專利名稱：一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水及其制備方法
技術領域：
本發明涉及殺菌消毒領域，特別涉及一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水及其制備方法。
背景技術：
消毒領域中引入氧化還原電位的概念是源于日本20世紀80年代研制生產的酸性氧化電位水生成機及由生成機產生的酸性氧化電位水。酸性氧化電位水(簡稱E0W)是指具有高氧化還原電位(ORP)、低pH值特性和低濃度有效氯(ACC)的水。
酸性氧化電位水殺菌的機理如下首先，由于自然界中大多數種類的微生物生活在pH 4-9的環境中，而酸性氧化電位水的pH值可影響微生物生物膜上的電荷以及養料的吸收、酶的活性，并改變環境中養料的可給性或有害物質的毒性，從而達到殺滅微生物的目的。其次，由于氫離子、鉀離子、鈉離子等在微生物生物膜內外的分布不同，使得膜內、外電位達到動態平衡時有一定的電位差，一般約為-700 +900mV。需氧細菌的生物膜內外的的電位差一般為+200 +800mV,而厭氧細菌的生物膜內外的的電位差一般為-700 +200mV。酸性氧化電位水中的氧化、還原物質和pH等因素，使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范圍。具有高ORP (即0RP>1 IOOmV)的EOW接觸微生物后迅速奪取電子，干擾生物膜平衡，改變生物膜內外電位差、膜內外的滲透壓，導致生物膜通透性增強、細胞腫脹及細胞代謝酶的破壞，使胞內物質溢出、溶解，從而達到快速殺滅微生物的目的。最后，有效氯能使細胞的通透性發生改變，或使生物膜發生機械性破裂，促使細胞內溶物向外滲出，致使細菌死亡。并且，次氯酸為中性小分子物質，易侵入細胞內與蛋白質發生氧化作用或破壞其磷酸脫氫酶，使糖代謝失調致使細菌死亡，從而達到殺滅微生物的目的。EOW系統的殺菌能力是以ACC為主導，低pH值及高ORP為重要促進的三者協同作用的結果。該系統協同效果遠高于單一的ACC、低pH值及高ORP作用的簡單加和，其ACC越高、PH值越低、ORP越高，系統綜合滅菌效果就越好。但是，現有的酸性氧化電位水生成機生成的酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性。

發明內容
本發明的第一目的在于提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，以解決現有技術中的酸性氧化電位水生成機生成的酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性的技術性問題。本發明的第二目的在于提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，以解決現有技術中的酸性氧化電位水生成機生成的酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性的技術性問題。
本發明目的通過以下技術方案實現一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟(I)提供可以產生氫離子的A單元；(2)提供含有有效氯或者可以產生有效氯的B單元；(3)將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的PH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3_3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。優選地，在步驟(I)中還包括對所述A單元進行預處理。優選地，在步驟(2)中還包括對所述B單元進行預處理。 優選地，在步驟(3)中還包括對所述A單元與所述B單元混合后的混合液進行后處理。優選地，所述處理的方法可選自加入氯離子失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種，以去除部分氯離子。優選地，所述A單元為酸性。優選地，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種，所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。優選地,所述B單元為中性或者堿性。一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，包括使用前獨立分裝的A單元和B單元，所述A單元為可以產生氫離子的制劑；所述B單元為含有有效氯或者可以產生有效氯的制劑，所述A單元與所述B單元混合后得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的pH值在
2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3_3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。優選地，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種，所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。優選地,所述B單元為中性或者堿性。一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，所述殺菌水的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3-3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。優選地，所述殺菌水中含有無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽、強堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強酸強堿鹽的一種或者幾種。優選地，所述殺菌水中的有效氯由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質的一種或幾種生成，所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。與現有的通過酸性氧化電位水生成機生成的酸性氧化電位水相比，本發明有以下優點I、本發明的酸性氧化電位殺菌水可降低對金屬的腐蝕性，從而擴大了應用范圍；2、在使用前，本發明的酸性氧化電位殺菌水的A單元和B單元單獨存放，當要使用時，再將A單元和B單元混合，解決了酸性氧化電位殺菌水的儲藏問題，使用非常方便；
3、在制備本發明的酸性氧化電位殺菌水的過程中，增強了人為可調節性，可根據實際需求調節殺菌水的PH值、有效氯含量及氧化還原電位。


圖I為酸性氧化電位水的pH值與對銅的腐蝕性的關系示意圖；圖2為酸性氧化電位水中有效氯含量與對銅的腐蝕性的關系示意圖；圖3為酸性氧化電位水中氯離子含量與對銅的腐蝕性的關系示意圖；圖4為酸性氧化電位水中不同含量的有效氯與氯離子對銅的腐蝕性的關系示意圖；圖5為酸性氧化電位水中不同pH與氯離子對銅的腐蝕性的關系示意圖； 圖6為酸性氧化電位水中不同的A、B單元的混合方式對銅的腐蝕性的關系示意圖。
