本發明涉及集成電路分析領域，尤其涉及一種抗輻照電路加固可靠性的分析方法、裝置、設備及介質。

背景技術：

1、當粒子撞擊微電子器件時，最敏感的區域通常是反向偏置的pn結。因為反向偏置結耗盡區域的高場可以通過漂移過程非常有效地收集粒子感應電荷，從而在結接觸處產生瞬態電流。以cmos反相器為例，當輸出為1時，n型晶體管的漏極是最敏感區域，當粒子撞擊時會收集負電荷，形成瞬態電流，反相器輸出端會發生1至0的電壓跳變；同理，當輸出為0時，p型晶體管的漏極是敏感區域，被粒子撞擊時會收集正電荷，形成瞬態電流，反相器輸出端會發生0至1的電壓跳變。

2、在抗輻照電路設計領域，為了提高電路的抗輻照性能，降低電路被粒子撞擊后發生錯誤的可能星，采用設計手段進行抗輻照加固(rhbd，radiation?hardened?by?design)是一種常用的手段。當一個抗輻照加固電路結構設計后，需要對其加固可靠性進行分析。

技術實現思路

1、本發明的目的在于提供一種抗輻照電路加固可靠性的分析方法、裝置、設備及介質，以對抗輻照電路的加固可靠性進行分析。

2、為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

3、一種抗輻照電路加固可靠性的分析方法，包括：

4、根據抗輻照電路的電路結構，確定所述抗輻照電路在不同狀態下各個存儲節點之間的控制關系；

5、基于各個所述存儲節點在所述不同狀態下的控制關系，分析所述抗輻照電路加固可靠性。

6、在本申請的一種可選實施方式中，所述根據抗輻照電路的電路結構，確定所述抗輻照電路在不同狀態下各個存儲節點之間的控制關系，包括：

7、在所述抗輻照電路處于第一狀態的情況下，將所述抗輻照電路中的任意存儲節點作為第一存儲節點，基于所述抗輻照電路的電路結構，判斷第二存儲節點的第二電位是否由第一存儲節點的第一電位確定；

8、在所述第二存儲節點的第二電位由第一存儲節點的第一電位確定的情況下，確定在所述抗輻照電路處于第一狀態的情況下，所述第一存儲節點對第二存儲節點的電位具有正向貢獻；

9、在所述抗輻照電路處于第二狀態的情況下，將所述抗輻照電路中的任意存儲節點作為第三存儲節點，基于所述抗輻照電路的電路結構，判斷第四存儲節點的第四電位是否由第四存儲節點的第二電位確定；

10、在所述第四存儲節點的第四電位由第三存儲節點的第三電位確定的情況下，確定在所述抗輻照電路處于第二狀態的情況下，所述第三存儲節點對第四存儲節點的電位具有正向貢獻。

11、在本申請的一種可選實施方式中，還包括：

12、根據對所述抗輻照電路在不同狀態下各個存儲節點之間的控制關系，獲得所述抗輻照電路的控制關系圖；

13、所述基于各個所述存儲節點在所述不同狀態下的控制關系，分析所述抗輻照電路加固可靠性，包括：

14、根據所述抗輻照電路的控制關系圖，分析所述抗輻照電路加固可靠性。

15、在本申請的一種可選實施方式中，所述基于各個所述存儲節點在所述不同狀態下的控制關系，分析所述抗輻照電路加固可靠性，包括：

16、基于各個所述存儲節點在不同狀態下的控制關系，確定所述各個所述存儲節點在所述抗輻照電路中的可靠性；

17、當任意所述存儲節點不可靠的情況下，確定所述抗輻照電路不穩定；

18、當各個所述存儲節點均可靠的情況下，確定所述抗輻照電路可靠。

19、在本申請的一種可選實施方式中，所述基于各個所述存儲節點在不同狀態下的控制關系，確定所述各個所述存儲節點在所述抗輻照電路中的可靠性，包括：

20、針對所述抗輻照電路中的第五存儲節點，基于各個所述存儲節點在不同狀態下的控制關系，判斷在所述抗輻照電路為第一狀態的情況下，第六存儲節點對所述第五存儲節點的電位是否具有正向貢獻；

