本發明涉及一類n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料、合成方法及其應用。

背景技術：

高效率、低壓驅動的有機電致發光為發光二極管的發展帶來了革命性的創新。有機發光材料和器件的研究引起了人們的廣泛關注和深入研究。有機電致發光二極管被稱作第三代平面顯示和照明技術，在節能環保等方面具有突出的優勢，有機半導體材料分為p型和n型，大多數有機半導體材料是p型的，這意味著大多數材料只能傳正電荷。目前，n型有機半導體的發展遠遠落后于P型有機半導體材料，具有高的電子遷移率，熱力學穩定的n型有機半導體極為短缺。為了有效的利用電致發光過程中產生的單重態和三重態激子，目前普遍采用的方式是使用磷光染料來構建電致磷光，但是磷光染料所涉及的重金屬不僅昂貴而且污染環境，迫切需要使用其他的材料加以替代。熒光有機功能材料已被認為是有機發光二極管(OLED)中對于其含有稀有金屬或貴金屬的磷光材料的更好的潛在替代物，因為更可能實現低成本和高性能的器件。近期，被稱為第三代有機電致發光技術的熱激發延遲熒光技術取得了很大的進展，其中熱激發延遲熒光染料可以通過自身三線態到單線態的反轉隙間竄躍使三線態激子轉化為單線態激子，進而利用其發光，從而從理論上實現100％的內量子效率。而熱激發延遲熒光染料是純有機化合物。但是，目前針對熱激發延遲熒光染料的主體材料的研究還非常有限，特別是，對于n-型熱激發延遲熒光材料的研究更為有限。因此，需要針對熱激發延遲熒光染料的特點來有目的的開發適合他們的主體材料。

研究表明，高效和穩定的藍色OLED仍然是難以獲得的。熱激發延遲熒光材料在器件運行過程中容易發生光氧化和電氧化過程，其中電氧化和光氧化的組合有效分解高能量的三重態，因此，可以通過分子設計和器件優化抑制這樣的降解過程，引入單極的具有較強導電子能力的材料有利于穩定熱激發延遲熒光分子，提高器件效率。

技術實現要素：

本發明是要解決熱激發延遲熒光材料在器件運行過程中容易發生光氧化和電氧化過程，導致熱激發延遲熒光分子激發態穩定性差的技術問題，提供了一種基于二苯并呋喃基團n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料、合成方法及其應用。

基于二苯并呋喃基團n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料，該材料通過在二苯并呋喃的2、4、6、8位置上引入2～4個二苯基膦氧基團構成，分子結構式如下：

其中X為H或Ph₂OP，Y為H或Ph₂OP，Z為H或Ph₂OP，且Y和Z不同時為H；

當X、Y為H，Z為Ph₂OP時，化合物為2,4DBFDPO，其結構式為：

當Y為Ph₂OP，X、Z為H時，化合物為2,8DBFDPO，其結構式為：

當Y和Z為Ph₂OP，X為H時，化合物為2,4,8DBFTPO，其結構式為：

當X、Y為Ph₂OP，Z為氫時，化合物為2,4,6DBFTPO，其結構式為：

當X、Y、Z都為Ph₂OP時，化合物為2,4,6,8DBFQPO，其結構式為：

基于二苯并呋喃基團n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料合成方法，其特征在于該合成方法如下：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、1～6mmol的二苯基膦、1～6mmol的無水乙酸鈉、0.001～0.01mmol醋酸鈀和5～10ml的DMF混合，反應10～36小時，倒入冰水中，萃取，得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經萃取、干燥后，以乙醇和乙酸乙酯的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到基于二苯并呋喃基團n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料(多膦氧二苯并呋喃基膦氧)。

所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為(1～2)﹕1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為(0.001～0.002)﹕1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為(1～2)﹕1。

所述乙醇和乙酸乙酯的混合溶劑中乙醇與乙酸乙酯的體積比為1﹕20。

所述基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧材料作為發光層的主體材料激子阻擋層用于制備電致發光器件。