具體實施例方式以下對本發明進行詳細描述。目前，電解法制備的酸性氧化電位水對金屬的腐蝕性已經展開了初步研究，已公布的結果顯示酸性氧化電位水具有普遍的金屬腐蝕性。但是對其腐蝕性的機理研究并沒有進行，其腐蝕性通常被認為是過酸酸性(PH2-3)引起的，甚至認為近中性氧化電位水可以避免金屬腐蝕性。已公布的結果顯示酸性氧化電位水，對不銹鋼基本無腐蝕或者輕度腐蝕，對碳鋼、銅、鋁中度至嚴重腐蝕，其結論差異性很大。氫離子與活潑金屬(鐵、鎂、鋅等)的置換氫氣反應是眾所周知的，但是值得注意的是銅與氫離子是不發生反應的，而研究顯示酸性氧化電位水對銅的腐蝕性卻很嚴重。其中，顯而易見的是氫離子會與銅中的某些活潑的金屬雜質反應，如鋅、錫等。但是因為這些雜質是微量的，同時也是含量明確的，所以這些反應理應是有限的，并在一定時間后停止，也就是腐蝕停止，而事實證明腐蝕反應是始終持續的，而且長期接觸會呈加速過程腐蝕。由此可知，氫離子不是造成金屬腐蝕的唯一的原因，甚至也不是主要的原因。電解法制備的酸性氧化電位水中含有氫離子、氯離子、有效氯等化學粒子，因此當氫離子不能產生上述效果的時候，那么氯離子與有效氯對上述銅的腐蝕的影響就至關重要。請參閱圖1，圖中顯示氫離子濃度的下降，使體系的腐蝕性有所下降。體系中單純的氫離子濃度變化不能對銅造成腐蝕，但是酸性的降低，會引起氧化還原電位的下降。因此，氯離子濃度相同時，體系酸性的降低，使體系的ORP降低，氧化性的變化造成了對銅腐蝕性的差異。請參閱圖2，圖中顯示有效氯含量的增加，增強了體系的腐蝕性。氯離子濃度固定時，有效氯含量的增加，提高了體系的氧化性物質的量，使體系對銅的腐蝕性增強。同時可見，有效氯在一定范圍內(< 3000ppm)的增加，對腐蝕性影響不大。請參閱圖3，圖中顯示氯離子含量的增加，增強了體系的腐蝕性。pH/ACC濃度固定時，氯離子含量的增加，使體系對銅的腐蝕性增強。同時可見，氯離子在一定范圍內(低于6500ppm)的增加,對腐蝕性影響不大。請參閱圖4，圖中顯示酸性氧化性(含ACC)的體系中，氯離子與有效氯協同作用，極大的影響了體系對金屬的腐蝕性，使體系對金屬的腐蝕性產生突躍。其中，有效氯含量的增大(> 3000ppm),氯離子含量的增大(> 6500ppm),均會產生對金屬的腐蝕性的突躍。同時可知，有效氯的降低，使體系對金屬的腐蝕性降低，而且降低了突躍的顯著性。同時可知，在ACC ( 3000ppm及[Cl_] ( 5500ppm的范圍內，EOW具有較低的腐蝕性。請參閱圖5，圖中顯示酸性氧化性(含ACC)的體系中，不同的酸性環境(pH2_7)，氯離子濃度的增大(> 6500ppm),均會產生對金屬的腐蝕性的突躍。同時可知，酸性的降低，使體系對金屬的腐蝕性降低，而且降低了突躍的顯著性。
比較圖I-圖5可知，氯離子與有效氯均能促進銅的腐蝕，且存在某一范圍使腐蝕效果加劇。同時可知氯離子與有效氯含量的變化，在某一特殊范圍內，對銅的腐蝕性變化影響不大。綜上所述，酸性氧化電位水對金屬的腐蝕是三方面因素造成，一是體系的酸性，二是體系的氧化性(有效氯)，三是體系中的氯離子含量。但是酸性與氧化性是酸性氧化電位水的理化特質，也是殺菌性能的決定因素，因此，在一定意義上，殺菌性能與金屬的腐蝕性是共存的矛盾體。那么，控制酸性氧化電位水中的氯離子含量及適當控制有效氯含量，是降低金屬腐蝕性的更可行的方案。如圖4所示，酸性含氯離子的溶液對銅的腐蝕性是不可避免的，有效氯的引入及含量增加，促進了體系對金屬的腐蝕性。其中，氯離子與有效氯在某個濃度范圍協同作用，如氯離子大于6500mg/L或有效氯大于3000mg/L，對銅的腐蝕急劇上升。本發明提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟(I)提供可以產生氫離子的A單元；(2)提供含有有效氯或者可以產生有效氯的B單元；(3)將A單元與B單元混合，得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3_3000mg/L，其氯離子含量不高于 5500mg/L。本發明還提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，包括使用前獨立分裝的A單元和B單元，所述A單元為可以產生氫離子的制劑；所述B單元為含有有效氯或者可以產生有效氯的制劑，所述A單元與所述B單元混合后得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的PH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3_3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。由于電解方法通常是采用氯化鈉溶液為原料，其工作濃度通常在0. 5%_5%。而電解設備的電解效率、電解電流、電解電壓的差異，使電解法制出的EOW所含的氯離子含量差異很大，其控制更為復雜。電解法制備酸性氧化電位水，其機理為，陽極反應2Cr=Cl2+2e2H20=02+4H.+4e溶液反應C12+H20=HC10+HC1HC10===HCl+
與電解法相比，化學法制備酸性氧化電位溶液，通過計算即可控制溶液中的組分含量，其A、B單元的物質來源范圍更廣泛。但是也造成了溶液中的氯離子的來源更為多元化。體系中氯離子的引入主要有四種途徑，其一，酸性物質中含有或者產生氯離子，如鹽酸或者鹽酸弱堿鹽或者酰氯，其二，有效氯失活后，同樣會轉變為氯離子，如次氯酸鈉，NaC10==NaCl+
，其三，更為重要的是有效氯的原料中夾帶的氯離子，其四，含有氯離子的其他作用的組份，如增稠劑、穩定劑、強化劑、干燥劑、粘合劑等。化學法制備酸性氧化電位溶液，通常所使用的有效氯單元為次氯酸鹽，如次氯酸鈉、次氯酸鈣，其工業制法為氯氣通入氫氧化鈉溶液或者氫氧化鈣溶液，發生歧化反應(如下所示)，產生氯離子。Cl2+2Na0H=NaC10+NaCl+H202Cl2+2Ca (OH) 2=Ca (CIO) 2+CaCl2+2H20化學法制備酸性氧化電位溶液，所使用的有效氯單元為有效氯前體時，如二氯異 氰尿酸鈉，水解后產生氯氣、二氧化碳、氯化鈉、氨及氮氧化合物等復雜產物，有效氯中同樣含有氯離子。因為氯離子的多源化(途徑1-4)及不可避免性(途徑2、3)，所以單一的限定某一來源的氯離子含量，意義不大，同時也是不科學的。因此本發明中是限定了最終狀態下的氯離子含量，即A、B單元混合后的氯離子含量。因為最終產生效應(如殺菌性能、金屬腐蝕性)的是A、B單元混合液,而非A單元或者B單元。由圖3-圖5可知，化學法制備的酸性氧化電位溶液，通過計算量混合，只要控制A單元與B單元混合液中的氯離子含量不高于5500mg/L，就可以有效降低或者控制酸性氧化電位殺菌水的金屬腐蝕性。控制氯離子含量的方法，其一，通過調整A、B單元的體積及內在組分控制AB單元混合液中的物質含量；其二，通過A或(及)B單元的預處理，去除部分氯離子；其三，通過AB單元混合液的后處理，去除部分氯離子。所述去除氯離子的方法可以選加入氯離子失活劑，如沉淀劑與氯離子形成沉淀一銀離子、亞銅離子、亞汞離子等，如氧化劑氧化氯離子一二氧化錳、鹵酸鹽、臭氧等，如配位齊IJ與氯離子形成大分子配合物一[Pt (NH3)2Cl2K [CuCl4]2_等；也可以利用膜分離原理，如反滲透膜、離子選擇膜；也可以利用電化學原理，如電滲析法、電解法；也可以利用層析原理、吸附原理或離子交換原理中的一種或者幾種，以去除或者屏蔽部分氯離子。有效氯單元在通過上述方法去除部分氯離子時，通常有效氯會有一定的損失，其含量需要重新測定。優先選擇將B單元轉為分子型有效氯(近中性或微酸性)，使之與離子性物質區分，可以減少有效氯的損失。去除目的性雜質(氯離子)后，再恢復至有效氯的穩定形態。優先選擇快速處理或低溫條件下處理，同樣減少有效氯的損失。同樣，殺菌水的后處理會損失部分有效氯，但是只要適當增加有效氯的量并控制損失率，保證處理過的殺菌水在PH2-7，ORP彡700mV,ACC彡3mg/L的范圍內，均可以產生足夠的殺菌效果。由圖2可知，化學法制備的酸性氧化電位溶液，通過計算量混合，在保證殺菌效果的基礎上，只要控制A單元與B單元混合液中的有效氯含量，如不高于3000mg/L，就可以有效降低或者控制酸性氧化電位殺菌水的金屬腐蝕性。
