本發明涉及存儲器，特別涉及一種存儲器的信息存儲方法、裝置、存儲器和存儲介質。

背景技術：

1、nand?flash在客戶端應用時，有ecc糾錯功能，在ecc糾錯功能的幫助下，可以在滿足用戶存儲的數據剛編寫完以及放置一定時間后，判斷數據的正確性。

2、nand?flash自身有很多重要數據信息是寫到固定的位置的，在芯片上電后，做power?on?read(開機讀取)時，將這些重要數據信息讀取到芯片的latch(鎖存器)中，當用戶使用該芯片時，會使用latch中的參數(上述的重要數據信息)。但在power?on?read時，這些參數還沒有被讀到latch中，則在做power?on?read時，使用的是默認的參數。比如read時select?wl(select?word?line，選擇字線)上加的電壓。芯片在做設計時，允許這個電壓的范圍是0-2v，0.1v一個step，默認條件下該電壓是0.1v。但實驗得到的結果是該電壓設為0.5v對芯片性能最好。那么0.5v的信息會被寫在芯片的特殊block區域。類似這樣的電壓信息還有很多且這些信息很關鍵，一旦出錯，芯片的power?on?read會fail，且芯片不能正常工作。

3、nand?flash在power?on?read時，會將自身的參數信息讀到對應的cache(高速緩沖存儲器)中，但power?on?read時，cache中是一套design設計的固定參數，沒有ecc糾錯算法，也不是對nand?flash最優的參數設置。并且芯片到客戶端應用后，對于這些信息，只有上電時被讀出來，沒有擦除再編程，需要能堅持整個nnad?flash壽命的放置不出錯，一旦出錯，這顆芯片就無法正常讀寫了，可靠性較差。

技術實現思路

1、本發明提供一種存儲器的信息存儲方法，旨在提高nand?flash自身重要數據信息的存儲質量，從而保證這些重要數據信息的正確。本發明通過在其余字線上寫入與目標字線相同的目標參數數據，對目標字線上的目標參數數據起到加固的作用，通過將與目標字線相鄰的兩組相鄰字線保持擦除狀態，降低受到相鄰字線電壓改變的干擾，可以有效避免數據干擾和誤讀，從而提高存儲數據的可靠性和準確性。

2、為實現上述目的，本發明提出的存儲器的信息存儲方法。

3、所述存儲器為nand?flash存儲器，所述nand?flash存儲器包括串行連接的多個存儲單元，每個存儲單元對應一個字線，所述方法包括：

4、在目標字線中寫入目標參數數據；

5、將與所述目標字線相鄰的兩組相鄰字線保持擦除狀態；

6、在其余字線中寫入所述目標參數數據，所述其余字線為所述目標字線以及所述兩組相鄰字線之外的字線。

7、可選的，在所述在其余字線中寫入所述目標參數數據之后，所述方法還包括：

8、在開機讀取數據時，向所述兩組相鄰字線以及所述其余字線施加導通電壓；

9、以及，向所述目標字線施加讀取電壓，得到所述目標字線上的讀取數據。

10、可選的，在所述向所述目標字線施加讀取電壓，得到所述目標字線上的讀取數據之后，所述方法還包括：

11、通過正反碼校驗方式對所述目標字線上的讀取數據進行校驗；

12、若校驗通過，則將所述目標參數數據讀取到鎖存器。

13、可選的，在所述對所述讀取數據進行校驗之后，所述方法還包括：

14、若校驗失敗，則向所述其余字線施加讀取電壓，得到所述其余字線上的讀取數據；

15、通過正反碼校驗方式對所述其余字線上的讀取數據進行校驗，直到校驗成功或全部校驗失敗。

16、可選的，在所述將所述目標參數數據讀取到鎖存器之后，所述方法還包括：

17、將所述鎖存器中的所述目標參數數據讀取到高速緩沖存儲器；

18、通過所述高速緩沖存儲器中的所述目標參數數據對所述nand?flash存儲器進行配置。

19、可選的，所述讀取電壓被配置為在第一電壓閾值與第二電壓閾值之間，所述第一電壓閾值為所述存儲單元的浮柵上有電子時的閾值電壓，所述第二電壓閾值為所述存儲單元的浮柵上無電子時的閾值電壓。