21、以及，判斷在所述抗輻照電路為第二狀態的情況下，所述第五存儲節點對所述第六存儲節點的電位是否具有正向貢獻；

22、在所述抗輻照電路為第一狀態的情況下，所述第六存儲節點對所述第五存儲節點的電位具有正向貢獻，且在所述抗輻照電路為第二狀態的情況下，所述第五存儲節點對所述第六存儲節點的電位不具有正向貢獻的情況下，確定所述第五存儲節點可靠。

23、在本申請的一種可選實施方式中，所述抗輻照電路的第一狀態為1狀態，所述抗輻照電路的第二狀態為0狀態。

24、與現有技術相比，本發明提供的抗輻照電路加固可靠性的分析方法，通過根據抗輻照電路的電路結構，確定所述抗輻照電路在不同狀態下各個存儲節點之間的控制關系；之后，結合各個存儲節點之間的控制關系，對所述抗輻照電路的加固可靠性進行分析。該方法能夠結合所述抗輻照電路的電路結構，直接反映出抗輻照電路的拓撲結構，在抗輻照電路的加固可靠性有待提升的情況下，對抗輻照電路進行改進，同時，該方法無需對每一個存儲節點的電位跳變情況分別進行討論，再分析各個晶體管受到的影響，有利于提高抗輻照電路加固可靠性分析的分析效率。

25、本發明還提供一種抗輻照電路加固可靠性的分析裝置，包括：

26、控制關系確定單元，用于根據抗輻照電路的電路結構，確定所述抗輻照電路在不同狀態下各個存儲節點之間的控制關系；

27、可靠性分析單元，用于基于各個所述存儲節點在所述不同狀態下的控制關系，分析所述抗輻照電路加固可靠性。

28、與現有技術相比，本發明提供的抗輻照電路加固可靠性的分析方法的有益效果與上述技術方案所述的抗輻照電路加固可靠性的分析方法有益效果相同，此處不做贅述。

29、本發明還提供一種電子設備，包括：

30、處理器；

31、用于存儲所述處理器可執行指令的存儲器；

32、所述處理器，用于通過運行所述存儲器中的指令，執行上述抗輻照電路加固可靠性的分析方法。

33、與現有技術相比，本發明提供的電子設備的有益效果與上述技術方案所述的抗輻照電路加固可靠性的分析方法有益效果相同，此處不做贅述。

34、本發明還提供一種計算機存儲介質，所述計算機存儲介質中存儲有指令，當所述指令被運行時，實現上述抗輻照電路加固可靠性的分析方法。

35、與現有技術相比，本發明提供的計算機存儲介質的有益效果與上述技術方案所述的抗輻照電路加固可靠性的分析方法有益效果相同，此處不做贅述。

技術特征：

1.一種抗輻照電路加固可靠性的分析方法，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據抗輻照電路的電路結構，確定所述抗輻照電路在不同狀態下各個存儲節點之間的控制關系，包括：

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于各個所述存儲節點在所述不同狀態下的控制關系，分析所述抗輻照電路加固可靠性，包括：

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于各個所述存儲節點在不同狀態下的控制關系，確定所述各個所述存儲節點在所述抗輻照電路中的可靠性，包括：

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述抗輻照電路的第一狀態為1狀態，所述抗輻照電路的第二狀態為0狀態。

7.一種抗輻照電路加固可靠性的分析裝置，其特征在于，包括：

8.一種電子設備，其特征在于，包括：

9.一種計算機存儲介質，其特征在于，所述計算機存儲介質中存儲有指令，當所述指令被運行時，實現權利要求1至6任意一項所述的抗輻照電路加固可靠性的分析方法。

技術總結
本發明公開一種抗輻照電路加固可靠性的分析方法、裝置、設備及介質，涉及集成電路分析領域，所述抗輻照電路加固可靠性的分析方法，包括：根據抗輻照電路的電路結構，確定所述抗輻照電路在不同狀態下各個存儲節點之間的控制關系；基于各個所述存儲節點在所述不同狀態下的控制關系，分析所述抗輻照電路加固可靠性。該方法能夠結合所述抗輻照電路的電路結構，直接反映出抗輻照電路的拓撲結構，在抗輻照電路的加固可靠性有待提升的情況下，對抗輻照電路進行改進，同時，該方法無需對每一個存儲節點的電位跳變情況分別進行討論，再分析各個晶體管受到的影響，有利于提高抗輻照電路加固可靠性分析的分析效率。

技術研發人員：劉海南,李泳欣,閆珍珍,李多力,趙文欣,馬全剛,李博
受保護的技術使用者：中國科學院微電子研究所
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24