我們知道，游離氯氣或者其衍生物可以增強體系的氧化性及殺菌性能。將A單元加入B單元，可以在一定程度上降低混合液的氧化性，同時降低了游離氯氣帶來的安全性的風險。因此，優先采取將A單元加入B單元的添加方式。將A單元加入B單元，可采取一次性加入或者分批加入或者緩慢加入或者噴霧加入或者滴加方式。如圖6所示，通過控制A、B單元的混合方式，將A單元加入B單元，可以一定程度降低對金屬的腐蝕性。A單元的pH值優選為0-7間，又優選為1-6間，再優選為1_5間，還有選為2_4間，最優選為2-3間。A單元可選自無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽或酸性物質的前體的一種或者幾種。無機酸可選自鹽酸、氫溴酸、氫碘酸、硫酸、硝酸、氯酸、高氯酸、溴酸、高溴酸、偏高碘酸、偏磷酸、高錳酸、氫硼酸、氫砹酸、氫碲酸、氫疊碘酸、氟硅酸、氯鉛酸、鋨酸、硒酸、高鐵酸、氟磺酸、氰酸、硫氰酸、磷酸、硫酸氫鈉、亞硫酸或亞硝酸。有機酸可選自苦味酸、焦性苦味酸、三氟乙酸、三氯乙酸、乙酸、甲酸、甲磺酸、苯磺酸、KMD酸、2-氯乙硫醇、乙二酸、丙二酸、丁二酸、乳酸、丙酮酸、酒石酸、蘋果酸、枸椽酸、苯甲酸、水楊酸或咖啡酸。常見的強酸弱堿鹽通 常為過渡金屬的強酸鹽或者胺類物質的強酸鹽，如氯化鋁、氯化鐵、硫酸鋁、硫酸鐵、硝酸銅或氯化銨。酸性物質的前體是指在溶液中能夠轉化為酸性物質的物質，如酸的酰氯衍生物，如琥珀酰氯。B單元可含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種。次氯酸鹽可選自次氯酸鈉、次氯酸鈣、漂白粉、漂白粉精、次氯酸鎂的一種或幾種。次氯酸鹽的復鹽可選自氯化磷酸三鈉(Na3PO4 l/4NaOCl 12H20)。亞氯酸鹽可選自亞氯酸鈉、亞氯酸鈣。有效氯前體物質是指與酸或水反應可以生成活化態有效氯的含氯物質，且其在B單元中的穩定性高于在A、B單元的混合液中，有效氯前體物質可選自二氯異氰尿酸鈉、二氯異氰尿酸、三氯異氰尿酸、氯胺T、氯酸鹽、高氯酸鹽的一種或幾種。B單元的有效氯為有效氯的穩定形態。有效氯穩定形態是指在B單元中具有更好穩定性，與酸或水反應可以生成活化態有效氯的含氯物質。B單元中有效氯含量應保證A、B單元混合液中的有效氯含量為3-3000mg/L。A、B單元混合液中的有效氯含量3-3000mg/L，其中優選為3_2500mg/L，再優選為
3-2000mg/L，又優選為3_1500mg/L，還優選為3-1000mg/L，更優選為3_500mg/L，最優選為30_250mg/L。B單元的pH為中性或者堿性，其中，優選為pH不低于8，再優選為pH不低于9，還優選為pH不低于10,又優選為pH不低于11，更優選為pH不低于12,最優選為pH不低于13。B單元的pH控制可以是強堿、中強堿、弱堿或者強堿弱酸鹽的一種或者幾種。B單元所含堿性物質可選自堿金屬的氫氧化物，如氫氧化鈉、氫氧化鉀等，也可選自堿土金屬的氫氧化物，如氫氧化鈣、氫氧化鋇、氫氧化鎂等，也可以選自過渡金屬的氫氧化物，如氫氧化鋅、氫氧化鐵等，也可以選自含氮物質，如氨水、二乙醇胺、三乙胺等，也可選自強堿弱酸鹽，如碳酸鈉、乙酸鈉、磷酸鈉、檸檬酸鈉等。A、B單元混合液中的氯離子含量不高于5500mg/L,其中優選為不高于4500mg/L,再優選為不高于3500mg/L，又優選為不高于2500mg/L，還優選為不高于1500mg/L，最優選為不高于900mg/L。
本發明還提供一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，殺菌水的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3-3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。其pH值為2-7，其中優選為3-7間，又優選為4_7間，最優選為5_7間。其pH值的酸性控制，可以單獨由酸性調節劑控制或者由酸性調節劑與堿性調節劑共同控制，使低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水含有無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽、強堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強酸強堿鹽的一種或者幾種。所含酸性調節劑可選自無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽或酸性物質的前體的一種或者幾種。無機酸可選自鹽酸、氫溴酸、氫碘酸、硫酸、硝酸、氯酸、高氯酸、溴酸、高溴酸、偏高碘酸、偏磷酸、高錳酸、氫硼酸、氫砹酸、氫碲酸、氫疊碘酸、氟硅酸、氯鉛酸、鋨酸、硒酸、高鐵酸、氟磺酸、氰酸、硫氰酸、磷酸、硫酸氫鈉、亞硫酸或亞硝酸。有機酸可選自苦味酸、焦性苦味酸、三氟乙酸、三氯乙酸、乙酸、甲酸、甲磺酸、苯磺酸、KMD酸、2-氯乙硫醇、乙二酸、丙二酸、丁二酸、乳酸、丙酮酸、酒石酸、蘋果酸、枸椽酸、苯甲酸、水楊酸或咖啡酸。常見的強酸弱堿鹽通常為過渡金屬的強酸鹽或者胺類物質的強酸鹽，如氯化鋁、氯化鐵、硫酸鋁、硫酸鐵、 硝酸銅或氯化銨。酸性物質的前體是指在溶液中能夠轉化為酸性物質的物質，如酸的酰氯衍生物，如琥珀酰氯。所用堿性調節劑可以是強堿、中強堿、弱堿或者強堿弱酸鹽的一種或者幾種。所含堿性物質可選自堿金屬的氫氧化物，如氫氧化鈉、氫氧化鉀等，也可選自堿土金屬的氫氧化物，如氫氧化鈣、氫氧化鋇、氫氧化鎂等，也可以選自過渡金屬的氫氧化物，如氫氧化鋅、氫氧化鐵等，也可以選自含氮物質，如氨水、二乙醇胺、三乙胺等，也可選自強堿弱酸鹽，如碳酸鈉、乙酸鈉、磷酸鈉、檸檬酸鈉等。所含有效氯可由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質的一種或幾種生成。次氯酸鹽可選自次氯酸鈉、次氯酸鈣、漂白粉、漂白粉精、次氯酸鎂的一種或幾種。次氯酸鹽的復鹽可選自氯化磷酸三鈉(Na3PO4 l/4NaOCl 12H20)。亞氯酸鹽可選自亞氯酸鈉、亞氯酸鈣。有效氯前體物質是指與酸或水反應可以生成活化態有效氯的含氯物質，有效氯前體物質可選自二氯異氰尿酸鈉、二氯異氰尿酸、三氯異氰尿酸、氯胺T、氯酸鹽、高氯酸鹽的一種或幾種。其有效氯含量3-3000mg/L，其中優選為3_2500mg/L，再優選為3_2000mg/L，又優選為 3-1500mg/L，還優選為 3-1000mg/L，更優選為 3_500mg/L，最優選為 30_250mg/L。其氯離子含量不高于5500mg/L，其中優選為不高于4500mg/L，再優選為不高于3500mg/L,又優選為不高于2500mg/L,還優選為不高于1500mg/L,最優選為不高于900mg/
L0以下結合實施例詳細說明本發明。實施例I :配置1000L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3mg/L)原料A :硫酸水溶液(pH2_3)，量取1000L，灌裝，封口，得A單元1000L酸性水。原料B : 二氯異氰尿酸鈉(有效氯0. 25g/g)，稱取12g，分裝，得B單元(有效氯約3g)。使用時，將A單元與B單元混合，使B單元溶解，制得1000L強酸性氧化電位殺菌水(pH2-3，0RP1030-1130mV, ACC3mg/L，氯離子含量為3mg/L)。此時，溶液中含有強酸、弱
酸、強酸強堿鹽。