本發明的主體材料可以有效的抑制熱激發延遲熒光材料在器件運行過程中發生光氧化和電氧化過程，本發明制備的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料可以實現超低壓驅動的高效熱激發延遲熒光藍光器件，其電流效率達到最大值24.24cd·A^-1,功率效率達到最大值19.56lm·W.本發明提供的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料以2-二苯基膦氧基二苯并呋喃為主體，膦氧(P＝O)基團通過C-P飽和鍵將芳香基團連接起來，能夠有效的阻斷共軛，使母體本身具有較高的三線態能級，同時P＝O基團具有極化分子的作用，可提高分子的電子注入傳輸能力。并具有一定的電子注入和傳輸能力。本發明通過多膦氧基團進行的修飾，通過調節修飾基團的數目和修飾位置來調控整個分子的載流子傳輸能力。從而在高的三重態激發態能級和良好的載流子注入傳輸能力之間求得平衡。

本發明基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料用于電致發光器件包含以下優點：

1、保持較高的三線態能級，保證能量從主體到客體的有效傳遞。

2、提高電致發光器件材料的載流子注入和傳輸能力，以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料制備的電致藍光器件將電致藍光器件的啟亮電壓降低到2.8V，具有良好的熱力學穩定性，裂解溫度為407℃-488℃，同時提高了有機電致發光材料的發光效率和亮度，本發明主要應用于有機電致發光二極管器件中。

本發明基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料既可以作為發光器件的發光層主體材料，也可以作為發光器件的激子阻擋層材料。

附圖說明

圖1是實驗一基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的紫外熒光光譜譜圖及溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖和磷光光譜圖，■表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料在二氯甲烷溶劑中的紫外光譜圖，□表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖，●表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料磷光光譜圖；

圖2是實驗一基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的熱重分析圖；

圖3是實驗二基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的紫外熒光光譜譜圖及溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖和磷光光譜圖，■表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料二氯甲烷溶劑中的紫外光譜圖，□表示基于基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖，●表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料磷光光譜圖；

圖4是實驗二基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的熱重分析譜圖；

圖5是實驗三基于基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的紫外熒光光譜譜圖及溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖和磷光光譜圖，■表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料二氯甲烷溶劑中的紫外光譜圖，□表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖，●表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料磷光光譜圖；

圖6是實驗三基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的熱重分析譜圖；

圖7是實驗四基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的紫外熒光光譜譜圖及溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖和磷光光譜圖，■表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料二氯甲烷溶劑中的紫外光譜圖，□表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖，●表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料磷光光譜圖；

圖8是實驗四基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的熱重分析譜圖；

圖9是實驗五基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的紫外熒光光譜譜圖及溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖和磷光光譜圖，■表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料二氯甲烷溶劑中的紫外光譜圖，□表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料溶于二氯甲烷溶劑中的熒光光譜圖，●表示基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料磷光光譜圖；

圖10是實驗五基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的熱重分析譜圖；

圖11是實驗一基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電壓-電流密度關系曲線；

圖12是實驗一基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電壓-亮度關系曲線；

圖13是實驗一基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的亮度-電流效率關系曲線；

圖14是實驗一基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的亮度-功率效率關系曲線；

圖15是實驗一基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電流密度-外量子效率關系曲線效率；

圖16是實驗一基于二苯并呋喃基團的n-型雙極熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電致發光光譜圖；

