本公開涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法、內(nèi)漏檢測裝置、控制裝置、及計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造工藝中，在半導(dǎo)體晶片上會進(jìn)行薄膜沉積、刻蝕、去膠等工藝。一般地，在利用半導(dǎo)體工藝設(shè)備對半導(dǎo)體晶片實施上述工藝的過程中，是將待處理的半導(dǎo)體晶片（例如，晶圓）置于密閉的工藝腔體中，提供工藝反應(yīng)所需要的反應(yīng)氣體進(jìn)入工藝腔室內(nèi)參與反應(yīng)。

2、質(zhì)量流量控制器（mass?flow?controller，mfc）是薄膜沉積技術(shù)的氣體傳輸設(shè)備中重要的一部分，它不僅具有精確測量氣體流量的功能，還能根據(jù)用戶的設(shè)定控制氣體的流量。在工藝生產(chǎn)中，通常會打開進(jìn)氣閥門使反應(yīng)氣體進(jìn)入質(zhì)量流量控制器mfc，并打開出氣閥門使反應(yīng)氣體從質(zhì)量流量控制器mfc流向工藝腔室。

3、其中，部分工藝對氣體流量要求嚴(yán)格，微小的氣體流量變化對工藝結(jié)果都有很大影響，通入工藝腔室的氣體量不符合預(yù)期，進(jìn)而導(dǎo)致薄膜沉積厚度異常甚至產(chǎn)品報廢，而mfc如發(fā)生內(nèi)漏時會影響氣體流量的精準(zhǔn)性，從而影響工藝結(jié)果，導(dǎo)致生產(chǎn)良率下降。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述相關(guān)技術(shù)的缺點，本公開的目的在于提供一種質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法、內(nèi)漏檢測裝置、控制裝置、以及計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，解決相關(guān)技術(shù)中的種種問題。

2、本公開第一方面提供一種質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法，所述質(zhì)量流量控制器應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括工藝腔室、至少一路進(jìn)氣裝置、以及排氣裝置，每一路進(jìn)氣裝置包括進(jìn)氣管路和設(shè)于進(jìn)氣管路上的反應(yīng)氣體源、氣源閥門、質(zhì)量流量控制器、以及控制器閥門，多路進(jìn)氣裝置與工藝腔室之間設(shè)有進(jìn)氣總閥門，所述排氣裝置包括排氣管路和設(shè)于排氣管路上的排氣閥組件和排氣泵；所述質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法包括如下步驟：

3、將排氣裝置中的排氣閥組件打開，將待測的質(zhì)量流量控制器所屬的一路進(jìn)氣裝置中的氣源閥門關(guān)閉并將控制器閥門打開，將進(jìn)氣總閥門打開，啟動排氣泵，使得工藝腔室進(jìn)入排氣模式以實施排氣；

4、將排氣裝置中的排氣閥組件關(guān)閉，將待測的質(zhì)量流量控制器所屬的一路進(jìn)氣裝置中的氣源閥門關(guān)閉并將控制器閥門打開，將進(jìn)氣總閥門打開，使得工藝腔室進(jìn)入脫氣模式以實施脫氣；在完成脫氣后，檢測工藝腔室的第一壓力p1；

5、將排氣裝置中的排氣閥組件關(guān)閉，將待測的質(zhì)量流量控制器所屬的一路進(jìn)氣裝置中的氣源閥門打開并將控制器閥門打開，將進(jìn)氣總閥門打開，使得工藝腔室進(jìn)入泄漏檢測模式，由這一路進(jìn)氣裝置向工藝腔室輸送反應(yīng)氣體以實施泄漏檢測，并在一送氣時間后，檢測工藝腔室的第二壓力p2；以及