實施例2 :配置1000L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為30mg/L)原料A :硫酸水溶液(pH3_5)，量取1000L，灌裝，封口，得A單元1000L酸性水。原料B :二氯異氰尿酸鈉(有效氯0. 25g/g)，稱取120g，分裝，得B單元(有效氯約30g)。使用時，將A單元與B單元混合，使B單元溶解，制得1000L弱酸性氧化電位殺菌水(pH3-5，0RP1000-1100mV，ACC30mg/L，氯離子含量為60mg/L)。此時，溶液中含有強酸、弱
酸、強酸強堿鹽。
實施例3 :配置1000L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為500mg/L)原料A :硫酸水溶液(pH5-7)，量取1000L，灌裝，封口，得A單元1000L酸性水。原料B : 二氯異氰尿酸鈉(有效氯0. 25g/g)，稱取2Kg，分裝，得B單元(有效氯約500g)。使用時，將A單元加入B單元，使B單元溶解，制得1000L微酸性氧化電位殺菌水(pH5-7，0RP900-1100mV，ACC500mg/L，氯離子含量為1000mg/L)。此時，溶液中含有強酸、弱
酸、強酸強堿鹽。實施例4 :配置1000L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :硫酸水溶液(pH2. 5)，量取1000L，灌裝，封口，得A單元1000L酸性水。原料B :三氯異氰尿酸(有效氯0. 4g/g)，稱取2. 5Kg，添加120g氫氧化鈉，混合分裝，得B單元2. 62Kg粉末(有效氯約IKg)。使用時，將A單元緩慢加入B單元(不小于15分鐘)，使B單元溶解，制得1000L酸性氧化電位殺菌水(PH3-4，0RP1100-1200mV, ACC1000mg/L，氯離子含量為1000mg/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽。實施例5 :配置1000L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為2000mg/L)原料A :硫酸水溶液(pH2. 5)，量取1000L，灌裝，封口，得A單元1000L酸性水。原料B :氯胺T (有效氯0. 25g/g)，稱取8Kg，添加168g碳酸鈉，混合分裝，得B單元(有效氯約2Kg)。使用時，將A單元分批加入B單元，使B單元溶解，每批添加量100L，制得1000L酸性氧化電位殺菌水(PH5-7，0RP1000-1150mV, ACC2000mg/L，氯離子含量為3500mg/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、弱酸強堿鹽、強酸強堿鹽。實施例6 :配置1000L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3000mg/L)原料A :硫酸水溶液(pH3. 5)，量取1000L，灌裝，封口，得A單元1000L酸性水。原料B :固體二氧化氯(有效氯0. 2g/g),稱取15Kg,添加17g碳酸鈉,混合分裝,得B單元(有效氯約3Kg)。使用時，將A單元分批加入B單元，每批添加量50L，制得1000L微酸性氧化電位殺菌水(pH5-7，0RP1000-1200mV, ACC3000mg/L，氯離子含量為5500mg/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、弱酸強堿鹽、強酸強堿鹽。實施例7 :配置10L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3mg/L)原料A :鹽酸水溶液(pH2-3)，量取9.99L，灌裝，封口，得A單元9.99L酸性水，3500mg氯離子。原料B :穩定性二氧化氯溶液(有效氯3mg/ml, pH10-ll,氫氧化鈉調節)，量取IOml,灌裝,封口，得B單元(有效氯30mg, I. 5g氯離子)。使用時，將A單元與B單元混合，制得IOL酸性氧化電位殺菌水(pH2_3，0RP1050-1150mV，ACC3mg/L，氯離子含量為500mg/L)。此時，溶液中含有強酸、強酸強堿鹽。實施例8 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為500mg/L)原料A :鹽酸水溶液(PH3-3. 5)，量取9. 9L，灌裝，封口，得A單元9. 9L酸性水，355mg氯離子。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯50mg/ml, pH=10_ll,氫氧化鈉調節),量取0. 1L,灌裝，封口，得B單元0. IL溶液(有效氯5g，20g氯離子)。使用時，將A單元與B單元混合，制得IOL弱酸性氧化電位殺菌水(pH3_5，0RP1000-1150mV, ACC500mg/L，氯離子含量為2000mg/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、強 酸強堿鹽。在本實施例中，制得的酸性氧化電位殺菌水降解后轉變為氯離子和鈉離子，更近似機器電解產生的酸性氧化電位水的殘留物質，而氯離子含量明顯低于電解產生的酸性氧化電位水。實施例9 :配置IOL微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :鹽酸水溶液(pH5. 0-6.0)，量取9L，灌裝，封口，得A單元9L酸性水。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯10mg/ml,pH=7. 5,氫氧化鈉調節),量取1L,灌裝,封口，得B單元IL溶液(有效氯10g，氯離子55g)。其中高濃度氯離子(氯化鈉)為穩定劑。使用時，將A單元與B單元混合，制得IOL微酸性氧化電位殺菌水(pH5_7，ORP1000-1 IOOmV, ACC1000mg/L，氯離子含量為5500mg/L)。此時，溶液中含有強酸、強酸強堿鹽。制得的酸性氧化電位殺菌水降解后轉變為氯離子和鈉離子，更近似機器電解產生的酸性氧化電位水的殘留物質。實施例10 :配置10L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1500mg/L)原料A :鹽酸水溶液(pH2_2. 5)，量取9L，灌裝，封口，得A單元9L酸性水，3g氯離子。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯15mg/ml, pH=12. 5,氫氧化鈉-碳酸鈉調節),量取1L，灌裝，封口，得B單元(有效氯15g，27g氯離子)。使用時，將A單元加入B單元，混合均勻，制得10L弱酸性氧化電位殺菌水(pH3_5，0RP1050-1200mV，ACC1500mg/L，氯離子含量為3000mg/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、強
酸強堿鹽。在本實施例中，制得的酸性氧化電位殺菌水降解后轉變為氯離子和鈉離子，更近似機器電解產生的酸性氧化電位水的殘留物質。實施例11 :配置10L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為2000mg/L)原料A :鹽酸水溶液(pH=3_3. 5)，量取9. 8L，灌裝，封口，得A單元9. 8L酸性水，350mg氯離子。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯100mg/ml, pH=12,氫氧化韓調節)，量取200ml,灌裝，封口，得B單元(有效氯20g，氯離子39. 65g)。使用時，將A單元分批加入B單元，每批加入量50ml，制得10L酸性氧化電位殺菌水(pH5-7，0RP1000-1200mV, ACC2000mg/L，氯離子含量為4000mg/L)。此時，溶液中含有強