圖17是實驗二基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電壓-電流密度關系曲線；

圖18是實驗二基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電壓-亮度關系曲線；

圖19是實驗二基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的亮度-電流效率關系曲線；

圖20是實驗二基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的亮度-功率效率關系曲線；

圖21是實驗二基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電流密度-外量子效率關系曲線效率；

圖22是實驗二基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電致發光光譜圖；

圖23是實驗三基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電壓-電流密度關系曲線；

圖24是實驗三基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電壓-亮度關系曲線；

圖25是實驗三基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的亮度-電流效率關系曲線；

圖26是實驗三基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的亮度-功率效率關系曲線；

圖27是實驗三基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電流密度-外量子效率關系曲線效率；

圖28是實驗三基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電致發光光譜圖；

圖29是實驗四基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電壓-電流密度關系曲線；

圖30是實驗四基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電壓-亮度關系曲線；

圖31是實驗四基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的亮度-電流效率關系曲線；

圖32是實驗四基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的亮度-功率效率關系曲線；

圖33是實驗四基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電流密度-外量子效率關系曲線效率；

圖34是實驗四基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電致發光光譜圖；

圖35是實驗五基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電壓-電流密度關系曲線；

圖36是實驗五基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電壓-亮度關系曲線；

圖37是實驗五基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的亮度-電流效率關系曲線；

圖38是實驗五基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的亮度-功率效率關系曲線；

圖39是實驗五基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電流密度-外量子效率關系曲線效率；

圖40是實驗五基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的電致深藍光磷光器件的電致發光光譜圖。

具體實施方式

本發明技術方案不局限于以下所列舉具體實施方式，還包括各具體實施方式間的任意組合。

具體實施方式一：本實施方式基于二苯并呋喃基團n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料，該材料通過在二苯并呋喃的2、4、6、8位置上引入2～4個二苯基膦氧基團構成，分子結構式如下：

其中X為H或Ph₂OP，Y為H或Ph₂OP，Z為H或Ph₂OP，且Y和Z不同時為H；

當X、Y為H，Z為Ph₂OP時，化合物為2,4DBFDPO，其結構式為：

當Y為Ph₂OP，X、Z為H時，化合物為2,8DBFDPO，其結構式為：

當Y和Z為Ph₂OP，X為H時，化合物為2,4,8DBFTPO，其結構式為：

當X、Y為Ph₂OP，Z為氫時，化合物為2,4,6DBFTPO，其結構式為：

當X、Y、Z都為Ph₂OP時，化合物為2,4,6,8DBFQPO，其結構式為：

具體實施方式二：具體實施方式一所述基于二苯并呋喃基團n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料合成方法，其特征在于該合成方法如下：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、1～6mmol的二苯基膦、1～6mmol的無水乙酸鈉、0.001～0.01mmol醋酸鈀和5～10ml的DMF混合，反應10～36小時，倒入冰水中，萃取，得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經萃取、干燥后，以乙醇和乙酸乙酯的混合溶劑為淋洗劑柱層析純化，得到基于二苯并呋喃基團n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料。

具體實施方式三：本實施方式與具體實施方式二不同的是所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為(1～2)﹕1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為(0.001～0.002)﹕1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為(1～2)﹕1。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式四：本實施方式與具體實施方式二不同的是所述乙醇和乙酸乙酯的混合溶劑中乙醇與乙酸乙酯的體積比為1﹕20。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式五：本實施方式與具體實施方式二不同的是將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、4mmol的二苯基膦、4mmol的無水乙酸鈉、0.006mmol醋酸鈀和6ml的DMF混合。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式六：本實施方式與具體實施方式二不同的是將1mmol溴代二苯基膦氧基苯醚、4mmol的二苯基膦、4mmol的無水乙酸鈉、0.007mmol醋酸鈀和7ml的DMF混合。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式七：本實施方式與具體實施方式二不同的是將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、5mmol的二苯基膦、5mmol的無水乙酸鈉、0.009mmol醋酸鈀和8ml的DMF混合。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式八：本實施方式與具體實施方式二不同的是將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、5mmol的二苯基膦、5mmol的無水乙酸鈉、0.008mmol醋酸鈀和9ml的DMF混合。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式九：本實施方式與具體實施方式二不同的是將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、5mmol的二苯基膦、5mmol的無水乙酸鈉、0.01mmol醋酸鈀和10ml的DMF混合。其他與具體實施方式二相同。

具體實施方式十：具體實施方式一所述基于二苯并呋喃基團n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的應用，所述基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧材料作為發光層的主體材料激子阻擋層用于制備電致發光器件。

本實施方式中所述基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發光層用于制備電致磷光器件的方法如下：

一、將經去離子水清洗的玻璃或塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1～0.3nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為1～100nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為2～10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為20～40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為5～15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發光層材料基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為5～50nm發光層；

六、在發光層上繼續蒸鍍空穴阻擋層基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料，厚度為5～40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為10～80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為1～10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為1～100nm的陰極導電層，得到電致磷光器件。

步驟八中所述的金屬為鈣、鎂、銀、鋁、鈣合金、鎂合金、銀合金或鋁合金。

采用下述實驗驗證本發明效果：

實驗一：本實驗基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法按下列步驟實現：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、1mmol的二苯基膦、1mmol的無水乙酸鈉，0.001mmol的醋酸鈀和10ml的DMF混合，反應10小時后倒入冰水中，萃取得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經萃取、干燥后以乙醇和乙酸乙酯的體積比為1:20為淋洗劑柱層析純化，得到2,4-二苯基膦氧基二苯并呋喃。

