(2)中使用加熱機構111。作為加熱機構111，如上所述，可以適宜使用熱風器、加熱輥、遠紅外線加熱器等。此外，例如也可以將干燥工序(2)分成多個工序，使干燥溫度隨著后續的干燥工序越來越高。在干燥工序(2)后，在化學處理區120內進行化學處理工序(3)。在化學處理工序(3)中，例如當干燥后的涂裝膜20’含有光活性催化劑時，以配置在基材10上下的燈(光照射機構)121進行光照射。或者，例如在干燥后的涂裝膜20’含有熱活性催化劑時，使用熱風器(加熱機構)來代替燈(光照射裝置)121，以配置在基材10上下的熱風器121將基材10加熱。通過該交聯處理，可以引起涂裝膜20’中的上述粉碎物彼此的化學鍵合，使有機硅多孔體20固化·強化。另外，也可以優選使用紫外線照射器來代替熱風器。然后，在化學處理工序(3)后將基材10上形成有有機硅多孔體20的層疊體通過卷取輥105卷取。另外，在圖2中，將上述層疊體的有機硅多孔體20以從輥106放出的保護片進行被覆而保護。在此，也可以使由長條膜形成的其它層來代替上述保護片而層疊于多孔質結構20上。在圖3中示意地表示微凹版法(微凹版涂布法)的涂裝裝置及使用了其的上述多孔質結構的形成方法的一個例子。另外，該圖雖然為截面圖，但為了容易看省略了圖案填充。如圖示的那樣，使用了該裝置的方法中的各工序與圖2同樣地是一邊通過輥將基材10朝一個方向搬送一邊進行。搬送速度沒有特別限定，例如為1～100m/分鐘、3～50m/分鐘、5～30m/分鐘。首先，一邊從送出輥201放出基材10進行搬送，一邊進行在基材10上涂裝溶膠粒子液20”的涂裝工序(1)。溶膠粒子液20”的涂裝如圖示的那樣，利用儲液器202、刮刀(doctorknife)203及微凹版204來進行。具體而言，使儲留在儲液器202中的溶膠粒子液20”附著在微凹版204表面，再以刮刀203控制成規定的厚度，同時以微凹版204涂裝在基材10表面。另外，微凹版204為例示，不受此限定，也可以使用其它的任意涂裝機構。接下來進行干燥工序(2)。具體而言，如圖示的那樣，在烘箱區210中搬送已涂裝溶膠粒子液20”的基材10，并通過烘箱區210內的加熱機構211加熱而進行干燥。加熱機構211例如也可以與圖2相同。此外，例如也可以通過將烘箱區210分成多個區域，使干燥工序(2)分成多個工序，使干燥溫度隨著后續的干燥工序越來越高。在干燥工序(2)后，在化學處理區220內進行化學處理工序(3)。在化學處理工序(3)中，例如當干燥后的涂裝膜20’含有光活性催化劑時，以配置在基材10上下的燈(光照射機構)221進行光照射。或者，例如當干燥后的涂裝膜20’含有熱活性催化劑時，使用熱風器(加熱機構)來代替燈(光照射裝置)221，以配置在基材10下方的熱風器(加熱機構)221將基材10加熱。通過該交聯處理，可以引起涂裝膜20’中的上述粉碎物彼此的化學鍵合，形成有機硅多孔體20。然后，在化學處理工序(3)后將基材10上形成有有機硅多孔體20的層疊體通過卷取輥251卷取。其后，也可以在上述層疊體上層疊例如其它層。此外，將上述層疊體通過卷取輥251卷取前，也可以在上述層疊體上層疊例如其它層。另外，在圖6～8中表示形成本發明的有機硅多孔體的方法中的連續處理工序的另一個例子。如圖6的截面圖中所示的那樣，該方法是在形成有機硅多孔體20的化學處理工序(例如交聯處理工序)(3)后進行強度提高工序(老化工序)(4)，除此以外與圖1～3中表示的方法相同。