1.一種用以單一化晶圓(100、101、200、300)的方法，該晶圓具有第一面(100a、101a、300a)以及位于與該第一面(100a、101a、300a)相反的第二面(100b、101b、300b)，其特征在于，該方法包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在以該保護裝置(120、220、320)接觸(410)該晶圓(100、101、200、300)之后及在單一化(430)該晶圓(100、101、200、300)之前或同時：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，通過蝕刻工藝形成(405、415)所述間隙(140a、350)及/或所述溝渠(140b、151)。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，該蝕刻工藝還用于蝕刻所述芯片(180a、180b、181、280、380)的結構，例如，犧牲層蝕刻。
5.根據權利要求1至4任一項所述的方法，其特征在于，該單一化(430)使用蝕刻法、雷射切割法及/或破斷法進行。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該晶圓(100、101、200、300)具有用于微機電系統的開放mems結構(130、131、230、330)。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，該開放mems結構具有向該晶圓(100、101、200、300)的第一面(100a、101a、300a)開放，且該晶圓(100、101、200、300)與該保護裝置(120、220、320)接觸，使得該一個或多個承載結構(122、222、322)并不接觸該開放mems結構(130、131、230、330)。
8.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，該開放mems結構(130、131、230、330)包括用于微鏡片數組的mems結構。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，該晶圓(101、300)具有固持結構(160、360)，及/或在以該保護裝置接觸(410)之后及在單一化該晶圓(101、300)之前，在該晶圓(101、300)中形成固持結構(160、360)，其中該固持結構(160、360)被配置為在單一化后限制所述芯片(181、380)在至少一方向的可能移動。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，該晶圓(300)被連接至該保護裝置(320)，且在單一化之后及移開所述芯片(380)之前，該晶圓(300)與該保護裝置(320)一起繞著平行于該晶圓(300)的該第一面(300a)的軸(315)旋轉170°至190°的角度，并且該固持結構(360)被實施為使得在該旋轉期間，所述芯片(380)仍在該晶圓(360)內，且該晶圓(300)被連接至該保護裝置(320)。
11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，該保護裝置(320)在該旋轉之前被設置在該晶圓(300)之上。
12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，單一化(430)該晶圓(100)通過將所述芯片(180a)由該保護裝置(120)移開(440)來進行。
13.一種保護裝置(120、220、320)，具有一個或多個承載結構(122、222、322)，用于暫時承載晶圓(100、101、200、300)在該保護裝置(120、220、320)上及/或用于暫時承載該保護裝置(120、220、320)在該晶圓(100、101、200、300)上，其特征在于，該保護裝置(120、200、320)被配置為在根據權利要求1至12中任一項所述方法中使用。
14.根據權利要求13所述的保護裝置(220)，其特征在于，該保護裝置(220)包括固定裝置(224)，用以暫時固定該晶圓(200)，其中該固定裝置(224)優選具有一個或多個固定組件(226)，用以防止該晶圓(200)的不想要的側向位移。
15.根據利要求13或14所述的保護裝置(320)，其特征在于，該保護裝置(320)具有外壁(326)，該外壁(326)具有用于氣體供給的開口(328)。