其中本實驗步驟二所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為1︰1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為1︰1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為0.001︰1；

本實驗得到的溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃為2，4，二苯基膦氧基二苯并呋喃，結構式為

本實驗得到基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料為2,4DBFDPO。

采用核磁共振儀檢測本試驗制備的多功能化修飾的2,4DBFDPO，檢測結果如下：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.174(d,J＝7.6Hz,2H),7.819-7.765(qd,J₁＝1.2Hz,J₂＝7.6Hz,J₃＝13.2Hz,2H),7.655-7.603(td,J₁＝1.2Hz,J₂＝7.2Hz,8H),7.478-7.430(td,J₁＝1.2Hz,J₂＝7.2Hz,6H),7.361-7.314ppm(td,J₁＝3.2Hz,J₂＝8Hz,8H)；LDI-TOF:m/z(％):584(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₃₆H₂₆O₂P₂S:H,4.48；O,5.47；S,5.48；

本實驗得到的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBFDPO的紫外熒光光譜，磷光光譜譜圖如圖1所示。

本實驗得到的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光基于芳香膦氧主體材料2,4DBFDPO的熱重分析譜圖如圖2所示，由圖可知二苯并呋喃基膦氧主體材料2,4DBFDPO的裂解溫度為407℃。

基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發光層(及空穴阻擋層)用于制備電致磷光器件的方法如下：

一、將經去離子水清洗的塑料襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為1 0nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發光層材料基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為50nm發光層；

六、在發光層上繼續蒸鍍基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為10nm的陰極導電層，得到電致磷光器件。

步驟八中所述的金屬為鋁。

本實驗中基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料既是電致磷光器件的發光層主體材料，又是電致磷光器件的空穴阻擋層材料。

本實驗電致磷光器件的結構為：ITO/MoOx(10nm)/NPB(40nm)/mCP(15nm)/2,4DBFDPO:DMAC(20％)50nm/2,4DBFDPO(40nm)/Bphen(80nm)/LiF(10nm)/Al。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的電壓-電流密度關系曲線如圖11所示，由此圖可知基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBFDPO材料具有半導體特性，其閥值電壓為3.5V。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的電壓-亮度關系曲線如圖12所示，由此圖可知該器件的啟亮電壓為4V。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的亮度-電流效率關系曲線如圖13所示，由此圖可知該器件在亮度為3cd·m^-2時，電流效率達到最大值6.5cd·A^-1。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的亮度-功率效率關系曲線如圖14所示，由此圖可知該器件在亮度為3.2cd·m^-2時，功率效率達到最大值5.2lm·W^-1。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的電流密度-外量子效率關系曲線如圖15所示，由此圖可知該器件在亮度為0.64mA·cm^-2時，獲得最大外量子效率3.4％。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的電致發光光譜圖如圖16所示，由此圖可知該器件的電致發光峰在462nm處。

實驗二：本實驗基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法按下列步驟實現：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、1mmol的二苯基膦、1mmol的無水乙酸鈉，0.001mmol的醋酸鈀和10ml的DMF混合，反10小時后倒入冰水中，萃取得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經萃取、干燥后以乙醇和乙酸乙酯的體積比為1:20為淋洗劑柱層析純化，得到2,8二苯基膦氧基二苯并呋喃。

其中本實驗所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為1︰1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為1︰1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為0.001︰1；

本實驗得到的2,8二苯基膦氧基二苯并呋喃，結構式為其核磁共振氫譜的數據為：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.301(d,J＝11.6Hz,2H),7.796(t,J＝9.2Hz,2H),7.707-7.659(q,J₁＝6.8Hz,J₂＝12Hz,10H),7.575(t,J＝7.2Hz,4H),7.484ppm(t,J＝7.6Hz,8H)；LDI-TOF:m/z(％):584(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₃₆H₂₆O₂P₂S:C,73.96；H,4.48；O,5.47；S,5.48；

本實驗得到的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料為2,8DBFDPO。

本實驗得到的基于基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBFDPO的紫外熒光光譜譜圖如圖3所示。

本實驗得到的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBFDPO的熱重分析譜圖如圖4所示，由圖可知2,8DBFDPO的裂解溫度為426℃。