酸、強酸強堿鹽。實施例12 :配置IOL微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為2500mg/L)原料A :鹽酸水溶液(pH2-3)，量取9. 75L，灌裝，封口，得A單元9. 75L酸性水，
3.5g氯離子。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯100mg/ml，pH=12，二乙胺調節)，調整堿性，量取250ml，灌裝，封口，得B單元(有效氯25g，41. 5g氯離子)。使用時，將A單元緩慢加入B單元(時間不小于I分鐘)，制得IOL酸性氧化電位殺菌水(pH5-7，0RP1000-1200mV, ACC2500mg/L，氯離子含量為 4500mg/L)。 在本實施例中，制得的酸性氧化電位殺菌水降解后轉變為氯離子和鈉離子，更近似機器電解產生的酸性氧化電位水的殘留物質。實施例13 :配置IOL強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3000mg/L)原料A :鹽酸水溶液(pH2. 0-3. 0)，量取9L，灌裝，封口，得A單元9L酸性水，3. 55g
氣1 子。原料B :次氯酸鈉發生器制備次氯酸鈉溶液(有效氯30mg/ml，pH=7. 5，碳酸鈉調節)，量取1L，灌裝，封口，得B單元(有效氯30g，氯離子51. 45g)。使用時，將A單元緩慢(不少于5分鐘)加入B單元，制得IOL強酸性氧化電位殺菌水(pH2-3，0RP1200-1400mV, ACC3000mg/L，氯離子含量為 5500mg/L)。在本實施例中，制得的酸性氧化電位殺菌水降解后轉變為氯離子和鈉離子，更近似機器電解產生的酸性氧化電位水的殘留物質。實施例14 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :乙酸水溶液(pH4. 0-5. 0)，量取9. 8L，灌裝，封口，得A單元9.8L酸性水。原料B :次氯酸鈉發生器制備次氯酸鈉溶液(有效氯50mg/ml，pH=7. 5，碳酸氫鈉調節)，量取200ml，灌裝，封口，得B單元200ml溶液(有效氯10g，氯離子35g)。使用時，將A單元噴霧加入B單元，制得10L弱酸性氧化電位殺菌水(pH4_5，0RP1000-1200mV，ACC1000mg/L，氯離子含量為3500mg/L)。此時，溶液中含有弱酸-弱酸強堿鹽緩沖體系。實施例15 :配置10L微酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1500mg/L)原料A :乙酸-乙酸鈉溶液(pH5. 0-5. 5),量取9. 8L，灌裝，封口，得A單元9. 8L酸性水。原料B :次氯酸鈉發生器制備次氯酸鈉溶液(有效氯75mg/ml，pH=7. 5，氫氧化鋅調節)，量取200ml，灌裝，封口，得B單元200ml溶液(有效氯15g，氯離子50g)。使用時，將A單元滴加入B單元，制得10L微酸性氧化電位殺菌水(pH5_7，0RP1000-1200mV，ACC1500mg/L，氯離子含量為5000mg/L)。此時，溶液中含有乙酸-乙酸鈉緩沖體系。實施例16 :配置10L弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為200mg/L)原料A :酸性溶液(0. IM乙酸，0. OlM鹽酸)，量取9. 98L,灌裝，封口，得A單元
9.98L酸性水，3. 55g氯離子。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯100mg/ml/pH=13. 3,三乙醇胺調節),量取20ml,灌裝封口，得B單元20ml溶液(有效氯2g，氯離子1.6g)。使用時，將A單元加入B單元，制得IOL酸性氧化電位殺菌水(pH3_5，0RP1050-1150mV，ACC200mg/L，氯離子含量為520mg/L)。此時，溶液中含有強酸、弱酸、強酸
強堿鹽、強堿弱酸鹽。實施例17 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為150mg/L)原料A :檸檬酸溶液(0. 1M)，量取9.99L，灌裝，封口，得A單元9.99L酸性水。原料B :次氯酸鈉溶液(有效氯150mg/ml/pH=13-14, 二異丙胺調節),量取IOml,灌裝封口，得B單元10ml溶液(有效氯I. 5g,氯離子2g)。使用時，將A單元分批加入B單元，每批400ml，制得IOL酸性氧化電位殺菌水(pH3-5，0RP1000-1100mV，有效氯含量為150mg/L，氯離子含量為200mg/L)。此時，溶液含有檸檬酸_檸檬酸鹽緩沖溶液。實施例18 :配置IOL弱酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :酒石酸固體，稱取lmol，包裝，封口，得A單元。原料B :亞氯酸鈉溶液(有效氯lmg/ml/pH=13-14,氫氧化鋇調節),量取10L,灌裝封口，得B單元10L溶液(有效氯10g，氯離子35g)。使用時，將A單元與B單元混合，制得10L酸性氧化電位殺菌水(pH3_5，ORPl 100-1200mV，ACC1000mg/L，氯離子含量為3500mg/L)。此時，溶液含有酒石酸-酒石酸鹽緩沖溶液。實施例19 :配置10L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1500mg/L)原料A :琥珀酸溶液(IM)，量取10L，灌裝，封口，得A單元。原料B :二氯異氰尿酸鈉(有效氯0. 25g/g)，稱取60g，得B單元(有效氯約15g)。使用時，將A單元與B單元混合，制得10L酸性氧化電位殺菌水(pH2_3，0RP1200-1400mV, ACC1500mg/L，氯離子含量為 2500mg/L)。實施例20 :配置10L酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為3mg/L)原料A :檸檬酸固體，稱取0. lmol。原料B :次氯酸鈣粉末(有效氯0. lg/g)，稱取300mg (有效氯約30mg，氯離子156mg)。將A原料與B原料及0. 49mol氯化鈣(干燥劑)及0. 5g碳酸鈉混合一元包裝。使用時，將AB組合物溶于10L水中，待溶液轉為酸性后，制得10L酸性氧化電位殺 菌水(pH6. 85，0RP700mV，ACC3mg/L，氯離子含量為3500mg/L)。此時，溶液中含有弱酸、強酸強堿鹽、弱酸強堿鹽。實施例21 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為200mg/L)原料A :氯化鐵溶液(0. 0085M)，量取0. 98L，灌裝，封口，得A單元，含氯離子900mgo原料B :次氯酸鈉溶液(pH=7. 5)，量取20ml(有效氯200mg)，灌裝，封口，得B單元20ml溶液(有效氯200mg,氯離子IOOOmg)。使用時，將A單元與B單元混合，待溶液轉為酸性后，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-7，0RP800-1200mV, ACC200mg/L，氯離子含量為1900mg/L)。此時，溶液含有強酸弱堿
鹽、強酸強堿鹽、強酸。