20、可選的，所述目標參數數據包括讀取數據時的所述nand?flash存儲器所需要的非默認工作參數數據。

21、本發明還提出一種存儲器的信息存儲裝置，所述存儲器的信息存儲裝置包括存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機程序，所述計算機程序被所述處理器執行時實現上述的存儲器的信息存儲方法的步驟。

22、本發明還提出一種存儲器，所述存儲器包括nand?flash存儲器以及存儲器的信息存儲裝置，以及串行連接的多個存儲單元，每個存儲單元對應一個字線，所述存儲器的信息存儲裝置為上述的存儲器的信息存儲裝置。

23、本發明還提出一種存儲介質，所述存儲介質上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現上述的存儲器的信息存儲方法的步驟。

24、本發明存儲器的信息存儲方法的技術方案，在目標字線中寫入目標參數數據；將與目標字線相鄰的兩組相鄰字線保持擦除狀態；在其余字線中寫入目標參數數據，其余字線為目標字線以及兩組相鄰字線之外的字線。通本發明通過在其余字線上寫入與目標字線相同的目標參數數據，對目標字線上的目標參數數據起到加固的作用，通過將與目標字線相鄰的兩組相鄰字線保持擦除狀態，降低受到相鄰字線電壓改變的干擾，可以有效避免數據干擾和誤讀，從而提高存儲數據的可靠性和準確性。

技術特征：

1.一種存儲器的信息存儲方法，其特征在于，所述存儲器為nand?flash存儲器，所述nand?flash存儲器包括串行連接的多個存儲單元，每個存儲單元對應一個字線，所述方法包括：

2.根據權利要求1所述的存儲器的信息存儲方法，其特征在于，在所述在其余字線中寫入所述目標參數數據之后，所述方法還包括：

3.根據權利要求2所述的存儲器的信息存儲方法，其特征在于，在所述向所述目標字線施加讀取電壓，得到所述目標字線上的讀取數據之后，所述方法還包括：

4.根據權利要求3所述的存儲器的信息存儲方法，其特征在于，在所述對所述讀取數據進行校驗之后，所述方法還包括：

5.根據權利要求3所述的存儲器的信息存儲方法，其特征在于，在所述將所述目標參數數據讀取到鎖存器之后，所述方法還包括：

6.根據權利要求2所述的存儲器的信息存儲方法，其特征在于，所述讀取電壓被配置為在第一電壓閾值與第二電壓閾值之間，所述第一電壓閾值為所述存儲單元的浮柵上有電子時的閾值電壓，所述第二電壓閾值為所述存儲單元的浮柵上無電子時的閾值電壓。

7.所述根據權利要求1至6中任一項所述的存儲器的信息存儲方法，其特征在于，所述目標參數數據包括讀取數據時的所述nand?flash存儲器所需要的非默認工作參數數據。

8.一種存儲器的信息存儲裝置，其特征在于，所述存儲器的信息存儲裝置包括存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機程序，所述計算機程序被所述處理器執行時實現如權利要求1至7中任一項所述的存儲器的信息存儲方法的步驟。

9.一種存儲器，其特征在于，所述存儲器包括nand?flash存儲器以及存儲器的信息存儲裝置，以及串行連接的多個存儲單元，每個存儲單元對應一個字線，所述存儲器的信息存儲裝置為如權利要求8所述的存儲器的信息存儲裝置。

10.一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現如權利要求1至8中任一項所述的存儲器的信息存儲方法的步驟。

技術總結
本發明公開一種存儲器的信息存儲方法、裝置、存儲器和存儲介質，該存儲器的信息存儲方法包括：在目標字線中寫入目標參數數據；將與目標字線相鄰的兩組相鄰字線保持擦除狀態；在其余字線中寫入目標參數數據，其余字線為目標字線以及兩組相鄰字線之外的字線。通本發明通過在其余字線上寫入與目標字線相同的目標參數數據，對目標字線上的目標參數數據起到加固的作用，通過將與目標字線相鄰的兩組相鄰字線保持擦除狀態，降低受到相鄰字線電壓改變的干擾，可以有效避免數據干擾和誤讀，從而提高存儲數據的可靠性和準確性。

技術研發人員：王者偉,高偉
受保護的技術使用者：聯和存儲科技（江蘇）有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24