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一種硬盤狀態(tài)的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置與流程

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一種硬盤狀態(tài)的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置與流程

本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)服務(wù)器技術(shù)領(lǐng)域,具體來(lái)說(shuō),涉及一種硬盤狀態(tài)的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置。



背景技術(shù):

在服務(wù)器生產(chǎn)過(guò)程中,硬盤是使用量最大的一類部件,如何快速的全面的對(duì)硬盤進(jìn)行檢驗(yàn),是當(dāng)前面臨的最大的問(wèn)題。在業(yè)界,檢測(cè)硬盤一般都是利用硬盤自檢技術(shù),即下達(dá)smart(self-monitoringanalysisandreportingtechnology,自動(dòng)檢測(cè)分析及報(bào)告技術(shù))指令給硬盤,硬盤進(jìn)行自我檢測(cè)。

但是現(xiàn)階段,這個(gè)過(guò)程是在硬盤內(nèi)部進(jìn)行,需要人工不停地去查看smart信息,以確定是否完成,或者有時(shí)會(huì)出現(xiàn)測(cè)試人員忙于其他工作,過(guò)了很久才回來(lái)查看,此時(shí)硬盤檢測(cè)已完成多時(shí),從而造成時(shí)間的浪費(fèi)、降低了效率。

另外,現(xiàn)有的技術(shù)中這種基于人工來(lái)檢查smart信息的方法,人工操作在面對(duì)大量的硬盤檢測(cè)的情況時(shí),往往顯得力不從心。如果測(cè)試人員忙于其他工作,而過(guò)了很久才來(lái)查看,此時(shí)硬盤檢測(cè)已完成多時(shí),從而會(huì)影響整體的測(cè)試效率。

之所以存在這個(gè)問(wèn)題的一個(gè)方面,是因?yàn)橐话阌脩裘鎸?duì)的只是很少量的硬盤,并且測(cè)試時(shí)間相對(duì)充足,所以對(duì)于硬盤檢測(cè)效率的要求不會(huì)太高。但是,當(dāng)需要對(duì)上萬(wàn)塊進(jìn)行硬盤檢測(cè)以滿足生產(chǎn)需求的情況下,這種提高檢測(cè)效率的要求就變得十分迫切了。

針對(duì)相關(guān)技術(shù)中需要人工來(lái)檢查硬盤自檢結(jié)果從而影響效率的問(wèn)題,目前尚未提出有效的解決方案。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

針對(duì)相關(guān)技術(shù)中需要人工來(lái)檢查硬盤自檢結(jié)果從而影響效率的問(wèn)題,本發(fā)明提出一種硬盤狀態(tài)的檢測(cè)方法及檢測(cè)裝置,能夠?qū)崿F(xiàn)硬盤狀態(tài)的自動(dòng)化檢測(cè)。

本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種硬盤狀態(tài)的檢測(cè)方法,包括:

對(duì)硬盤進(jìn)行短測(cè)試;以及

在短測(cè)試無(wú)異常的情況下,對(duì)硬盤進(jìn)行長(zhǎng)測(cè)試;

其中短測(cè)試包括:對(duì)硬盤的部分地址空間進(jìn)行的檢測(cè);以及

長(zhǎng)測(cè)試包括:對(duì)硬盤的全盤地址空間進(jìn)行的檢測(cè)。

優(yōu)選地,對(duì)硬盤的部分地址空間進(jìn)行檢測(cè)包括:對(duì)硬盤的前一部分地址空間進(jìn)行檢測(cè)。

優(yōu)選地,對(duì)硬盤的部分地址空間進(jìn)行檢測(cè)還包括:對(duì)硬盤的后一部分地址空間進(jìn)行檢測(cè)。

優(yōu)選地,短測(cè)試還包括:硬盤上線測(cè)試、硬盤電路診斷、硬盤smart信息檢測(cè)、低級(jí)格式化檢查、硬盤磁頭檢查、隨機(jī)位置檢測(cè)、硬盤smart信息再次檢測(cè)之中的任意一種或任意多種。

優(yōu)選地,長(zhǎng)測(cè)試還包括:硬盤上線測(cè)試、硬盤電路診斷、硬盤smart信息檢測(cè)、低級(jí)格式化檢查、硬盤磁頭檢查、隨機(jī)位置檢測(cè)、硬盤smart信息再次檢測(cè)之中的任意一種或任意多種。