6、根據(jù)檢測的工藝腔室的第一壓力p1和第二壓力p2，判定待測的質(zhì)量流量控制器是否存在內(nèi)漏。

7、在第一方面的某些示例中，所述啟動排氣泵以實施排氣包括：啟動排氣泵進(jìn)行排氣；在持續(xù)一排氣時間后，關(guān)閉排氣泵停止排氣。

8、在第一方面的某些示例中，根據(jù)檢測的工藝腔室的第一壓力p1和第二壓力p2，判定待測的質(zhì)量流量控制器是否存在內(nèi)漏，包括：根據(jù)檢測的工藝腔室的第一壓力p1和第二壓力p2，計算泄漏率；所述泄漏率為第二壓力p2與第一壓力p1的差值與送氣時間的比值；將計算得到的泄漏率與設(shè)定的泄漏閾值作比較，且當(dāng)所述泄漏率大于等于所述泄漏閾值時，判定待測的質(zhì)量流量控制器存在內(nèi)漏。

9、在第一方面的某些示例中，所述內(nèi)漏檢測方法還包括：在完成泄漏檢測之后，將排氣裝置中的排氣閥組件打開，啟動排氣泵，實施排氣。

10、在第一方面的某些示例中，所述內(nèi)漏檢測方法還包括：將判定為存在內(nèi)漏的質(zhì)量流量控制器進(jìn)行維修或更換。

11、本公開第二方面提供一種質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測裝置，所述質(zhì)量流量控制器應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括工藝腔室、至少一路進(jìn)氣裝置、以及排氣裝置，每一路進(jìn)氣裝置包括進(jìn)氣管路和設(shè)于進(jìn)氣管路上的反應(yīng)氣體源、氣源閥門、質(zhì)量流量控制器、控制器閥門，多路進(jìn)氣裝置與工藝腔室之間設(shè)有進(jìn)氣總閥門，所述排氣裝置包括排氣管路和設(shè)于排氣管路上的排氣閥組件和排氣泵；所述質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測裝置包括：氣路控制模塊、檢測模塊、以及泄漏判定模塊；

12、氣路控制模塊，被配置為控制每一路進(jìn)氣裝置中的反應(yīng)氣體源、氣源閥門、質(zhì)量流量控制器、及控制器閥門，控制進(jìn)氣總閥門，以及控制排氣裝置中的排氣閥組件和排氣泵；通過氣路控制模塊，使得工藝腔室可進(jìn)入排氣模式以實施排氣、或者進(jìn)入脫氣模式以實施脫氣、或者進(jìn)入泄漏檢測模式以實施泄漏檢測；

13、檢測模塊，被設(shè)置為在完成脫氣后檢測工藝腔室的第一壓力p1和在泄漏檢測后檢測工藝腔室的第二壓力p2；

14、泄漏判定模塊，被設(shè)置為根據(jù)所述檢測模塊檢測的工藝腔室的第一壓力p1和第二壓力p2，判定待測的質(zhì)量流量控制器是否存在內(nèi)漏。

15、在第二方面的某些示例中，所述泄漏判定模塊根據(jù)所述檢測模塊檢測的工藝腔室的第一壓力p1和第二壓力p2，判定待測的質(zhì)量流量控制器是否存在內(nèi)漏包括：根據(jù)檢測的工藝腔室的第一壓力p1和第二壓力p2，計算泄漏率；所述泄漏率為第二壓力p2與第一壓力p1的差值與送氣時間的比值；將計算得到的泄漏率與設(shè)定的泄漏閾值作比較，且當(dāng)所述泄漏率大于等于所述泄漏閾值時，判定待測的質(zhì)量流量控制器存在內(nèi)漏。

16、在第二方面的某些示例中，所述檢測模塊為壓力計。

17、本公開第三方面提供一種控制裝置，包括：處理器；存儲器，存儲有質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測程序；其中，所述質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測程序被所述處理器運行時執(zhí)行如前所述的質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法。

18、本公開第四方面提供一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測程序，所述質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測程序被所述處理器運行時執(zhí)行如前所述的質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法。

