1.一種高電源抑制比的電壓調節器電路，其特征在于包括兩部分：電壓調節核心電路和電源選擇電路。
2.如權限要求1所述的一種高電源抑制比的電壓調節器電路，其特征在于電壓調節核心電路由一個運放，功率管NM1，環路補償電容C1，輸出濾波電容C2和兩個反饋電阻RF1,RF2構成,其中：運放的正端輸入接參考電壓，負端輸入接反饋電阻RF1的負端和反饋電阻RF2的正端；運放的輸出接環路補償電容C1的正端和功率管NM1的柵極，運放的電源接電源選擇電路的輸出；環路補償電容C1的正端接運放的輸出，以及功率管NM1的柵極，負端接地；功率管NM1的柵極接運放的輸出，以及環路補償電容C1的正端，漏極接電源電壓，源極接輸出電壓；功率管NM1的襯底可以按照選擇器件類型的不同，選擇接輸出電壓或者接地；輸出濾波電容C2的正端接輸出電壓，負端接地；反饋電阻RF1的正端接輸出電壓，負端電壓接RF2的正端和運放的負輸入端；反饋電阻RF2的正端接反饋電阻RF1的負端和運放的負輸入端，負端接地。
3.如權利要求1所述的一種高電源抑制比的電壓調節器電路，其特征在于電源選擇電路由電源檢測電路和電荷泵電路組成，其中：電源檢測電路的三端分別和電源電壓，參考電壓，以及電荷泵電路相連；電荷泵電路的三端分別和電源電壓，電源檢測電路，以及運放電路相連；電源選擇電路根據參考電壓和芯片電源的比例，選擇是否使能電荷泵電路；電荷泵電路給核心電路的運放提供電源；根據電源選擇電路的不同輸出值，電荷泵輸出電壓為1倍或者2倍的芯片電源電壓。
4.如權限要求1所述的一種高電源抑制比的電壓調節器電路，其特征在于功率管為NMOS器件。
5.如權限要求1所述的一種高電源抑制比的電壓調節器電路，其特征在于根據電源電壓的不同，通過電荷泵電路給運放電路提供合適的電源電壓。