專利名稱：一種高頻rfid易碎電子標簽及其制造工藝的制作方法
技術領域：
本發明涉及物聯網RFID領域，更具體的說涉及一種高頻RFID易碎電子標簽及其制造工藝，其適用于各種需要防偽、防拆的RFID應用場合，尤其成為車輛管理、酒類、藥品、化妝品等高檔產品溯源及防偽的理想選擇。
背景技術：
普通易碎標簽是以易碎印刷材料為面料，背面涂有特種強力膠粘劑，其面料斷裂強度遠低于膠粘劑粘合能力；當易碎標簽被貼上基材后再揭起時，材料無規則斷裂，顯示產品包裝已被拆開過，且無法復原。但是普通易碎標簽主要是由打印出來的條碼構成，其信息儲存量很少，并且需要掃描槍讀取。RFID標簽具有體積小、容量大、壽命長以及可重復使用等特點，其可支持快速讀 寫、非可視識別、移動識別、多目標識別、定位及長期跟蹤管理；RFID技術與互聯網、通訊等技術相結合，可實現全球范圍內物品跟蹤與信息共享。近年來，隨著大規模集成電路、網絡通信和信息安全等技術的發展，RFID技術進入了商業化應用階段。由于具有高速移動物體識別、多目標識別和非接觸識別等特點，RFID技術顯示出巨大的發展潛力與應用空間，被認為是21世紀最有發展前途的信息技術之一。目前隨著國家對財產安全、食品安全、藥品安全等越來越重視，易碎防偽RFID電子標簽在溯源與防偽上面越來越重要，在越來越多的領域取代普通易碎標簽。但是，市場上的易碎防偽RFID標簽其至少存在如下缺陷
一、現有易碎防偽RFID標簽通常采用的技術方案，是將導電油墨或金屬顆粒通過絲網印刷在易碎紙質材料及PET基材上面，形成印刷RFID天線，但由于印刷天線精度低、導電物質電阻阻抗不一致，故始終無法制成高質量的RFID電子標簽，適用范圍比較窄；
二、現有易碎防偽標簽往往僅是部分損壞該標簽，即不是從根本上損壞該標簽，從而具有損壞程度不夠，進而具有防偽性差的缺點。有鑒于此，本發明人針對現有易碎防偽RFID電子標簽的上述缺陷深入研究，遂有
本案產生。

發明內容
本發明的第一目的在于提供一種高頻RFID易碎電子標簽，以解決現有技術中易碎電子標簽在撕毀時損壞程度不夠而具有防偽性差的缺陷。為了達成上述目的，本發明的解決方案是
一種高頻RFID易碎電子標簽，其中，包括RFID芯片、承載基材以及在承載基材上下兩側均依次層疊設置的第一膠層、蝕刻層、第二膠層和易碎紙層，該每一蝕刻層均為銅箔或鋁箔經蝕刻工藝而成型，該承載基材、RFID芯片、兩第一膠層以及兩蝕刻層一起構成芯料組件，該承載基材和兩第一膠層上均形成有沖壓孔，該兩蝕刻層之間通過貫通承載基材和兩第一膠層上沖壓孔的跳線而彼此相連；該每一易碎紙層均通過相應第二膠層而粘結在相應蝕刻層上，該第二膠層的粘性強于第一膠層的粘性。進一步，該每一蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點最小間距< O. 12mm。進一步，該承載基材選自PI膜或PET膜。進一步，該第二膠層選自聚胺酯改性環氧樹脂膠、聚醚改性環氧樹酯膠、丙烯酸改性環氧樹酯膠、二聚酸環氧樹酯膠的一種或多種；該第一膠層選自聚醚改性環氧樹酯膠、丙烯酸改性環氧樹酯膠、丙烯酸壓敏膠、硅膠的一種或幾種。本發明的第二目的在于提供一種高頻RFID易碎電子標簽的制造工藝，其中，包括如下步驟
①、選擇承載基材，并在其上下兩側均涂布第一膠層后分別與鋁箔或銅箔進行復合，而形成雙面復合基材；
②、在雙面復合基材的兩面上均形成感光型復合材料；
③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用雙面曝光方法，將導線部線路轉移至感光型復合材料上面；
④、將曝光好并貼有感光型復合材料的雙面復合基材進行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或端點最小間距彡O. 12mm蝕刻天線；·
⑤、將上述蝕刻好的雙面蝕刻天線，在需要跳線的位置加熱沖壓形成沖壓孔，使得兩面的線路之間相互連通；
⑥、將上述雙面蝕刻天線與RFID芯片組裝在一起，而制成芯料組件；