如圖6中所示的那樣，在強度提高工序(老化工序)(4)中使有機硅多孔體20的強度提高，制成強度提高的有機硅多孔體21。強度提高工序(老化工序)(4)沒有特別限定，例如如上所述。圖7是表示與圖2不同的狹縫式模頭法的涂裝裝置及使用了其的上述有機硅多孔體的形成方法的另一個例子的示意圖。如圖示的那樣，該涂裝裝置在進行化學處理工序(3)的化學處理區120后緊接著具有進行強度提高工序(老化工序)(4)的強度提高區(老化區)130，除此以外與圖2的裝置相同。即，在化學處理工序(3)后在強度提高區(老化區)130內進行強度提高工序(老化工序)(4)，提高有機硅多孔體20相對于樹脂膜10的粘合剝離強度，而形成粘合剝離強度提高的有機硅多孔體21。強度提高工序(老化工序)(4)例如也可以通過使用配置在基材10上下的熱風器(加熱機構)131，以上述方式將有機硅多孔體20加熱來進行。加熱溫度、時間等沒有特別限定，例如如上所述。其后，與圖3同樣地將基材10上形成有有機硅多孔體21的層疊膜通過卷取輥105卷取。圖8是表示與圖3不同的微凹版法(微凹版涂布法)的涂裝裝置及使用了其的上述多孔質結構的形成方法的另一個例子的示意圖。如圖示的那樣，該涂裝裝置在進行化學處理工序(3)的化學處理區220后緊接著具有進行強度提高工序(老化工序)(4)的強度提高區(老化區)230，除此以外與圖3的裝置相同。即，在化學處理工序(3)后在強度提高區(老化區)230內進行強度提高工序(老化工序)(4)，提高有機硅多孔體20相對于樹脂膜10的粘合剝離強度，形成粘合剝離強度提高的有機硅多孔體21。強度提高工序(老化工序)(4)例如也可以通過使用配置在基材10上下的熱風器(加熱機構)231，以上述那樣將有機硅多孔體20加熱來進行。加熱溫度、時間等沒有特別限定，例如如上所述。其后，與圖3同樣地將基材10上形成有有機硅多孔體21的層疊膜通過卷取輥251卷取。此外，在圖9～11中表示形成本發明的有機硅多孔體的方法中的連續處理工序的另一個例子。如圖9的截面圖中所示的那樣，該方法在形成有機硅多孔體20的化學處理工序(例如交聯處理工序)(3)后包含：在有機硅多孔體20上涂裝粘合粘接層30的粘合粘接層涂裝工序(粘合粘接層形成工序)(4)、及使有機硅多孔體20與粘合粘接層30反應而形成中間層22的中間層形成工序(5)。除這些以外，圖9～11的方法與圖6～8中所示的方法相同。此外，在圖9中，中間層形成工序(5)兼作提高有機硅多孔體20的強度的工序(強度提高工序)，在中間層形成工序(5)以后有機硅多孔體20變化為強度提高的有機硅多孔體21。但是，本發明不受此限定，例如在中間層形成工序(5)后有機硅多孔體20也可以沒有變化。粘合粘接層涂裝工序(粘合粘接層形成工序)(4)及中間層形成工序(5)沒有特別限定，例如如上所述。圖10是表示狹縫式模頭法的涂裝裝置及使用了其的上述有機硅多孔體的形成方法的又另一個例子的示意圖。如圖示的那樣，該涂裝裝置在進行化學處理工序(3)的化學處理區120后緊接著具有進行粘合粘接層涂裝工序(4)的粘合粘接層涂裝區130a，除此以外與圖7的裝置相同。該圖中，在粘合粘接層涂裝區130a后緊接著配置的中間層形成區(老化區)130可以通過配置在基材10上下的熱風器(加熱機構)131，進行與圖7的強度提高區(老化區)130同樣的加熱處理。即，在圖10的裝置中，在化學處理工序(3)后進行粘合粘接層涂裝工序(粘合粘接層形成工序)(4)，即，在粘合粘接層涂裝區130a內通過粘合粘接層涂裝機構131a在有機硅多孔體20上涂布(涂裝)粘合劑或粘接劑，而形成粘合粘接層30。