技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種MOS電容三頻率測量方法，包括以下步驟：建立MOS電容的五元素等效電路模型；采用兩元素并聯(lián)模型對MOS電容在三個頻率下進(jìn)行C?V特性測量；根據(jù)五元素等效電路模型以及上述C?V特性測量數(shù)據(jù)提取MOS電容的六個輔助特征方程；根據(jù)輔助特征方程求解得到MOS電容的電容值。對比現(xiàn)有技術(shù)中的雙頻C?V結(jié)合I?V的MOS電容測量方法，本發(fā)明具有幾乎同樣高的電容測量精度。本發(fā)明只需要測量C?V數(shù)據(jù)、不需要測量I?V數(shù)據(jù)，解決了批量測量時硬件和軟件上頻繁切換C?V和I?V測量的問題，更是解決了很多儀器沒有I?V測量功能而無法使用現(xiàn)有專利技術(shù)的問題。因而，本發(fā)明是有效的、并且測量效率大大提高。

技術(shù)研發(fā)人員：張希珍;陳寶玖;于濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：大連海事大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.05
技術(shù)公布日：2017.08.11