⑦、取易碎紙層，并在其一面上涂布粘性強于第一膠層的第二膠層；將易碎紙層上第二膠層所在的表面與芯料組件上蝕刻天線所在表面復合而形成高頻RFID易碎電子標簽。進一步，該鋁箔或銅箔的厚度選擇9 38um，該承載基材的厚度則選擇為12 200um,該易碎紙層則選擇為30 lOOum。進一步，該感光型復合材料為感光型干膜材料、感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料。進一步，該承載基材選自PI膜或PET膜。進一步，該第二膠層選自聚胺酯改性環氧樹脂膠、聚醚改性環氧樹酯膠、丙烯酸改性環氧樹酯膠、二聚酸環氧樹酯膠的一種或多種。進一步，該步驟②中感光型復合材料與鋁箔或銅箔之間的設置方式采用卷對卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對卷曝光機進行雙面曝光。進一步，該步驟④的蝕刻步驟中蝕刻液為30% 35%的鹽酸和雙氧水的水混合液，其中鹽酸和雙氧水的體積比為3:1。采用上述結構后，本發明涉及的一種高頻RFID易碎電子標簽及其制造工藝，其至少具有如下有益效果
一、由于該兩側的蝕刻層均通過第二膠層而與易碎紙相粘結，基于第二膠層的粘性大于第一膠層，故當人們非法撕揭電子標簽時，該易碎紙層會和蝕刻層一起被撕揭，即讓蝕刻層完全變形，如此使得整個電子標簽被完全損毀，從而提高整個易碎電子標簽的防偽性；
二、由于其在制造成型過程中采用了承載基材、第一膠層以及鋁箔或銅箔，從而確保了蝕刻工藝的實施條件；同時由于采用了貼合感光型復合材料以及曝光的方式而實現線路轉移，接著再通過蝕刻的工藝，如此使得形成在承載基材和第一膠層上的蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點最小間距彡O. 12mm。由此使本發明上線路精度大大提高，從而提高了整個蝕刻電子標簽的整體性能。


圖I為本發明涉及的一種高頻RFID易碎電子標簽的剖視 圖2為本發明涉及的一種高頻RFID易碎電子標簽中蝕刻天線一種具體實施例的示意圖。圖中
電子標簽100
承載基材I第一膠層2
蝕刻層3第二膠層4
易碎紙層5跳線6。
具體實施例方式為了進一步解釋本發明的技術方案，下面通過具體實施例來對本發明進行詳細闡述。如圖I所示，本發明涉及的一種高頻RFID易碎電子標簽100，包括承載基材I、RFID芯片、第一膠層2、蝕刻層3、第二膠層4以及易碎紙層5，該承載基材I的上下兩側呈對稱狀，并均依次由里至外層疊設置有第一膠層2、蝕刻層3、第二膠層4以及易碎紙層5。該第一膠層2位于承載基材I與蝕刻層3之間,具體的,該第一膠層2選自聚醚改性環氧樹酯膠、丙烯酸改性環氧樹酯膠、丙烯酸壓敏膠、硅膠的一種或幾種，從而一方面起到將承載基材I與蝕刻層3粘結在一起的功效，另一方面還起到使蝕刻層與不同的表面物體實現很好的粘結作用。該蝕刻層3為鋁箔或銅箔經蝕刻工藝而成型，并且該蝕刻層3上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點最小間距彡O. 12mm。優選地，該承載基材I可以選自PI膜或PET膜。如圖2所示，其為該蝕刻電子標簽100中蝕刻層3 —種實施例的示意圖。該承載基材I、兩第一膠層2、兩蝕刻層3與RFID芯片構成芯料組件，該承載基材I和兩第一膠層2上均形成有沖壓孔(圖中未示出)，該兩蝕刻層3之間通過貫通承載基材I和兩第一膠層2上沖壓孔的跳線6 (如圖2所示)而彼此相連。該每一易碎紙層5通過相應第二膠層4而粘結在相應蝕刻層3上，該第二膠層4的粘性要強于第一膠層2的粘性。優選地，該第二膠層4則可以選自聚胺酯改性環氧樹脂膠、聚醚改性環氧樹酯膠、丙烯酸改性環氧樹酯膠、二聚酸環氧樹酯膠的一種或多種。·