此外，如上所述，也可以以具有粘合粘接層30的膠粘帶等的貼合(貼附)，來代替粘合劑或粘接劑的涂布(涂裝)。進而，在中間層形成區(老化區)130內進行中間層形成工序(老化工序)(5)，使有機硅多孔體20與粘合粘接層30反應而形成中間層22。此外，如上所述，在該工序中有機硅多孔體20成為強度提高的有機硅多孔體21。利用熱風器(加熱機構)131的加熱溫度、時間等沒有特別限定，例如如上所述。圖11是表示微凹版法(微凹版涂布法)的涂裝裝置及使用了其的上述多孔質結構的形成方法的又另一個例子的示意圖。如圖示的那樣，該涂裝裝置在進行化學處理工序(3)的化學處理區220后緊接著具有進行粘合粘接層涂裝工序(4)的粘合粘接層涂裝區230a，除此以外與圖8的裝置相同。該圖中，在粘合粘接層涂裝區230a后緊接著配置的中間層形成區(老化區)230可以通過配置在基材10上下的熱風器(加熱機構)231，進行與圖8的強度提高區(老化區)230同樣的加熱處理。即，在圖11的裝置中，在化學處理工序(3)后進行粘合粘接層涂裝工序(粘合粘接層形成工序)(4)，即，在粘合粘接層涂裝區230a內通過粘合粘接層涂裝機構231a在有機硅多孔體20上涂布(涂裝)粘合劑或粘接劑，而形成粘合粘接層30。此外，如上所述，也可以以具有粘合粘接層30的膠粘帶等的貼合(貼附)，來代替粘合劑或粘接劑的涂布(涂裝)。進而，在中間層形成區(老化區)230內進行中間層形成工序(老化工序)(5)，使有機硅多孔體20與粘合粘接層30反應而形成中間層22。此外，如上所述，在該工序中有機硅多孔體20成為強度提高的有機硅多孔體21。利用熱風器(加熱機構)231的加熱溫度、時間等沒有特別限定，例如如上所述。[3.有機硅多孔體的用途]本發明的有機硅多孔體由于如上所述可以發揮例如與空氣層相同程度的功能，因此可以取代上述空氣層來利用于具有上述空氣層的對象物上。在本發明中，其特征在于含有上述本發明的有機硅多孔體，其它構成則不受任何限制。作為本發明，可列舉出特征為含有上述有機硅多孔體的絕熱材料、吸音材料、結露防止材料、低折射率層等光學構件等。這些本發明的構件為透明時，例如可以通過配置在需要空氣層的部位而使用。這些構件的形態無特別限制，例如可以為膜。此外，作為本發明，可列舉出例如特征為含有上述有機硅多孔體的再生醫療用基材。上述基材例如為支架材料(scaffoldmaterial)。如上所述，本發明的有機硅多孔體具有可以發揮與空氣層相同程度的功能的多孔結構。上述有機硅多孔體的空隙例如適于用來保持細胞、營養源、空氣等，因此本發明的有機硅多孔體作為例如再生醫療用的支架是有用的。作為含有本發明的有機硅多孔體的構件，除了它們以外，還可列舉出例如全反射構件、油墨圖像接收材料、單層ar(減反射)、單層蛾眼(motheye)、介電常數材料等。實施例接下來，對于本發明的實施例進行說明。但是，本發明不受以下實施例的限定。(實施例1)在本實施例中，按照如下制造本發明的多孔質結構。(1)硅化合物的凝膠化在dmso2.2g中溶解硅化合物的前體即mtms0.95g。在上述混合液中添加0.01mol/l的草酸水溶液0.5g，通過在室溫下攪拌30分鐘使mtms水解而生成三(羥基)甲基硅烷。在dmso5.5g中添加28％濃度的氨水0.38g及純水0.2g后，再追加添入上述經水解處理的上述混合液，在室溫下攪拌15分鐘，進行三(羥基)甲基硅烷的凝膠化而獲得凝膠狀硅化合物。