實施例22 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為200mg/L)原料A :氯化鋁固體，稱取0.0094mol，灌裝，封口，得A單元，氯離子lOOOmg。原料B :亞氯酸鈉溶液(pH=7. 5)，量取IL (有效氯200mg)，灌裝，封口，得B單元IL溶液(有效氯200mg,氯離子lOOOmg)。使用時，將A單元與B單元混合，待溶液轉為酸性后，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-7，0RP800-1200mV, ACC200mg/L，氯離子含量為2000mg/L)。此時，溶液含有強酸弱堿
鹽、強酸強堿鹽、強酸。實施例23 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為200mg/L)原料A :氯化鋅溶液(0. 05M)，量取1L，灌裝，封口，得A單元，氯離子3550mg。
原料B :氯化磷酸三鈉固體，稱取6g，包裝，得B單元(有效氯200mg，氯離子1950mg)。使用時，將A單元與B單元混合，溶解，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2_3，ORPl 100-1250mV，ACC200mg/L，氯離子含量為5500mg/L)。此時，溶液含有強酸弱堿鹽、強酸
強堿鹽、強酸、弱酸。實施例24 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為100mg/L)原料A :硫酸鐵固體，稱取0. 02mol。原料B :次氯酸鈣粉末，稱取3g，有效氯約lOOmg，氯離子700mg。將A原料與B原料及5g乙酸鈉混合一元包裝。使用時，將AB組合物溶于IL水中，待溶液轉為酸性后，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-7，0RP800-1200mV, ACC100mg/L，氯離子含量為700mg/L)。此時，溶液含有強酸、弱
酸、強酸強堿鹽、弱酸弱堿鹽、強酸弱堿鹽、弱酸強堿鹽。因為硫酸鈣的溶解性差，所以體系中有不溶物，但是不影響其有效氯、pH、0RP的特性。實施例25 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :琥珀酰氯，稱取0. 03mol，包裝，封口，得A單元。原料B :次氯酸鈉溶液(pH=10，氫氧化鈉-碳酸鈉調節)，量取1L(有效氯lOOOmg)，灌裝，封口，得B單元IL溶液(有效氯lg，氯離子2. 37g)。使用時，將A單元加入B單元，溶解，待溶液轉為酸性后，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-7，0RP800-1300mV, ACC1000mg/L，氯離子含量為4500mg/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽、強堿弱酸鹽。實施例26 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1500mg/L)原料A :琥珀酰氯粉末，稱取0. 03mol。原料B :次氯酸鈣粉末，稱取8g，有效氯1500mg，氯離子2800mg。將A原料與B原料混合一元包裝。使用時，將AB組合物溶于IL水中，待溶液轉為酸性后，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-7，0RP800-1300mV, ACC1500mg/L，氯離子含量為5000mg/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽、強堿弱酸鹽。實施例27 :配置1000L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1500mg/L)原料A :電解產生酸性氧化電位水(pH2_3，0RP1100_1200mV，ACC迅速分解)，量取1000L，灌裝，封口，得A單元1000L酸性水，氯離子1500g。原料B :次氯酸鈣粉末(有效氯250mg/g)，稱取6kg，分裝，得B單元6kg粉末(有效氯 1500g，氯離子 2500g)。使用時，將A單元與B單元混合，制得1000L酸性氧化電位殺菌水(pH2_3，0RP1250-1400mV, ACC1500mg/L，氯離子含量為 4000mg/L)。實施例28 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為10mg/L)原料A :鹽酸溶液(pH2-3)，量取1L，氯離子355mg，獨立包裝。原料B :氯氣/氮氣混合氣，灌裝量5ml，有效氯10mg，獨立高密封包裝。
使用時，密閉條件下，將A單元加入B單元混合，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2-3，ORPl 100-1200mV，ACC10mg/L，氯離子含量為400mg/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸。實施例29 :配置10L酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為500mg/L)原料A :鹽酸溶液(3M)，量取15ml，氯離子I. 6g，獨立防腐包裝。原料B :氯酸鈉溶液(2. 5M，pH=8，碳酸鈉調節)，量取10ml，獨立防腐包裝。使用時，將A單元與B單元混合后，再用9. 975L的水稀釋，制得10L酸性氧化電位殺菌水(pH2. 5-3. 5，0RP1150-1300mV, ACC500mg/L，氯離子含量為 250mg/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽。實施例30 :配置10L酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為150mg/L)原料A :鹽酸溶液(4M)，量取10ml，氯離子I. 42g，獨立防腐包裝。原料B :高氯酸鈉溶液(0. 5M，pH=8，碳酸鈉調節)，量取10ml，獨立防腐包裝。使用時，將A單元與B單元混合后，再用9. 98L的水稀釋，制得10L酸性氧化電位殺菌水(pH3-7，0RP900-1 IOOmV, ACC150mg/L，氯離子含量為150mg/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽。實施例31 :配置IL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為500mg/L)原料A :鹽酸溶液(pH=0)，量取10ml，氯離子355mg，獨立包裝。原料B :次氯酸鈉溶液(pH=12. 5,氫氧化鉀調節)，量取IOml (有效氯500mg,氯離子1145mg)，獨立包裝。使用時，將A單元與B單元置于0. 98L水中，制得IL酸性氧化電位殺菌水(pH2_3，0RP1150-1350mV, ACC500mg/L，氯離子含量為I. 5g/L)。此時，溶液含有強酸、弱酸、強酸強堿鹽。實施例32 :配置1000L強酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量為1000mg/L)原料A :酸性水溶液2000L (pH2_3，氯離子3. 55g/L)。原料A預處理方法I,原料A加入水溶性銀離子200mol,形成氯離子沉淀,濾除沉淀,得到原料Al(pH2-3,氯離子低于50mg/L)。方法2,原料A加入水溶性亞銅離子200mol,形成氯離子沉淀,濾除沉淀,得到原料A2 (pH2-3，氯離子低于 500mg/L)。方法3，原料A加入200molMn02，氧化氯離子，濾除不溶物，得到原料A3 (pH2_3，氯離子低于1000mg/L)。方法4，原料A通過載銀的離子交換樹脂柱，去除氯離子，得到原料A4 (pH2_3，氯離子低于10mg/L)。方法5，原料A通過超細碳粉吸附柱，部分吸附氯離子，得到原料A5 (pH2_3，氯離子低于 2500mg/L)。方法6，原料A通過納濾膜(NF膜)，控制條件，使被截留的氯離子的量大于其它離子，得到原料A6 (pH2-3,氯離子低于3000mg/L)。分別量取原料A1-A6各1000L，灌裝，封口，得A單元1_6 :1000L酸性水(pH2_3，氯離子 10-3000mg/L)。原料B :次氯酸鈣粉末(有效氯200mg/g)，稱取5kg，分裝，得B單元5kg粉末(有效氯lOOOg，氯離子2500g)。制備相同B單元各6份。
