本技術涉及膠帶領域，具體為一種低揮發(fā)包裹式石墨散熱硅膠膠帶。

背景技術：

1、隨著科學技術的不斷發(fā)展，生活中越來越多的機器朝著自動化、智能化發(fā)展。汽車作為人們生活中必不可少的交通工具，也越來越智能，功能越來越強大。激光雷達可以在掃描場景時獲取環(huán)境特征的距離及速度，是智能駕駛系統(tǒng)不可或缺的傳感器之一。激光雷達系統(tǒng)在運行過程中會產生熱量，為了使熱量及時分散出去不影響激光雷達元器件的正常運行需要通過散熱膠帶對激光雷達進行散熱，但是在實際應用中發(fā)現，激光雷達在使用時產生高溫，導致散熱膠帶產生揮發(fā)物影響激光雷達的準確性，并且在受到震動時容易受損。

2、鑒于此，有必要提供一種低揮發(fā)包裹式石墨散熱硅膠膠帶。

技術實現思路

1、本實用新型提供的一種低揮發(fā)包裹式石墨散熱硅膠膠帶，有效的解決了現有激光雷達散熱膠帶容易產生揮發(fā)物、減震效果差的問題。

2、本實用新型所采用的技術方案是：

3、一種低揮發(fā)包裹式石墨散熱硅膠膠帶，包括矩形發(fā)泡硅膠、其中一個膠面與矩形發(fā)泡硅膠的四側包覆粘接的低揮發(fā)透明pet雙面膠層、與低揮發(fā)透明pet雙面膠層的另一個膠面粘接的石墨片、粘接設置在石墨片遠離低揮發(fā)透明pet雙面膠層一側的低揮發(fā)啞黑pet膠帶層、粘接且包覆設置在低揮發(fā)啞黑pet膠帶層遠離石墨片一側的背膠低揮發(fā)銅箔雙面膠層，所述石墨片與發(fā)泡硅膠的四側對應。所述背膠低揮發(fā)銅箔雙面膠層與矩形發(fā)泡硅膠的其中一側對應。

4、進一步的是：所述低揮發(fā)啞黑pet膠帶層的厚度范圍為0.020mm～0.040mm。

5、進一步的是：所述石墨片的厚度范圍為0.017mm～0.07mm。

6、進一步的是：所述低揮發(fā)透明pet雙面膠層的厚度范圍為0.04mm～0.08mm。

7、進一步的是：所述背膠低揮發(fā)銅箔雙面膠層的厚度范圍為0.05mm～0.07mm。

8、實用新型的有益效果：通過背膠低揮發(fā)銅箔雙面膠層與激光雷達粘接，然后通過石墨進行散熱，發(fā)泡硅膠進行緩沖減震。通過低揮發(fā)啞黑pet膠帶層對四側的石墨片進行包覆固定，防止石墨片松動。通過低揮發(fā)透明pet雙面膠層將石墨片與發(fā)泡硅膠連接。

技術特征：

1.一種低揮發(fā)包裹式石墨散熱硅膠膠帶，其特征在于：包括矩形發(fā)泡硅膠(1)、其中一個膠面與矩形發(fā)泡硅膠(1)的四側包覆粘接的低揮發(fā)透明pet雙面膠層(2)、與低揮發(fā)透明pet雙面膠層(2)的另一個膠面粘接的石墨片(3)、粘接設置在石墨片(3)遠離低揮發(fā)透明pet雙面膠層(2)一側的低揮發(fā)啞黑pet膠帶層(4)、粘接且包覆設置在低揮發(fā)啞黑pet膠帶層(4)遠離石墨片(3)一側的背膠低揮發(fā)銅箔雙面膠層(5)，所述石墨片(3)與發(fā)泡硅膠的四側對應，所述背膠低揮發(fā)銅箔雙面膠層(5)與矩形發(fā)泡硅膠(1)的其中一側對應。

2.根據權利要求1所述的低揮發(fā)包裹式石墨散熱硅膠膠帶，其特征在于：所述低揮發(fā)啞黑pet膠帶層(4)的厚度范圍為0.020mm～0.040mm。

3.根據權利要求1所述的低揮發(fā)包裹式石墨散熱硅膠膠帶，其特征在于：所述石墨片(3)的厚度范圍為0.017mm～0.07mm。

4.根據權利要求1所述的低揮發(fā)包裹式石墨散熱硅膠膠帶，其特征在于：所述低揮發(fā)透明pet雙面膠層(2)的厚度范圍為0.04mm～0.08mm。

5.根據權利要求1所述的低揮發(fā)包裹式石墨散熱硅膠膠帶，其特征在于：所述背膠低揮發(fā)銅箔雙面膠層(5)的厚度范圍為0.05mm～0.07mm。

技術總結
本技術公開了一種低揮發(fā)包裹式石墨散熱硅膠膠帶，包括矩形發(fā)泡硅膠、其中一個膠面與矩形發(fā)泡硅膠的四側包覆粘接的低揮發(fā)透明PET雙面膠層、與低揮發(fā)透明PET雙面膠層的另一個膠面粘接的石墨片、粘接設置在石墨片遠離低揮發(fā)透明PET雙面膠層一側的低揮發(fā)啞黑PET膠帶層、粘接且包覆設置在低揮發(fā)啞黑PET膠帶層遠離石墨片一側的背膠低揮發(fā)銅箔雙面膠層，石墨片與發(fā)泡硅膠的四側對應。背膠低揮發(fā)銅箔雙面膠層與矩形發(fā)泡硅膠的一側對應。優(yōu)點：通過背膠低揮發(fā)銅箔雙面膠層與激光雷達粘接，通過石墨進行散熱，發(fā)泡硅膠進行緩沖減震。通過低揮發(fā)啞黑PET膠帶層對四側的石墨片進行包覆固定，防止石墨片松動。通過低揮發(fā)透明PET雙面膠層將石墨片與發(fā)泡硅膠連接。

技術研發(fā)人員：周風,施艷萍,吳娜娜
受保護的技術使用者：昆山漢品電子股份有限公司
技術研發(fā)日：20240719
技術公布日：2025/4/28