(2)熟化處理將上述經凝膠化處理的混合液直接在40℃下培養20小時，進行熟化處理。(3)粉碎處理接著，使用刮刀將上述經熟化處理的凝膠狀硅化合物粉碎成數mm～數cm尺寸的顆粒狀。向其中添加ipa40g，輕輕攪拌后在室溫下靜置6小時，傾析出凝膠中的溶劑及催化劑。同樣的傾析處理重復進行3次，完成溶劑置換。然后對上述混合液中的上述凝膠狀硅化合物進行高壓無介質粉碎。該粉碎處理是使用均質機(商品名uh-50、smt公司制)，在5cc的螺旋瓶中秤量凝膠1.18g及ipa1.14g后，在50w、20khz的條件下進行2分鐘的粉碎。通過上述粉碎處理將上述混合液中的上述凝膠狀硅化合物粉碎，由此上述混合液成為上述粉碎物的溶膠粒子液。以動態光散射式nanotrac粒度分析計(日機裝公司制、upa-ex150型)確認表示上述混合液中所含的上述粉碎物的粒度不均的體積平均粒徑，結果為0.50～0.70。進而，準備0.3重量％的koh水溶液，在上述溶膠粒子液0.5g中添加0.02g的催化劑koh，調制出涂裝液。(4)形成涂裝膜及形成有機硅多孔體然后，通過棒涂法將上述涂裝液涂布在聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)制基材的表面上，形成涂裝膜。上述涂布設定為上述基材的表面每1mm2為6μl的上述溶膠粒子液。將上述涂裝膜在溫度100℃下處理1分鐘后，完成上述粉碎物彼此的交聯反應。由此，在上述基材上形成上述粉碎物彼此化學鍵合而成的厚度1μm的有機硅多孔體。(比較例1)除了未對于上述涂裝液添加催化劑koh以外，通過與實施例1同樣的方法形成多孔體。(5)確認多孔質結構的特性從上述基材剝離上述多孔體，并通過上述方法確認強度(通過bemcot(注冊商標)得到的耐擦傷性)。進而，也測定了折射率、霧度及空隙率。將這些結果示于下述表1中。表1項目實施例1比較例1折射率1.161.12霧度0.30.3空隙率59％75％耐擦傷性78％6％如上述表1中所示的那樣確認了，得到的厚度1μm的實施例1的有機硅多孔體具有空隙率高的多孔結構，兼具充分的強度及可撓性。因此，獲知本發明的有機硅多孔體通過使熟化二氧化硅化合物溶膠進行交聯反應，可以作為能夠兼顧膜強度及可撓性的硅烷醇多孔體，非常有用。進而，實施例1的有機硅多孔體也兼具低折射率及低霧度這樣良好的光學特性。此外，在圖4中示出實施例1的有機硅多孔體的截面sem圖像。此外，在圖5中示出實施例1的有機硅多孔體的微細孔粒子tem圖像。(實施例2)本實施例中，以如下方式制造本發明的多孔質結構。首先，以與實施例1同樣的方式進行上述“(1)硅化合物的凝膠化”及“(2)熟化處理”。接著，在上述溶膠粒子液中添加1.5重量％的光產堿催化劑(和光純藥工業株式會社：商品名wpbg266)的ipa(異丙醇)溶液來代替0.3重量％的koh水溶液，除此以外，以與實施例1同樣的方式進行上述“(3)粉碎處理”，調制出涂裝液。相對于上述溶膠粒子液0.75g，上述光產堿催化劑的ipa溶液的添加量設定為0.031g。其后，以與實施例1同樣的那樣進行上述“(4)形成涂裝膜及形成有機硅多孔體”。對以上述方式得到的干燥后的多孔體照射uv。上述uv照射是照射波長為360nm的光，且光照射量(能量)設定為500mj。進而，在照射uv后，在60℃下進行加熱老化22hr而形成本實施例的多孔質結構。(實施例3)除了在照射uv后未進行加熱老化以外，進行與實施例2同樣的操作，形成本實施例的多孔質結構。