本申請晶圓生產規劃領域，尤其涉及一種晶圓廠跨區域生產規劃方法、設備、介質及產品。

背景技術：

1、在半導體晶圓的制造過程中，晶圓表面的圖形結構通過多層加工工藝逐步形成，涉及多個區域的復雜生產流程，包括光刻(litho)工藝、蝕刻(etch)工藝等。這些區域通常有不同的設備進行處理，生產過程中的每個工藝步驟和設備調度都對晶圓的最終質量有直接影響。

2、其中，doma(dose?mapper)是asml光刻機中的一種技術，通過修正曝光劑量，可以顯著提高關鍵尺寸均勻性(critical?dimension?uniformity,cdu)，包括曝光區域之間(inter-field)和曝光區域內部(intra-field)的線寬均勻性。然而，由于半導體制造流程中的多道工藝存在嚴格的工藝綁定和設備依賴，特別是doma工藝路徑中的光刻與后續蝕刻工藝(如polyetch)之間具有較長的q-time(工序等待時間)限制，生產調度的復雜性大幅增加。

3、現有技術中，某些晶圓廠為了保證關鍵工藝的穩定性，采取將光刻機(lithoscanner)與后續的蝕刻機臺(如poly?etch?chamber)綁定的做法，以維持在關鍵尺寸控制中的一致性。然而，這種綁定的doma生產路徑往往存在長q-time的問題，導致在排產調度時，長q-time工藝被優先安排，進而引發后續設備前lot堆積，特別是poly?etch區域的設備負荷大增，增加了設備過載和在制品報廢的風險。現有的生產排程方法難以有效解決這些問題，導致設備利用率低下和生產效率受限。

技術實現思路

1、本申請的一個目的是提供一種晶圓廠跨區域生產規劃方法、設備、介質及產品，至少用以解決設備利用率低導致制品報廢的技術問題。

2、為實現上述目的，本申請的一些實施例提供了以下幾個方面：

3、第一方面，本申請的一些實施例還提供了一種晶圓廠跨區域生產規劃方法，包括調用poly?etch設備排程調度算法，得到poly?etch設備排程結果；根據預設庫存水平和所述poly?etch設備排程結果，得到第一批次投產的lot；根據所述第一批次投產的lot，調用litho設備排程調度算法并添加第一約束條件，得到第二批次投產的lot；根據所述第二批次投產的lot,調用barc設備排程調度算法并添加第二約束條件，得到第三批次投產的lot。

4、第二方面，本申請的一些實施例還提供了一種電子設備，所述電子設備包括：一個或多個處理器；以及存儲有計算機程序指令的存儲器，所述計算機程序指令在被執行時使所述處理器執行如上所述方法的步驟。

5、第三方面，本申請的一些實施例還提供了一種計算機可讀介質，其上存儲有計算機程序指令，所述計算機程序指令可被處理器執行以實現如上所述的方法。

6、第四方面，本申請的一些實施例還提供了一種計算機程序產品，包括計算機程序/指令，該計算機程序/指令被處理器執行時實現如上所述方法的步驟。

7、與相關技術相比，本申請實施例提供的方案中，通過調用各區域的排程調度算法并設定相應的約束條件，能夠有效協調不同加工區域的生產節奏，尤其是在doma路徑下控制poly?etch設備、litho設備和barc設備的投產速率，從而避免下游設備前的lot堆積，降低了q-time超限導致的報廢風險。

技術特征：

1.一種晶圓廠跨區域生產規劃方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述poly?etch設備排程調度算法包括：將每個獨立運行的chamber作為單獨的調度對象，最大化設備產能。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述預設庫存水平包括：

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一約束條件為保持所述第一批次投產的lot在l?itho設備中與poly?etch設備中的順序和優先級一致。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二約束條件為保持所述第二批次投產的lot在barc設備中與l?itho設備中的順序和優先級一致。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述poly?etch設備排程調度算法、litho設備排程調度算法和barc設備排程調度算法通過實時監測各設備的生產速率，動態調整各區域的lot投產數量，以防止當前庫存水平低于預設庫存水平。

7.根據權利要求1至6中任意一項所述方法，其特征在于，所述方法還包括：當任一設備的庫存水平低于預設值時，增加該設備的投產lot數量，并通過相鄰區域的排程調度算法進行協調。

8.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括：

9.一種計算機可讀介質，其上存儲有計算機程序/指令，其特征在于，所述計算機程序/指令被處理器執行時實現權利要求1至7中任意一項所述方法的步驟。

10.一種計算機程序產品，包括計算機程序/指令，其特征在于，該計算機程序/指令被處理器執行時實現權利要求1至7中任意一項所述方法的步驟。

技術總結
本申請實施例涉及晶圓生產規劃領域，公開了一種晶圓廠跨區域生產規劃方法、設備、介質及產品。調用POLY?etch設備排程調度算法，得到POLY?etch設備排程結果；根據預設庫存水平和所述POLY?etch設備排程結果，得到第一批次投產的lot；根據所述第一批次投產的lot，調用LITHO設備排程調度算法并添加第一約束條件，得到第二批次投產的lot；根據所述第二批次投產的lot,調用BARC設備排程調度算法并添加第二約束條件，得到第三批次投產的lot。通過調用各區域的排程調度算法并設定相應的約束條件，能夠有效協調不同加工區域的生產節奏。可以至少用以解決設備利用率低導致制品報廢的技術問題。

技術研發人員：喬偉,陳誠
受保護的技術使用者：上海朋熙半導體有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28