基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發光層(及空穴阻擋層)用于制備電致磷光器件的方法如下：

一、將經去離子水清洗的玻璃襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為10nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發光層材料基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為50nm發光層；

六、在發光層上繼續蒸鍍雙極的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為10nm的陰極導電層，得到電致磷光器件。

步驟八中所述的金屬為鋁。

本實驗中基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料既是電致磷光器件的發光層主體材料，又是電致磷光器件的空穴阻擋層材料。

本實驗電致磷光器件的結構為：ITO/MoOx(10nm)/NPB(40nm)/mCP(15nm)/2,8DBFDPO:DMAC(20％)50nm/2,8DBFDPO(40nm)/Bphen(80nm)/LiF(10nm)/Al。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的電壓-電流密度關系曲線如圖17所示，由此圖可知基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBFDPO具有半導體特性，其閥值電壓為3.8V。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的電壓-亮度關系曲線如圖18所示，由此圖可知該器件的啟亮電壓為3.8V。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的亮度-電流效率關系曲線如圖19所示，由此圖可知該器件器件在亮度為83.56cd·m^-2時，電流效率達到最大值19.75cd·A^-1。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的亮度-功率效率關系曲線如圖20所示，由此圖可知該器件器件在亮度為86.95cd·m^-2時，功率效率達到最大值7.84lm·W^-1。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的電流密度-外量子效率關系曲線如圖21所示，由此圖可知該器件在亮度為0.38mA·cm^-2時，獲得最大外量子效率9.50％。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,8DBFDPO制備的電致藍光磷光器件的電致發光光譜圖如圖22所示，由此圖可知該器件的電致發光峰在457nm處。

實驗三：本實驗基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法按下列步驟實現：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、2mmol的二苯基膦、3mmol的無水乙酸鈉，0.002mmol的醋酸鈀和10ml的DMF混合，反10小時后倒入冰水中，萃取得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經萃取、干燥后以乙醇和乙酸乙酯的體積比為1:20為淋洗劑柱層析純化，得到2,4,8二苯基膦氧基二苯并呋喃。

其中本實驗所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為2︰1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為2︰1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為0.002︰1；

本實驗得到的2,4,8二苯基膦氧基二苯并呋喃，結構式為其核磁共振氫譜的數據為：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.634(d,J＝11.6Hz,1H),8.246(d,J＝11.6Hz,1H),7.843(t,J＝9.2Hz,1H),7.686(t,J＝12.8Hz,9H),7.617-7.539(m,11H),7.496-7.412ppm(m,12H)；LDI-TOF:m/z(％):784(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₄₈H₃₅O₃P₃S:C,73.46；H,4.50；O,6.12；P,11.84；S,4.09；

本實驗得到的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBFTPO的紫外熒光光譜譜圖,磷光光譜如圖5所示。

本實驗得到的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBFTPO的熱重分析譜圖如圖6所示，由圖可知二苯并呋喃基膦氧主體材料2,4,8DBFTPO的裂解溫度為463℃。

基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發光層(及空穴阻擋層)用于制備電致磷光器件的方法如下：

一、將經去離子水清洗的玻璃襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為10nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發光層材料基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為50nm發光層；

六、在發光層上繼續蒸鍍雙極的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為10nm的陰極導電層，得到電致磷光器件。

步驟八中所述的金屬為鋁。

本實驗中基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料既是電致磷光器件的發光層主體材料，又是電致磷光器件的空穴阻擋層材料。

本實驗電致磷光器件的結構為：ITO/MoOx(10nm)/NPB(40nm)/mCP(15nm)/2,4,8DBFTPO:DMAC(20％)50nm/2,4,8DBFTPO(40nm)/Bphen(80nm)/LiF(10nm)/Al。本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的電壓-電流密度關系曲線如圖29所示，由此圖可知基于二苯并呋喃基團的n-型延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBFTPO材料具有半導體特性，其閥值電壓為3.4V。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的電壓-亮度關系曲線如圖30所示，由此圖可知該器件的啟亮電壓為4.5V。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的亮度-電流效率關系曲線如圖31所示，由此圖可知該器件亮度亮度為32.24cd·m^-2時，電流效率達到最大值7.94cd·A^-1。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的亮度-功率效率關系曲線如圖32所示，由此圖可知該器件在在亮度為37.13cd·m^-2時，功率效率達到最大值4.52lm·W^-1。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的電流密度-外量子效率關系曲線如圖33所示，由此圖可知該器件在亮度為0.08mA·cm^-2時，獲得最大外量子效率8.26％。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,8DBFTPO制備的電致藍光磷磷光器件的電致發光光譜圖如圖34所示，由此圖可知該器件的電致發光峰在462nm處。

