帶有自毀功能的機(jī)載高速大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)及自毀方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種帶有自毀功能的機(jī)載高速大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，包含CPU控制器、NAND?Flash存儲(chǔ)陣列、毀鑰模塊，所述毀鑰模塊中包括儲(chǔ)能模塊、升壓模塊、編程控制模塊；通過(guò)毀鑰模塊中的儲(chǔ)能模塊對(duì)外部接口施加的毀鑰能量進(jìn)行儲(chǔ)能放大，通過(guò)編程控制將能量以高壓脈沖的形式逐一釋放到系統(tǒng)中用于存放秘鑰的NandFlash芯片的電地管腳，瞬間的高壓脈沖會(huì)引起芯片內(nèi)部有源區(qū)燒毀擊穿，并在燒毀過(guò)程中會(huì)引起芯片晶圓開(kāi)裂，從而達(dá)到NandFlash數(shù)據(jù)無(wú)法恢復(fù)，保護(hù)機(jī)載秘鑰的作用。
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種帶有自毀功能的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。 帶有自毀功能的機(jī)載高速大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)及自毀方法

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子科技的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)也有了長(zhǎng)足進(jìn)步。高速大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 技術(shù)的發(fā)展由存儲(chǔ)的介質(zhì)和存儲(chǔ)體系兩方面的發(fā)展構(gòu)成。目前存儲(chǔ)介質(zhì)集成度不斷提高， 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的數(shù)量級(jí)從以前的MByte到GByte，甚至躍升到TByte.在所有的存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND FLASH Memory以其獨(dú)有的大容量特點(diǎn)在高速大容量存儲(chǔ)系統(tǒng)中獲得了廣泛的應(yīng)用。NAND Flash的存儲(chǔ)系統(tǒng)具有可靠性高、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。IEEE 1394總線在 機(jī)載系統(tǒng)中常用于大容量數(shù)據(jù)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)總線，它將航電系統(tǒng)中數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俾侍嵘搅?800Mbps。
[0003] 機(jī)載數(shù)據(jù)的安全也是當(dāng)前航空【技術(shù)領(lǐng)域】的一研究熱點(diǎn)，大容量存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)了 大量機(jī)載敏感數(shù)據(jù)，處于特殊環(huán)境時(shí)，數(shù)據(jù)的安全銷毀，防止被他人恢復(fù)獲取成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 領(lǐng)域的一大難點(diǎn)。自毀方式分為兩種：軟毀和硬毀。軟毀采取軟件擦除的方式清楚存儲(chǔ)介 質(zhì)中的數(shù)據(jù)，該方式由于存儲(chǔ)介質(zhì)本身的特點(diǎn)，可通過(guò)數(shù)據(jù)恢復(fù)技術(shù)將之前存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)恢 復(fù)。而硬毀方式采用電流燒毀的方式，目前來(lái)說(shuō)是相對(duì)可靠的，但機(jī)載環(huán)境下提供的毀鑰信 號(hào)能量低時(shí)間短，在技術(shù)方面還沒(méi)有很完善，難以真正實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)介質(zhì)中數(shù)據(jù)的銷毀。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的發(fā)明目的在于提供一種帶有自毀功能的機(jī)載高速 大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，通過(guò)物理自毀解決了傳統(tǒng)毀鑰過(guò)程中無(wú)法切實(shí)銷毀存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù) 據(jù)，從而起到保護(hù)機(jī)載數(shù)據(jù)的作用。
[0005] 本發(fā)明的發(fā)明目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
[0006] -種帶有自毀功能的機(jī)載高速大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，包含CPU控制器、NAND Flash 存儲(chǔ)陣列，其特征在于還包含毀鑰模塊，所述毀鑰模塊中包括儲(chǔ)能模塊、升壓模塊、編程控 制豐吳塊；
[0007] 所述升壓模塊用于根據(jù)CPU控制器發(fā)出的毀鑰命令將毀鑰接口送過(guò)來(lái)的毀鑰信 號(hào)進(jìn)行升壓放大；
[0008] 所述儲(chǔ)能模塊用于對(duì)升壓后的毀鑰信號(hào)進(jìn)行儲(chǔ)量形成高壓脈沖信號(hào)；
[0009] 所述編程控制模塊用于將高壓脈沖信號(hào)逐一釋放到存有秘鑰的NAND Flash存儲(chǔ) 陣列上的電地管腳進(jìn)行燒毀。瞬間的高壓脈沖會(huì)引起芯片內(nèi)部有源區(qū)燒毀擊穿，并在燒毀 過(guò)程中會(huì)引起芯片晶圓開(kāi)裂，從而達(dá)到NandFlash數(shù)據(jù)無(wú)法恢復(fù)，保護(hù)機(jī)載秘鑰的作用。 [0010] 本發(fā)明的另一目的在于提供一種機(jī)載高速大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的自毀方法，包含 以下步驟：