由此，由于該蝕刻層3通過第二膠層4而與易碎紙相粘結；另外基于第二膠層4的粘性大于第一膠層2，故當人們非法撕揭電子標簽100時，該易碎紙層5會和蝕刻層3 —起被撕揭，即讓蝕刻層3完全變形，如此使得整個電子標簽100被完全損毀，如此則提高了整個電子標簽100的防偽性。為了讓本發明涉及的一種高頻RFID易碎電子標簽能被充分公開，本發明還提供其制造工藝，下面先對其第一較佳實施方案進行詳細闡述實施例一
該制造工藝，包括如下步驟
①、選擇厚度為12 200um的承載基材，并在其上下兩側均涂布第一膠層后分別與厚度為9 38um的鋁箔進行復合，而形成雙面復合基材，即雙面復合鋁箔；
②、在雙面復合基材的兩個鋁箔上均形成感光型復合材料；在本實施例中，該感光型復合材料采用感光型干膜材料，當然其還可以被感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料所替代，當然感光型絕緣油墨材料時，是采用絲印的方式成型；
③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用雙面曝光方法，將導線部線路轉移至感光型復合材料上面；
④、將曝光好并貼有感光型復合材料的雙面復合基材進行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成
蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或端點最小間距< O. 12mm蝕刻天線。優選的，該蝕刻步驟中蝕刻液為30% 35%的鹽酸和雙氧水的水混合液,其中鹽酸和雙氧水的體積比為3 :1，從而為較佳的蝕刻精度提供保障；
⑤、將上述蝕刻好的雙面蝕刻天線，在需要跳線6的位置加熱沖壓形成沖壓孔，并通過跳線6的方式使得兩面的線路之間能相互連通；
⑥、將上述雙面蝕刻天線與RFID芯片組裝在一起，而制成芯料組件，即INLAY;優選地，該雙面蝕刻天線與RFID芯片采用倒裝焊接的方式相連；
⑦、取厚度為30 IOOum的易碎紙層，并在其一面上涂布粘性強于第一膠層的第二膠層；將易碎紙層上第二膠層所在的表面與芯料組件上蝕刻天線所在表面復合而形成高頻RFID易碎電子標簽。需要說明的是，在本實施例中，該承載基材可以選自PI膜或PET膜；該第二膠層則可以選用聚胺酯改性環氧樹脂膠、聚醚改性環氧樹酯膠、丙烯酸改性環氧樹酯膠、二聚酸環氧樹酯膠的一種或多種，從而確保具有足夠的粘結強度
實施例二
在本實施例中，其與第一實施例的步驟基本相同，其不同之處在于將鋁箔用銅箔來替代。實施例三
在本實施例中，其可以采用第一實施例和第二實施例的全部方案，但是其為了達到提高生產效率的目的，其對前述步驟②和前述步驟③均進行了改進，具體的，該步驟②中感光型復合材料與鋁箔或銅箔之間的設置方式采用卷對卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對卷曝光機進行雙面曝光。由上可知，本發明涉及的一種高頻RFID易碎電子標簽的制造工藝，其一方面由于其在制造成型過程中采用了承載基材、第一膠層以及鋁箔或銅箔，從而確保了蝕刻工藝的實施條件。另外，由于采用了貼合感光型復合材料以及曝光的方式而實現線路轉移，接著再通過蝕刻的工藝，如此使得形成在承載基材和第一膠層上的蝕刻層3上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點最小間距彡O. 12mm。由此，本發明與現有技術相比，本發明能大大提聞線路精度，并且還提聞了整個電子標簽100的整體性能。上述實施例和圖式并非限定本發明的產品形態和式樣，任何所屬技術領域的普通技術人員對其所做的適當變化或修飾，皆應視為不脫離本發明的專利范疇 。
權利要求
1.一種高頻RFID易碎電子標簽，其特征在于，包括RFID芯片、承載基材以及在承載基材上下兩側均依次層疊設置的第一膠層、蝕刻層、第二膠層和易碎紙層，該每一蝕刻層均為銅箔或鋁箔經蝕刻工藝而成型，該承載基材、RFID芯片、兩第一膠層以及兩蝕刻層一起構成芯料組件，該承載基材和兩第一膠層上均形成有沖壓孔，該兩蝕刻層之間通過貫通承載基材和兩第一膠層上沖壓孔的跳線而彼此相連；該每一易碎紙層均通過相應第二膠層而粘結在相應蝕刻層上，該第二膠層的粘性強于第一膠層的粘性。