實驗四：本實驗基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法按下列步驟實現：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、1mmol的二苯基膦、1mmol的無水乙酸鈉，0.002mmol的醋酸鈀和5ml的DMF混合，反應10小時后倒入冰水中，萃取得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經萃取、干燥后以乙醇和乙酸乙酯的體積比為1:20為淋洗劑柱層析純化，得到二苯基膦氧基二苯并呋喃為4-溴-2，2’-二苯基膦氧基二苯并呋喃。

其中本實驗所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為1︰1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為1︰1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為0.002︰1；

本實驗得到的2,4,6二苯基膦氧基二苯并呋喃，結構式為

采用核磁共振儀檢測本試驗制備的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光基于芳香膦氧主體材料2,4,6DBFTPO，其核磁共振氫譜的數據為：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.815(d,J＝11.6Hz,1H),8.171(d,J＝8Hz,1H),7.987-7.936(q,J₁＝7.2Hz,J₂＝12.4Hz,1H),7.676-7.629(q,J₁＝7.6Hz,J₂＝12.4Hz,4H),7.587-7.495(m,12H),7.486-7.332(m,12H),7.287ppm(t,J＝7.6Hz,4H)；LDI-TOF:m/z(％):784(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₄₈H₃₅O₃P₃S:C,73.46；H,4.50；O,6.12；S,4.09；

本實驗得到的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBFTPO的紫外熒光光譜譜圖，磷光光譜如圖7所示。

本實驗得到的基于基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBFTPO的熱重分析譜圖如圖，8所示，由圖可知二苯并呋喃基膦氧主體材料2,4,6DBFTPO的裂解溫度為478℃。

基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發光層用于制備電致磷光器件的方法如下：

一、將經去離子水清洗的玻璃襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為1～100nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發光層材料基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為50nm發光層；

六、在發光層上繼續蒸鍍基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為10nm的陰極導電層，得到電致磷光器件。

步驟八中所述的金屬為鋁。

本實驗中基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料既是電致磷光器件的發光層主體材料，又是電致磷光器件的空穴阻擋層材料。

本實驗電致磷光器件的結構為：ITO/MoOx(10nm)/NPB(40nm)/mCP(15nm)/2,4,6-DBFTPO:DMAC(20％)50nm/2,4,6-DBFTPO(40nm)/Bphen(80nm)/LiF(10nm)/Al。本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的電壓-電流密度關系曲線如圖23所示，由此圖可知基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBFTPO材料具有半導體特性，其閥值電壓為2.9V。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的電壓-亮度關系曲線如圖24所示，由此圖可知該器件的啟亮電壓為2.9V。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的亮度-電流效率關系曲線如圖25所示，由此圖可知該器件亮度為66.87cd·m^-2時，電流效率達到最大值24.24cd·A^-1。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型極熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的亮度-功率效率關系曲線如圖26所示，由此圖可知該器件在亮度為70.57cd·m^-2時，功率效率達到最大值19.56lm·W^-1。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的電流密度-外量子效率關系曲線如圖27所示，由此圖可知該器件在亮度為0.23mA·cm^-2時，獲得最大外量子效率11.89％。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6DBFTPO制備的電致藍光磷光器件的電致發光光譜圖如圖28所示，由此圖可知該器件的電致發光峰在470nm處。

實驗五：本實驗基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料的合成方法按下列步驟實現：

將1mmol溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃、2mmol的二苯基膦、3mmol的無水乙酸鈉，0.002mmol的醋酸鈀和10ml的DMF混合，反應10小時后倒入冰水中，萃取得到有機層，有機層干燥后加入1ml H₂O₂氧化，再經萃取、干燥后以乙醇和乙酸乙酯的體積比為1:20為淋洗劑柱層析純化，2,4,6,8-二苯基膦氧基二苯并呋喃。