優(yōu)選地,在對(duì)硬盤進(jìn)行短測(cè)試之后還包括:顯示短測(cè)試結(jié)果。

優(yōu)選地,在對(duì)硬盤進(jìn)行長(zhǎng)測(cè)試之后還包括:顯示長(zhǎng)測(cè)試結(jié)果。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種硬盤狀態(tài)的檢測(cè)裝置,包括:

短測(cè)試單元,用于對(duì)硬盤進(jìn)行短測(cè)試;以及

長(zhǎng)測(cè)試單元,連接于短測(cè)試單元,用于在短測(cè)試無(wú)異常的情況下,對(duì)硬盤進(jìn)行長(zhǎng)測(cè)試;

其中短測(cè)試包括:對(duì)硬盤的部分地址空間進(jìn)行的檢測(cè);以及

長(zhǎng)測(cè)試包括:對(duì)硬盤的全盤地址空間進(jìn)行的檢測(cè)。

優(yōu)選地,短測(cè)試單元還包括:第一短測(cè)試子單元,用于對(duì)硬盤的前一部分地址空間進(jìn)行檢測(cè)。

優(yōu)選地,短測(cè)試單元還包括:第二短測(cè)試子單元,用于對(duì)硬盤的后一部分地址空間進(jìn)行檢測(cè)。

本發(fā)明通過(guò)硬盤狀態(tài)檢測(cè)過(guò)程中結(jié)合了短測(cè)試與長(zhǎng)測(cè)試,實(shí)現(xiàn)了硬盤狀態(tài)的自動(dòng)檢測(cè),從而實(shí)現(xiàn)了不再需要人工檢查、檢測(cè)全程無(wú)需人工干預(yù),提高了硬盤檢測(cè)的效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的硬盤狀態(tài)的檢測(cè)方法100的流程圖;

圖2是根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例的硬盤狀態(tài)的檢測(cè)方法200的流程圖;

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的硬盤狀態(tài)的檢測(cè)裝置的框圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的硬盤狀態(tài)的檢測(cè)方法100包括:

s102,對(duì)硬盤進(jìn)行短測(cè)試;以及

s104,在短測(cè)試無(wú)異常的情況下,對(duì)硬盤進(jìn)行長(zhǎng)測(cè)試;

其中短測(cè)試包括:對(duì)硬盤的部分地址空間進(jìn)行的檢測(cè);以及

長(zhǎng)測(cè)試包括:對(duì)硬盤的全盤地址空間進(jìn)行的檢測(cè)。

上述技術(shù)方案,通過(guò)硬盤狀態(tài)檢測(cè)過(guò)程中結(jié)合了短測(cè)試與長(zhǎng)測(cè)試,實(shí)現(xiàn)了硬盤狀態(tài)的自動(dòng)檢測(cè),從而實(shí)現(xiàn)了不再需要人工檢查、檢測(cè)全程無(wú)需人工干預(yù),提高了硬盤檢測(cè)的效率。

上述短測(cè)試和長(zhǎng)測(cè)試均可以是針對(duì)硬盤的電路、物理盤片進(jìn)行的檢測(cè),短測(cè)試和長(zhǎng)測(cè)試的測(cè)試時(shí)間與硬盤的容量有關(guān)。下面結(jié)合表1對(duì)短測(cè)試和長(zhǎng)測(cè)試的測(cè)試內(nèi)容進(jìn)行說(shuō)明。

表1

在一個(gè)實(shí)施例中,對(duì)硬盤的部分地址空間進(jìn)行檢測(cè)包括:對(duì)硬盤的前一部分地址空間進(jìn)行檢測(cè)。應(yīng)當(dāng)理解,表1中示出了短測(cè)試對(duì)硬盤的前300mb地址空間進(jìn)行檢測(cè)的情形,在實(shí)際應(yīng)用中可以對(duì)檢測(cè)的地址空間進(jìn)行其他配置,本發(fā)明對(duì)此不作出限定。

在一個(gè)實(shí)施例中,對(duì)硬盤的部分地址空間進(jìn)行檢測(cè)還包括:對(duì)硬盤的后一部分地址空間進(jìn)行檢測(cè)。應(yīng)當(dāng)理解,表1中示出了短測(cè)試對(duì)硬盤的后100mb地址空間進(jìn)行檢測(cè)的情形,在實(shí)際應(yīng)用中可以對(duì)檢測(cè)的地址空間進(jìn)行其他配置,本發(fā)明對(duì)此不作出限定。