2.如權利要求I所述的一種高頻RFID易碎電子標簽，其特征在于，該每一蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點最小間距彡O. 12mm。
3.如權利要求I所述的一種高頻RFID易碎電子標簽，其特征在于，該承載基材選自PI膜或PET膜；該第二膠層選自聚胺酯改性環氧樹脂膠、聚醚改性環氧樹酯膠、丙烯酸改性環氧樹酯膠、二聚酸環氧樹酯膠的一種或多種；該第一膠層選自聚醚改性環氧樹酯膠、丙烯酸改性環氧樹酯膠、丙烯酸壓敏膠、硅膠的一種或幾種。
4.一種高頻RFID易碎電子標簽的制造工藝，其特征在于，包括如下步驟 ①、選擇承載基材，并在其上下兩側均涂布第一膠層后分別與鋁箔或銅箔進行復合，而形成雙面復合基材； ②、在雙面復合基材的兩面上均形成感光型復合材料； ③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用雙面曝光方法，將導線部線路轉移至感光型復合材料上面； ④、將曝光好并貼有感光型復合材料的雙面復合基材進行顯影、蝕刻和剝膜,如此形成蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或端點最小間距彡O. 12mm蝕刻天線； ⑤、將上述蝕刻好的雙面蝕刻天線，在需要跳線的位置加熱沖壓形成沖壓孔，使得兩面的線路之間相互連通； ⑥、將上述雙面蝕刻天線與RFID芯片組裝在一起，而制成芯料組件； ⑦、取易碎紙層，并在其一面上涂布粘性強于第一膠層的第二膠層；將易碎紙層上第二膠層所在的表面與芯料組件上蝕刻天線所在表面復合而形成高頻RFID易碎電子標簽。
5.如權利要求4所述的制造工藝,其特征在于,該招箔或銅箔的厚度選擇9 38um,該承載基材的厚度則選擇為12 200um，該易碎紙層則選擇為30 lOOum。
6.如權利要求4所述的制造工藝，其特征在于，該感光型復合材料為感光型干膜材料、感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料。
7.如權利要求4所述的制造工藝，其特征在于，該承載基材選自PI膜或PET膜。
8.如權利要求4所述的制造工藝，其特征在于，該第二膠層選自聚胺酯改性環氧樹脂膠、聚醚改性環氧樹酯膠、丙烯酸改性環氧樹酯膠、二聚酸環氧樹酯膠的一種或多種；該第一膠層選自聚醚改性環氧樹酯膠、丙烯酸改性環氧樹酯膠、丙烯酸壓敏膠、硅膠的一種或幾種。
9.如權利要求4所述的制造工藝，其特征在于，該步驟②中感光型復合材料與鋁箔或銅箔之間的設置方式采用卷對卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對卷曝光機進行雙面曝光。
10.如權利要求4所述的制造工藝，其特征在于，該步驟④的蝕刻步驟中蝕刻液為30% 35%的鹽酸和雙氧水的水混合液,其中鹽酸和雙氧水的體積比為3 :1。
全文摘要
本發明公開一種高頻RFID易碎電子標簽及其制造工藝，該電子標簽包括RFID芯片、承載基材以及在承載基材上下兩側均依次層疊設置的第一膠層、蝕刻層、第二膠層和易碎紙層，該每一蝕刻層均為銅箔或鋁箔經蝕刻工藝而成型，該承載基材、RFID芯片、兩第一膠層以及兩蝕刻層一起構成芯料組件，該承載基材和兩第一膠層上均形成有沖壓孔，該兩蝕刻層之間通過貫通承載基材和兩第一膠層上沖壓孔的跳線而彼此相連；該每一易碎紙層均通過相應第二膠層而粘結在相應蝕刻層上，該第二膠層的粘性強于第一膠層的粘性。本發明涉及電子標簽具有被撕揭時損毀程度大及性能高的特點。
文檔編號G06K19/077GK102945503SQ201210007960
公開日2013年2月27日 申請日期2012年1月12日 優先權日2012年1月12日
發明者李金華 申請人:廈門英諾爾電子科技股份有限公司