(實施例4)添加光產堿催化劑的ipa溶液后，進而相對于上述溶膠液0.75g加入0.018g的5重量％的雙(三甲氧基)硅烷以調整涂裝液，除此以外，進行與實施例2同樣的操作，形成本實施例的多孔質結構。(實施例5)相對于上述溶膠液0.75g將光產堿催化劑的ipa溶液的添加量設定為0.054g，除此以外，進行與實施例2同樣的操作，形成本實施例的多孔質結構。(實施例6)以與實施例2同樣的方式對干燥后的多孔體照射uv后，在加熱老化前，在室溫下將一面涂布有粘合劑(粘合粘接層)的pet膜的上述粘合劑側貼附在上述多孔體上后，在60℃下加熱老化22hr。除此以外，進行與實施例2同樣的操作，形成本實施例的多孔質結構。(實施例7)除了在貼附pet膜后未進行加熱老化以外，進行與實施例6同樣的操作，形成本實施例的多孔質結構。(實施例8)添加光產堿催化劑的ipa溶液后，進而相對于上述溶膠液0.75g加入0.018g的5重量％的雙(三甲氧基)硅烷以調整涂裝液，除此以外，進行與實施例6同樣的操作，形成本實施例的多孔質結構。(實施例9)相對于上述溶膠液0.75g將光產堿催化劑的ipa溶液的添加量設定為0.054g，除此以外，進行與實施例6同樣的操作，形成本實施例的多孔質結構。對于實施例2～9的多孔質結構，通過上述的方法測定折射率及霧度，并將結果示于下述表2及3中。表2實施例2實施例3實施例4實施例5折射率1.141.151.151.16霧度0.40.40.40.4空隙率65％62％62％59％耐擦傷性70％70％75％78％表3實施例6實施例7實施例8實施例9折射率1.141.151.151.16霧度0.40.40.40.4空隙率65％62％62％59％耐擦傷性70％75％75％78％如上述表2及3中所示的那樣，得到的厚度1μm的實施例2～9的有機硅多孔體均具有折射率極低且為1.14～1.16、且霧度值也顯示出0.4的極低的數值這樣優異的光學特性。另外，像這樣折射率極低意味著空隙率高。此外，實際上如表2及3中所示的那樣，也確認了空隙率高。進而，也確認實施例2～9的有機硅多孔體與實施例1同樣地兼具充分的強度及可撓性。另外，實施例2～9由于在將涂裝液保存1周以后進行目視觀察也未確認到變化，所以也確認了涂裝液的保存穩定性也優異，能夠高效地制造穩定的品質的有機硅多孔體。產業上的可利用性如以上說明的那樣，本發明的有機硅多孔體通過含有上述凝膠狀硅化合物的粉碎物，可以形成具有空隙的多孔結構，通過該多孔質結構使上述粉碎物彼此進行化學鍵合，可以使上述多孔結構固定化，所以雖然為具有空隙的結構，但能夠維持充分的強度及可撓性。所以，本發明的有機硅多孔體在能夠提供需要膜強度及可撓性的空隙結構的方面是有用的。例如，作為利用空隙的構件，也可以用于低折射率層等光學構件、絕熱材料或吸音材料、油墨圖像接收材料等廣泛領域的制品。符號說明10基材20多孔質結構20’涂裝膜(前體層)20”溶膠粒子液21強度提高的多孔質結構(多孔體)101送出輥102涂裝輥110烘箱區111熱風器(加熱機構)120化學處理區121燈(光照射機構)或熱風器(加熱機構)130a粘合粘接層涂裝區130中間體形成區131a粘合粘接層涂裝機構131熱風器(加熱機構)105卷取輥106輥201送出輥202儲液器203刮刀(doctorknife)204微凹版210烘箱區211加熱機構220化學處理區221燈(光照射機構)或熱風器(加熱機構)230a粘合粘接層涂裝區230中間體形成區231a粘合粘接層涂裝機構231熱風器(加熱機構)251卷取輥當前第1頁12