19、如上所述，本公開實施例提供質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法、內(nèi)漏檢測裝置、及控制裝置，可用于對質(zhì)量流量控制器進(jìn)行內(nèi)漏檢測。在所述內(nèi)漏檢測方法中，先對包括待測的質(zhì)量流量控制器在內(nèi)的進(jìn)氣管路和工藝腔室實施排氣，再對包括待測的質(zhì)量流量控制器在內(nèi)的進(jìn)氣管路和工藝腔室形成的密閉空間實施脫氣，在脫氣完成后，由進(jìn)氣裝置對通過進(jìn)氣管路對工藝腔室輸送氣體以實施泄漏檢測，從而判定出待測的質(zhì)量流量控制器是否存在內(nèi)漏，相比于相關(guān)技術(shù)，本公開提供的質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法具有流程簡單、不會影響半導(dǎo)體工藝制程、檢測精確、并可對檢測出存在內(nèi)漏的質(zhì)量流量控制器進(jìn)行及時的維修或更換，確保氣體流量控制的精準(zhǔn)性，更有利于后續(xù)半導(dǎo)體晶片的制程工藝，提升良率。

技術(shù)特征：

1.一種質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法，其特征在于，所述質(zhì)量流量控制器應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括工藝腔室、至少一路進(jìn)氣裝置、以及排氣裝置，每一路進(jìn)氣裝置包括進(jìn)氣管路和設(shè)于進(jìn)氣管路上的反應(yīng)氣體源、氣源閥門、質(zhì)量流量控制器、以及控制器閥門，多路進(jìn)氣裝置與工藝腔室之間設(shè)有進(jìn)氣總閥門，所述排氣裝置包括排氣管路和設(shè)于排氣管路上的排氣閥組件和排氣泵；所述質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法，其特征在于，所述啟動排氣泵以實施排氣包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法，其特征在于，根據(jù)檢測的工藝腔室的第一壓力p1和第二壓力p2，判定待測的質(zhì)量流量控制器是否存在內(nèi)漏，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法，其特征在于，還包括：在完成泄漏檢測之后，將排氣裝置中的排氣閥組件打開，啟動排氣泵，實施排氣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法，其特征在于，還包括：將判定為存在內(nèi)漏的質(zhì)量流量控制器進(jìn)行維修或更換。

6.一種質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測裝置，其特征在于，所述質(zhì)量流量控制器應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，所述半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括工藝腔室、至少一路進(jìn)氣裝置、以及排氣裝置，每一路進(jìn)氣裝置包括進(jìn)氣管路和設(shè)于進(jìn)氣管路上的反應(yīng)氣體源、氣源閥門、質(zhì)量流量控制器、控制器閥門，多路進(jìn)氣裝置與工藝腔室之間設(shè)有進(jìn)氣總閥門，所述排氣裝置包括排氣管路和設(shè)于排氣管路上的排氣閥組件和排氣泵；所述質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測裝置包括：氣路控制模塊、檢測模塊、以及泄漏判定模塊；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測裝置，其特征在于，所述泄漏判定模塊根據(jù)所述檢測模塊檢測的工藝腔室的第一壓力p1和第二壓力p2，判定待測的質(zhì)量流量控制器是否存在內(nèi)漏包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測裝置，其特征在于，所述檢測模塊為壓力計。

9.一種控制裝置，其特征在于，包括：

10.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測程序，其特征在于，所述質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至5中任一項所述的質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種質(zhì)量流量控制器的內(nèi)漏檢測方法及檢測裝置、控制裝置，可用于對質(zhì)量流量控制器進(jìn)行內(nèi)漏檢測。所述內(nèi)漏檢測方法包括：先對包括待測的質(zhì)量流量控制器在內(nèi)的進(jìn)氣管路和工藝腔室實施排氣，再對包括待測的質(zhì)量流量控制器在內(nèi)的進(jìn)氣管路和工藝腔室形成的密閉空間實施脫氣，在脫氣完成后，由進(jìn)氣裝置對通過進(jìn)氣管路對工藝腔室輸送氣體以實施泄漏檢測，從而判定出待測的質(zhì)量流量控制器是否存在內(nèi)漏，相比于相關(guān)技術(shù)，所述內(nèi)漏檢測方法具有流程簡單、不會影響半導(dǎo)體工藝制程、檢測精確、并可對檢測出存在內(nèi)漏的質(zhì)量流量控制器進(jìn)行及時的維修或更換，確保氣體流量控制的精準(zhǔn)性，更有利于后續(xù)半導(dǎo)體晶片的制程工藝，提升良率。

技術(shù)研發(fā)人員：沈康,王兆祥,涂樂義,梁潔,桂智謙,周正,彭國發(fā)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海邦芯半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28