本公開涉及半導體，尤其涉及一種工藝腔體的檢漏方法、控制裝置、及計算機可讀存儲介質。

背景技術：

1、在半導體制造工藝中，往往會利用到半導體工藝設備，將半導體晶片置于半導體工藝設備的工藝腔體內進行工藝處理。這類半導體工藝設備可例如為半導體薄膜沉積設備、等離子去膠設備、等離子刻蝕設備等。以半導體薄膜沉積設備為例，通過半導體薄膜沉積設備，可在半導體晶片上進行薄膜沉積，薄膜沉積技術通常包括pvd（physical?vapordeposition，物理氣相沉積）、cvd（chemical?vapordeposition，化學氣相沉積）。

2、一般地，在利用半導體工藝設備對半導體晶片實施上述工藝的過程中，是將待處理的半導體晶片（例如，晶圓）置于密閉的工藝腔體中，提供工藝反應所需要的反應氣體進入工藝腔室內參與反應。隨著對于半導體晶片的工藝品質要求相對提高，因此工藝腔體內的壓力控制的準確度以及氣密性要求也相對嚴格。然而，由于半導體工藝設備中某些部件在長時間使用后，可能會有劣化情形發生進而產生裂縫而導致工藝腔體內出現氣體泄漏等問題。例如，有些半導體工藝設備中的加熱盤等工藝過程中會通過升降部件升降半導體晶片的位置，所述升降部件在長期使用后由于自身的疲勞破裂容易導致工藝腔體氣體泄漏，對工藝結果和機臺安全性都有不利影響，且泄漏率與移動部件的位置強相關，有的位置不漏，有的位置漏，有的位置泄漏率高，有的位置泄漏率低。在相關技術中，通常是采用手動檢查腔體是否存在泄漏，且并未關注升降部件在不同位置的泄漏率情況，存在很大的泄漏率檢漏盲區。

3、因此如何及時發現機臺的異常情況并及時對存在泄漏缺陷的部件進行更換或維修就顯得尤為重要。

技術實現思路

1、鑒于以上所述相關技術的缺點，本公開的目的在于提供一種工藝腔體的檢漏方法、控制裝置、及計算機可讀存儲介質，解決相關技術中的種種問題。

2、本公開第一方面提供一種工藝腔體的檢漏方法，應用于半導體工藝設備中，所述半導體工藝設備包括工藝腔體、工件承載裝置、移動部件、至少一路進氣裝置、以及排氣裝置，至少一路進氣裝置與工藝腔體之間設有進氣總閥門，所述排氣裝置包括排氣管路和設于排氣管路上的排氣閥組件和排氣泵；所述工藝腔體的檢漏方法包括如下步驟：

3、將進氣總閥門關閉，將排氣裝置中的排氣閥組件打開，啟動排氣泵，使得工藝腔體進入排氣模式以實施排氣；

4、將進氣總閥門關閉，將排氣裝置中的排氣閥組件關閉，使得工藝腔體進入脫氣模式以實施脫氣；在完成脫氣后，檢測工藝腔體的初始壓力；

5、將進氣總閥門關閉，將排氣裝置中的排氣閥組件關閉，使得工藝腔體進入泄漏檢測模式，通過移動部件將工件承載裝置移動至多個檢漏位置，檢測每一個檢漏位置在對應的檢漏時間內工藝腔體的檢漏壓力；

6、根據檢測的工藝腔體的初始壓力和多個檢漏壓力，判定工藝腔體是否存在泄漏以及移動部件是否存在泄漏缺陷。

7、在第一方面的某些示例中，通過移動部件將工件承載裝置移動至多個檢漏位置，檢測每一個檢漏位置在對應的檢漏時間內工藝腔體的檢漏壓力，包括：按照移動順序，依序通過移動部件將工件承載裝置移動至新的檢漏位置并檢測所述新的檢測位置在對應的檢漏時間內工藝腔體的檢漏壓力，獲得相應數量的多個檢漏壓力。

8、在第一方面的某些示例中，對于任一個檢漏位置，檢測所述檢漏位置在對應的檢漏時間內工藝腔體的檢漏壓力，包括如下方式：通過移動部件將工件承載裝置移動至所述檢漏位置，在持續對應的檢漏時間后，檢測工藝腔體的檢漏壓力；或者，通過移動部件將工件承載裝置在對應的檢漏時間內勻速移動至所述檢漏位置，并在到達所述檢漏位置時檢測工藝腔體的檢漏壓力。