使用時，將A單元1-6分別與一份B單元混合，制得1000L酸性氧化電位殺菌水
1-6 (pH2-3，0RP1100-1300mV, ACC1000mg/L，氯離子含量低于 5500mg/L)。上述酸性氧化電位殺菌水1-6繼續后處理方法1，殺菌水1-6分別定量加入水溶性銀離子，添加量與氯離子的摩爾比1:1，形成氯離子沉淀，得到殺菌水 7-12 (pH2-3，0RP1100-1300mV, ACC1000mg/L, [CF] < IOOmg/L)。方法2，殺菌水1-6分別定量加入水溶性亞銅離子，添加量與氯離子的摩爾比1: 1，形成氯離子沉淀，得到殺菌水 13-18 (pH2-3,0RP1100-1300mV,ACC1000mg/L, [CF] < 500mg/L)。方法3，殺菌水1-6分別加入Mn0270mol，氧化氯離子，得到殺菌水19-24 (pH2_3，0RP1100-1300mV, ACC1000-1500mg/L, [CF] < 2000mg/L)。方法4，殺菌水1-6分別快速通過載銀的離子吸附樹脂柱，去除氯離子，得到殺菌水 25-30 (pH2-3，0RP1100-1300mV，ACC100-800mg/L，[CF] < 50mg/L)。方法5，殺菌水1-6分別快速通過離子交換層析柱，部分吸附氯離子，得到殺菌水31-36 (pH2-3，0RP1100-1300mV，ACC300-1000mg/L，[CF] < 4000mg/L)。方法6，殺菌水1-6分別快速通過納濾膜(NF膜)，控制條件，使被截留的氯離子的量大于其它離子，得到殺菌水 37-42 (pH2-3，0RP1100-1300mV, ACC100-700mg/L, [CF]< 3500mg/L)o方法7，殺菌水1-6分別在一定電流下通過離子選擇膜，去除部分氯離子，得到殺菌水 43-48 (pH2-3，0RP1100-1300mV，ACC100-700mg/L，[CF] < 1500mg/L)。殺菌水的后處理會使有效氯部分損失，但是在pH2-7，ORP彡700mV, ACC彡3mg/L的范圍內，均可以產生足夠的殺菌效果。實施例33 :配置10L強酸性氧化電位殺菌水(ACC500-1000mg/L)原料A :檸檬酸粉末，稱量Imol，分裝，得A單元。分別制備相同的5份。原料B :有效氯溶液100L (pH9_10，有效氯100g，氯離子7. lg/L)。原料B預處理方法1，原料B酸化至pH6. 5_7，定量加入水溶性銀離子20mol，形成氯離子沉淀，快速濾除沉淀，濾液再堿化至原pH值，得原料BI (pH9-10, ACC900mg/L, [CF] < 200mg/L)。方法2,原料B酸化至pH6. 5_7，定量加入水溶性亞銅離子20mol,形成氯離子沉淀，再堿化至原pH值，快速過濾后，得原料B2 (pH9-10, ACC800mg/L, [CF] < 500mg/L)。方法3，原料B酸化至pH6. 5-7,快速通過載銀的離子吸附樹脂柱，再堿化至原pH值，得原料 B3 (pH9-10, ACC900mg/L, [CF] < 100mg/L)。方法4，原料B酸化至pH6. 5-7,快速通過離子交換層析柱，部分吸附氯離子，再堿化至原 PH 值，得原料 B4 (pH9-10, ACC900mg/L, [CF] < 3000mg/L)。方法5,原料B酸化至pH6. 8-7. 2,在一定電流作用下,快速通過選擇性離子膜,去除部分離子，再堿化至原pH值，得原料B5 (pH9-10, ACC900mg/L, [CF] < 2000mg/L)o有效氯單元在通過上述方法前，通常轉為分子型有效氯(近中性或微酸性)，使之與離子性物質區分。去除目的性雜質后，再恢復至有效氯的穩定形態。經過上述處理，有效氯會有一定損失，其含量需要重新測定。原料B1-B5各量取10L，灌裝，封口，制得B1-B5單元。·
使用時，將B1-B5單元分別與一份A單元混合，制得IOL酸性氧化電位殺菌水1_5(pH2-3，0RP1100-1300mV, ACC800_900mg/L，氯離子含量低于 3000mg/L)。上述酸性氧化電位殺菌水4繼續后處理方法I，殺菌水4定量加入水溶性銀離子，添加量與氯離子的摩爾比I: I，形成氯離子沉淀，得到殺菌水 6 (pH2-3, 0RP1100-1300mV, ACC900mg/L, [CF] < 50mg/L)。方法2，殺菌水4定量加入水溶性亞銅離子，添加量與氯離子的摩爾比1: 1，形成氯離子沉淀，得到殺菌水 7 (pH2-3, 0RP1100-1300mV, ACC900mg/L, [CF] < 200mg/L)。方法3，殺菌水4加入0. 845moIMnO2,氧化氯離子，得到殺菌水8 (pH2_3，0RP1100-1300mV, ACC1000-1500mg/L, [CF] < 1500mg/L)。方法4，殺菌水4快速通過載銀的離子吸附樹脂柱，去除氯離子，得到殺菌水9(pH2-3, 0RP1100-1300mV, ACC800mg/L, [CF] < 50mg/L)。方法5，殺菌水4快速通過離子交換層析柱，部分吸附氯離子，得到殺菌水10(pH2-3, 0RP1100-1300mV, ACC600mg/L, [CF] < 1000mg/L)。方法6，殺菌水4快速通過納濾膜(NF膜)，控制條件，使被截留的氯離子的量大于其它離子，得到殺菌水 11 (pH2-3, 0RP1100-1300mV, ACC500mg/L, [CF] < 2000mg/L)。方法7，殺菌水4在一定電流作用下，快速通過選擇性離子膜，去除部分離子，得到殺菌水 12 (pH2-3, 0RP1100-1300mV, ACC800mg/L, [CF] < 1000mg/L)。殺菌水的后處理會使有效氯部分損失，但是在pH2-7，ORP彡700mV, ACC彡3mg/L的范圍內，均可以產生足夠的殺菌效果。實施例34 :配置100L酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量1000mg/L)原料A 電解法制備EOW水99L (pH2_3，氯離子I. lg/L)。原料A預處理原料A加入水溶性銀離子19. 8mol,形成氯離子沉淀，濾除沉淀，得到原料Al(pH2-3,氯離子低于50mg/L)。灌裝,封口，制得Al單元。原料B 電解法制備次氯酸鈉溶液10L (pH7. 5，氯離子10g/L)。原料B酸化至pH6. 5-7,快速通過載銀的離子吸附樹脂柱，再堿化至原pH值，得原料 BI (ρΗ7· 5，ACC100mg/ml，[CF] < 50mg/L)。稱取IL原料BI，灌裝，封口，制得BI單元。使用時，將Al單元與BI單元混合，制得100L酸性氧化電位殺菌水(pH2_3，0RP1200-1300mV, ACC1000mg/L,氯離子含量< 50mg/L)。