[0011] a) CPU控制器發(fā)出毀鑰信號(hào)啟動(dòng)毀鑰程序；
[0012] b)將毀鑰信號(hào)進(jìn)行升壓放大；
[0013] c)將升壓的毀鑰信號(hào)進(jìn)行儲(chǔ)量形成高壓脈沖信號(hào)；
[0014] d)將高壓脈沖信號(hào)逐一釋放到存有秘鑰的NAND Flash存儲(chǔ)陣列上的電地管腳上 進(jìn)行燒毀。
[0015] 進(jìn)一步，還包含以下步驟：
[0016] e)在數(shù)據(jù)燒毀完成后，CPU控制器自行關(guān)閉對(duì)外接口，防止NAND Flash芯片在燒 毀過(guò)程中短路引起其他器件短路。
[0017] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明結(jié)合800Mbps IEEE1394、 NandFlash存儲(chǔ)技術(shù)以及物理自毀提出帶有自毀功能的機(jī)載數(shù)據(jù)高速大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系 統(tǒng)。在實(shí)際航空機(jī)載存儲(chǔ)設(shè)備中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性及數(shù)據(jù)安全性方面提高了一個(gè)等級(jí)，解 決了傳統(tǒng)毀鑰過(guò)程中無(wú)法切實(shí)銷毀存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)，從而起到保護(hù)機(jī)載數(shù)據(jù)的作用。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1為本發(fā)明的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
[0019] 圖2為本發(fā)明中自毀模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020] 下面給出一種本發(fā)明的實(shí)施方式和步驟。
[0021] 如圖1所示，本發(fā)明以IEEE1394b總線作為數(shù)據(jù)交互總線，內(nèi)部經(jīng)過(guò)CPU控制器、 SATA控制器、NAND Flash控制器，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)或讀取在NAND Flash存儲(chǔ)陣列中，毀鑰模塊 直接與NAND Flash存儲(chǔ)陣列交聯(lián)。如圖2所示，毀鑰模塊包括儲(chǔ)能模塊、升壓模塊、編程 控制模塊，當(dāng)接收到CPU控制器發(fā)出的毀鑰命令時(shí)，毀鑰模塊中升壓模塊將毀鑰接口送過(guò) 來(lái)的毀鑰信號(hào)進(jìn)行升壓放大，儲(chǔ)能模塊對(duì)升壓后的毀鑰信號(hào)進(jìn)行儲(chǔ)存形成高壓脈沖信號(hào)， 編程控制模塊將高壓脈沖信號(hào)逐一釋放到存有秘鑰的NAND Flash存儲(chǔ)陣列上的電地管腳 進(jìn)行燒毀。瞬間的高壓脈沖會(huì)引起芯片內(nèi)部有源區(qū)燒毀擊穿，并在燒毀過(guò)程中會(huì)引起芯片 晶圓開(kāi)裂，從而達(dá)到NandFlash數(shù)據(jù)無(wú)法恢復(fù)，保護(hù)機(jī)載秘鑰的作用。一旦數(shù)據(jù)銷毀完成， CPU控制器自行關(guān)閉對(duì)外接口，從而防止NAND Flash芯片在燒毀過(guò)程中短路引起其他器件 短路。
[0022] 以上所述，僅為本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)例，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā) 明所述的技術(shù)范圍內(nèi)，所做的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明 的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)力要求書(shū)的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種帶有自毀功能的機(jī)載高速大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，包含CPU控制器、NAND Flash 存儲(chǔ)陣列，其特征在于還包含毀鑰模塊，所述毀鑰模塊中包括儲(chǔ)能模塊、升壓模塊、編程控 制豐吳塊； 所述升壓模塊用于根據(jù)CPU控制器發(fā)出的毀鑰命令將毀鑰接口送過(guò)來(lái)的毀鑰信號(hào)進(jìn) 行升壓放大； 所述儲(chǔ)能模塊用于對(duì)升壓后的毀鑰信號(hào)進(jìn)行儲(chǔ)能形成高壓脈沖信號(hào)； 所述編程控制模塊用于將高壓脈沖信號(hào)逐一釋放到存有秘鑰的NAND Flash存儲(chǔ)陣列 上的電地管腳進(jìn)行燒毀。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)載高速大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的自毀方法，包含以下步驟： a) CPU控制器發(fā)出毀鑰信號(hào)啟動(dòng)毀鑰程序； b) 將毀鑰信號(hào)進(jìn)行升壓放大； c) 將升壓的毀鑰信號(hào)進(jìn)行儲(chǔ)能形成高壓脈沖信號(hào)； d) 高壓脈沖信號(hào)逐一釋放到存有秘鑰的NAND Flash存儲(chǔ)陣列上的電地管腳上進(jìn)行燒 毀。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的自毀方法，其特征在于還包含以下步驟： e) 在數(shù)據(jù)燒毀完成后，CPU控制器自行關(guān)閉對(duì)外接口，防止NAND Flash芯片在燒毀過(guò) 程中短路引起其他器件短路。
【文檔編號(hào)】G06F21/78GK104123513SQ201410366037
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月29日
【發(fā)明者】遲鵬程, 吳伯春 申請(qǐng)人:中國(guó)航空無(wú)線電電子研究所