9、在第一方面的某些示例中，根據檢測的工藝腔體的初始壓力和多個檢漏壓力，判定工藝腔體是否存在泄漏以及移動部件是否存在泄漏缺陷，包括如下步驟：根據檢測的工藝腔體的初始壓力和多個檢漏壓力，計算每一次檢測位置變化在單個檢漏時間內的分段泄漏率；所述分段泄漏率為每一次檢測位置變化前后對應的壓力差值與檢漏時間的比值；將計算得到的每一個分段泄漏率與設定的泄漏閾值作比較，且當任一個分段泄漏率大于等于所述泄漏閾值時，判定工藝腔體存在泄漏；在判定工藝腔體存在泄露且存在至少兩個分段泄漏率為不相同時，判定移動部件存在泄漏缺陷。

10、在第一方面的某些示例中，根據檢測的工藝腔體的初始壓力和多個檢漏壓力，判定工藝腔體是否存在泄漏以及移動部件是否存在泄漏缺陷，還包括如下步驟：根據檢測的工藝腔體的初始壓力和多個檢漏壓力中的最后一個檢漏壓力，計算初始壓力對應的初始位置和最后一個檢漏壓力對應的最終位置變化在總的檢漏時間內的整體泄漏率；所述整體泄漏率為檢測位置變化前后對應的最后一個檢漏壓力和初始壓力的差值與總的檢漏時間的比值；將計算得到的整體泄漏率與設定的泄漏閾值作比較，且當所述整體泄漏率大于等于所述泄漏閾值時，判定工藝腔體存在泄漏以及移動部件存在泄漏缺陷。

11、在第一方面的某些示例中，所述移動部件為升降部件，所述檢測位置包括上限位置、下限位置、以及位于上限位置和下限位置之間的至少一區間位置，所述上限位置指的是工件承載裝置上升的最高位置，所述下限位置指的是工件承載裝置下降的最低位置；所述通過移動部件將工件承載裝置移動至多個檢漏位置，檢測每一個檢漏位置在對應的檢漏時間內工藝腔體的檢漏壓力，包括：通過升降部件將工件承載裝置升降至上限位置、下限位置、以及至少一區間位置處，檢測每一個檢漏位置在對應的檢漏時間內工藝腔體的檢漏壓力。

12、在第一方面的某些示例中，所述通過升降部件將工件承載裝置升降至上限位置、下限位置、以及至少一區間位置處包括以下任一種：先通過升降部件將工件承載裝置上升至上限位置、再通過升降部件將工件承載裝置下降至下限位置、后通過升降部件將工件承載裝置上升至至少一區間位置；先通過升降部件將工件承載裝置上升至上限位置、再通過升降部件將工件承載裝置下降至至少一區間位置、后通過升降部件將工件承載裝置下降至下限位置；先通過升降部件將工件承載裝置下降至下限位置、再通過升降部件將工件承載裝置上升至上限位置、后通過升降部件將工件承載裝置下降至至少一區間位置；先通過升降部件將工件承載裝置下降至下限位置、再通過升降部件將工件承載裝置上升至至少一區間位置、后通過升降部件將工件承載裝置上升至上限位置。

13、在第一方面的某些示例中，所述啟動排氣泵以實施排氣包括：啟動排氣泵進行排氣；在持續一排氣時間后，關閉排氣泵停止排氣；所述在完成脫氣后，檢測工藝腔體的初始壓力包括：實施脫氣，在持續一脫氣時間后，結束脫氣，檢測工藝腔體的初始壓力。

14、本公開第二方面提供一種控制裝置，包括：處理器；存儲器，存儲有工藝腔體的檢漏程序；其中，所述工藝腔體的檢漏程序被所述處理器運行時執行如前所述的工藝腔體的檢漏方法。

15、本公開第三方面提供一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有工藝腔體的檢漏程序，所述工藝腔體的檢漏程序被所述處理器運行時執行如前所述的工藝腔體的檢漏方法。

16、如上所述，本公開實施例提供工藝腔體的檢漏方法、控制裝置、以及計算機可讀存儲介質，可用于對具有移動部件的工藝腔體進行檢漏。在所述工藝腔體的檢漏方法，先對工藝腔體依序實施排氣和脫氣，在脫氣完成后，由通過移動部件移動工件承載裝置于不同的檢漏位置并在對應的檢漏時間內分別檢測工藝腔體的檢漏壓力以獲得不同的檢漏壓力，進而判定工藝腔體是否存在泄漏以及移動部件是否存在泄漏缺陷。相比于相關技術，本公開提供的工藝腔體的檢漏方法具有流程簡單、不會影響半導體工藝制程、檢測精確、并可對檢測出存在內漏的移動部件進行及時的維修或更換，確保符合工藝腔體的氣密性要求，更有利于后續半導體晶片的制程工藝，提升良率。