實施例35 :配置IOL酸性氧化電位殺菌水(有效氯含量2500mg/L)原料A :酸水溶液(pH5_6，氯離子5g/L)，量取9L，灌裝，封口，制得A單元。原料B :次氯酸鈉溶液(pH7. 5，ACC30g/L，氯離子50g/L)，稱取1L，灌裝，封口，制得BI單元。使用時，將Al單元與BI單元混合，制得IOL高氯離子含量的酸性氧化電位殺菌水(pH6-7，0RP1000-1200mV，ACC3000mg/L，氯離子> 9. 5g/L)。上述殺菌水快速通過載銀的離子吸附樹脂柱，制得低氯離子殺菌水(PH6-7，ACC2500mg/ml, 0RP1000-1200mV, [CF]< 100mg/L)。消毒效果試驗以金黃色葡萄球菌ATCC 6538作為細菌繁殖體中化膿性球菌的代表；大腸桿菌8099作為細菌繁殖體中腸道菌的代表；銅綠假單胞菌ATCC 15442作為醫院感染中最常分離的細菌繁殖體的代表；白色葡萄球菌8032作為空氣中細菌的代表；龜分枝桿菌膿腫亞種ATCC93326作為人結核分枝桿菌的代表；枯草桿菌黑色變種芽孢ATCC 9372作為細菌芽孢的代表；白色念珠菌ATCC 10231和黑曲霉菌ATCC 16404作為致病性真菌的代表；脊髓灰質炎病毒-I型疫苗株(Poliovirus- I )作為病毒的代表；以耐甲氧西林的金黃色葡萄球菌(MRSA)和耐萬古霉素腸球菌(VRE)作為耐藥菌的代表；以副溶血性弧菌、單增李斯特菌代表水產品中的致病菌；以雞白痢沙門氏菌代表禽類致病菌；以小麥條銹菌代表農業致病菌。殺菌試驗I (懸液定量)，酸性氧化電位殺菌水殺滅對數及時間試驗品1，ACC3mg/L、ρΗ6· 8、0RP730mV,氯離子 1300mg/L試驗品2，ACC3mg/L、pH2. 0、0RP1030mV,氯離子 1300mg/L對照品1，機器電解酸性氧化電位水I (ACC3mg/L、pH6. 8、0RP730mV)對照品2，機器電解酸性氧化電位水2 (ACC3mg/L、pH2. O、0RP1030mV) 表I作用時間15min后的殺滅對數
試驗囷試驗品I 試驗品2 對照品I 對照品2
金黃色葡萄球菌>5.00 >5.00 >5.00 >5.00
大腸桿菌>5.00 >5.00 >5.00 >5.00
銅綠假單胞菌>5.00 >5.00 >5.00 >5.00
白色念珠菌>5.00 >5.00 >5.00 >5.00
黑曲霉菌>5.00 >5.00 >5.00 >5.00
白色葡萄球菌>5.00 >5.00 >5.00 >5.00
脊髓灰質炎病毒I型疫苗株 >5. 00 >5. 00 >5. 00 >5. 00~
龜分枝桿菌膿腫亞種>5.00 >5.00 >5.00 >5.00
注以上實驗在清潔條件下(加O. 3%有機干擾物)進行。殺菌試驗2 (懸液定量)，酸性氧化電位殺菌水殺滅對數及時間試驗品1，ACC3000mg/L、ρΗ6· 8、ORPllOOmV，氯離子5500mg/L試驗品2，ACC3000mg/L、ρΗ2· O、0RP1350mV,氯離子5500mg/L表2作用時間O. 5min后的殺滅對數
權利要求
1.一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 (1)提供可以產生氫離子的A單元； (2)提供含有有效氯或者可以產生有效氯的B單元； (3)將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3_3000mg/L，其氯離子含量不聞于5500mg/L。
2.如權利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(I)中還包括對所述A單元進行預處理。
3.如權利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(2)中還包括對所述B單元進行預處理。
4.如權利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟(3)中還包括對所述A單元與所述B單元混合后的混合液進行后處理。
5.如權利要求2或3或4所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述處理的方法可選自加入氯離子失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種，以去除部分氯離子。
6.如權利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述A單元為酸性。
7.如權利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種，所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。
8.如權利要求I所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述B單元為中性或者堿性。
9.一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，包括使用前獨立分裝的A單元和B單元，所述A單元為可以產生氫離子的制劑；所述B單元為含有有效氯或者可以產生有效氯的制劑，所述A單元與所述B單元混合后得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3_3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。
10.如權利要求9所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述B單元含有液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質中的一種或幾種，所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。
11.如權利要求9所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述B單元為中性或者堿性。
12.—種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3-3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L0
13.如權利要求12所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水中含有無機酸、有機酸、強酸弱堿鹽、強堿弱酸鹽、弱酸弱堿鹽或者強酸強堿鹽的一種或者幾種。
14.如權利要求12所述的低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水中的有效氯由液氯、二氧化氯、次氯酸鹽、次氯酸鹽的復鹽、亞氯酸鹽或有效氯前體物質的 一種或幾種生成，所述有效氯前體物質是指與酸或者水反應可以生成有效氯的含氯物質。
全文摘要
本發明涉及殺菌消毒領域，特別涉及一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水及其制備方法。本發明的一種低腐蝕性的酸性氧化電位殺菌水的制備方法，包括以下步驟(1)提供可以產生氫離子的A單元；(2)提供含有有效氯或者可以產生有效氯的B單元；(3)將所述A單元與所述B單元混合，得到酸性強氧化性溶液，所述酸性強氧化性溶液的pH值在2-7間，其氧化還原電位不低于700mV，其有效氯含量為3-3000mg/L，其氯離子含量不高于5500mg/L。與現有的通過酸性氧化電位水生成機生成的酸性氧化電位水相比，本發明的酸性氧化電位殺菌水可降低對金屬的腐蝕性，從而擴大了應用范圍。
文檔編號C02F1/461GK102963964SQ20121036171
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月21日 優先權日2011年12月31日
發明者邵鵬飛 申請人:邵鵬飛