如表1所示,短測(cè)試和長(zhǎng)測(cè)試還均包括硬盤上線測(cè)試、硬盤電路診斷、硬盤smart信息檢測(cè)、低級(jí)格式化檢查、硬盤磁頭檢查、隨機(jī)位置檢測(cè)、以及硬盤smart信息。

在一些可實(shí)施的實(shí)施例中,短測(cè)試還可以包括:硬盤上線測(cè)試、硬盤電路診斷、硬盤smart信息檢測(cè)、低級(jí)格式化檢查、硬盤磁頭檢查、隨機(jī)位置檢測(cè)、硬盤smart信息再次檢測(cè)之中的任意一種或任意多種。

在一些可實(shí)施的實(shí)施例中,長(zhǎng)測(cè)試還可以包括:硬盤上線測(cè)試、硬盤電路診斷、硬盤smart信息檢測(cè)、低級(jí)格式化檢查、硬盤磁頭檢查、隨機(jī)位置檢測(cè)、硬盤smart信息再次檢測(cè)之中的任意一種或任意多種。

在一個(gè)實(shí)施例中,在對(duì)硬盤進(jìn)行短測(cè)試之后還包括:顯示短測(cè)試結(jié)果。

在一個(gè)實(shí)施例中,在對(duì)硬盤進(jìn)行長(zhǎng)測(cè)試之后還包括:顯示長(zhǎng)測(cè)試結(jié)果。

如圖2所示,示出了本發(fā)明具體實(shí)施例的硬盤狀態(tài)的檢測(cè)方法200。檢測(cè)方法200在s202處開(kāi)始;在s204處,進(jìn)行硬盤smart短測(cè)試;在s206處對(duì)短測(cè)試結(jié)果進(jìn)行展示;在s208處判斷硬盤是否出現(xiàn)異常,在判斷硬盤沒(méi)有異常的情況下進(jìn)入s210,在判斷硬盤出現(xiàn)異常的情況下進(jìn)入s214結(jié)束檢測(cè)方法200;在s210處,進(jìn)行硬盤smart長(zhǎng)測(cè)試;并在s212處對(duì)長(zhǎng)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行展示。即,在短測(cè)試和長(zhǎng)測(cè)試結(jié)合的檢測(cè)方法200過(guò)程中,會(huì)不斷的掃描硬盤的檢測(cè)進(jìn)度,當(dāng)硬盤完成短測(cè)試和長(zhǎng)測(cè)試的檢測(cè)時(shí),會(huì)對(duì)相應(yīng)的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行展示。這樣就使得在硬盤的檢測(cè)過(guò)程中,不再需要人工檢查,從而提高了檢測(cè)人員的工作效率。

如圖3所示,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例還提供了一種硬盤狀態(tài)的檢測(cè)裝置,包括:

短測(cè)試單元310,用于對(duì)硬盤進(jìn)行短測(cè)試;以及

長(zhǎng)測(cè)試單元320,連接于短測(cè)試單元310,用于在短測(cè)試無(wú)異常的情況下,對(duì)硬盤進(jìn)行長(zhǎng)測(cè)試;

其中短測(cè)試包括:對(duì)硬盤的部分地址空間進(jìn)行的檢測(cè);以及

長(zhǎng)測(cè)試包括:對(duì)硬盤的全盤地址空間進(jìn)行的檢測(cè)。

上述技術(shù)方案,通過(guò)硬盤狀態(tài)檢測(cè)過(guò)程中結(jié)合了短測(cè)試與長(zhǎng)測(cè)試,實(shí)現(xiàn)了硬盤狀態(tài)的自動(dòng)檢測(cè),從而實(shí)現(xiàn)了不再需要人工檢查、檢測(cè)全程無(wú)需人工干預(yù),提高了硬盤檢測(cè)的效率。

在一個(gè)實(shí)施例中,短測(cè)試單元310還包括第一短測(cè)試子單元312,用于對(duì)硬盤的前300mb地址空間進(jìn)行檢測(cè)。

在一個(gè)實(shí)施例中,短測(cè)試單元310還包括第二短測(cè)試子單元314,用于對(duì)硬盤的后100mb地址空間進(jìn)行檢測(cè)。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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