其中本實驗所述的二苯基膦與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為2︰1，無水乙酸鈉與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為2︰1，醋酸鈀與溴代二苯基膦氧基二苯并呋喃物質的量比為0.002︰1；

本實驗得到的2,4,6,8-二苯基膦氧基二苯并呋喃，結構式為

采用核磁共振儀檢測本試驗制備的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO，采用核磁共振儀檢測本試驗制備的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光基芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO其核磁共振氫譜的數據為：

¹H NMR(TMS,CDCl₃,400MHz):＝8.594(d,J＝11.6Hz,2H),7.848(t,J＝11.6Hz,2H),7.610-7.539(m,20H),7.456(t,J＝8.4Hz,12H),7.345ppm(d,J＝7.2Hz,8H)；LDI-TOF:m/z(％):984(100)[M⁺]；elemental analysis(％)for C₆₀H₄₄O₄P₄S:C,73.17；H,4.50；O,6.50；S,3.25本實驗得到的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO的紫外熒光光譜譜圖,磷光光譜如圖9所示。

本實驗得到的基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO的熱重分析譜圖如圖10所示，由圖可知二苯并呋喃基膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO的裂解溫度為488℃。

基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料作為發光層用于制備電致磷光器件的方法如下：

一、將經去離子水清洗的玻璃襯底放入真空蒸鍍儀，真空度為1×10^-6mbar，蒸鍍速率設為0.1nm s^-1，在玻璃或塑料襯底上蒸鍍材料為氧化銦錫(ITO)，厚度為1～100nm的陽極導電層；

二、在陽極導電層上蒸鍍空穴注入層材料MoOx，得厚度為10nm空穴注入層；

三、在空穴注入層上蒸鍍空穴傳輸層材料NPB，得厚度為40nm空穴傳輸層；

四、在空穴傳輸層上蒸鍍阻擋層材料mCP，得厚度為15nm激子阻擋層；

五、在激子阻擋層上蒸鍍發光層材料基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料與DMAC(二甲基乙酰胺)的混合物，厚度為50nm發光層；

六、在發光層上繼續蒸鍍基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧材料形成空穴阻擋層，厚度為40nm空穴阻擋層；

七、在空穴阻擋層上蒸鍍電子傳輸層材料Bphen，厚度為80nm電子傳輸層；

八、在電子傳輸層上蒸鍍電子注入層材料LiF，厚度為10nm電子注入層；

九、在電子注入層上蒸鍍材料為金屬，厚度為10nm的陰極導電層，得到電致磷光器件。

步驟八中所述的金屬為鋁。

本實驗中基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料既是電致磷光器件的發光層主體材料，又是電致磷光器件的空穴阻擋層材料。

本實驗電致磷光器件的結構為：ITO/MoOx(10nm)/NPB(40nm)/mCP(15nm)/2,4,6,8DBFQPO:DMAC(20％)50nm/2,4,6,8DBFQPO(40nm)/Bphen(80nm)/LiF(10nm)/Al。

本實驗以多功能化修飾的二苯并呋喃基膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO制備的電致藍光磷光器件的電壓-電流密度關系曲線如圖35所示，由此圖可知二苯并呋喃基膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO材料具有半導體特性，其閥值電壓為2.8V。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO制備的電致藍光磷光器件的電壓-亮度關系曲線如圖36所示，由此圖可知該器件的啟亮電壓為3.77V。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO制備的電致藍光磷光器件的亮度-電流效率關系曲線如圖37所示，由此圖可知該器件在亮度為58.09cd·m^-2時，電流效率達到最大值8.26cd·A^-1。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO制備的電致藍光磷光器件的亮度-功率效率關系曲線如圖38所示，由此圖可知該器件在在亮度為56.27cd·m^-2時，功率效率達到最大值3.93lm·W^-1。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO制備的電致藍光磷光器件的電流密度-外量子效率關系曲線如圖39所示，由此圖可知該器件在亮度為0.025mA·cm^-2時，獲得最大外量子效率12.39％。

本實驗以基于二苯并呋喃基團的n-型熱激發延遲熒光芳香膦氧主體材料2,4,6,8DBFQPO制備的電致藍光磷光器件的電致發光光譜圖如圖40所示，由此圖可知該器件的電致發光峰在467nm處。