專利名稱：一種積累層控制的晶閘管的制作方法
技術領域：
一種積累層控制的晶閘管，屬于半導體功率器件技術領域。
背景技術：
近些年來，絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,艮卩IGBT)由于結合 了MOSFET的驅動電路簡單、開關速度高和雙極功率晶體管的電流密度大、飽和壓降低的優 點，應用范圍越來越廣。但是，絕緣柵雙極型晶體管在高壓應用時正向導通壓降將會變得很 大，這主要是由于高壓應用時N—基區很厚，在接近發射極一側的輕摻雜N.基區得不到有效的 電導調制。而在柵控晶閘管器件中，陽極有空穴注入，陰極有電子的注入，可以實現對N—基 區充分的電導調制，正向壓降和通態功耗比垂直雙擴散金屬氧化物半導體和絕緣柵雙極型晶 體管等柵控器件都小，且柵控晶閘管器件輸入端為MOSFET結構，輸出端為晶閘管結構， 有輸入阻抗高，易于控制，阻斷電壓高，功率容量大等優點，在功率電子技術領域應用中是 一種優良的器件。
自1984年Temple發表了采用MOSFET控制晶閘管開啟和關斷的器件結構一MOS控制 的晶閘管MCT (MOS Controlled Thyristor)以來，研究報道了多種柵控晶閘管器件結構，圖 1為基區電阻控制的晶閘管BRT (Base Resistance Controlled Thyristor),圖2為雙柵結構基區 電阻控制的晶閘管DG-BRT (Dual Gate Base Resistance Controlled Thyristor)。 MOS控制的晶 閘管，基區電阻控制的晶閘管和雙柵結構基區電阻控制的晶閘管都具有類似于晶閘管的正向 導通壓降，但是都缺乏電流飽和能力，所以在感性負載的開關過程中很容易發生電流集中而 使器件燒毀，使得器件的應用受到限制；另一方面，它們都是利用與開啟柵相反極性柵壓的 增強型MOS反型溝道短路晶閘管的發射結，使晶閘管喪失再生反饋作用而退出鎖定狀態， 它們最大的可控(可關斷)電流密度受到短路發射結的反型溝道電阻及旁路電阻的限制。發 射極關斷的晶閘管EST (Emitter Switched Thyristor)結構，如圖3所示，則通過一個MOSFET 結構IO來限制電子的流通從而控制晶閘管的電流，所以它在低壓應用時具有電流飽和特性。 但是發射極關斷晶閘管由于電流流經MOS溝道，所以正向導通壓降要比上述的MOS控制的 晶閘管和基區電阻控制的晶閘管的正向導通壓降要大，而且一旦晶閘管工作，發射極關斷晶 閘管的正向安全工作區FBSOA (Forward Biased Safe Operating Area)就受到表面MOSFET 10 擊穿電壓的限制(典型為15伏左右)，除此之外，發射極關斷晶閘管本身存在一個寄生的晶 閘管，如圖3中12所示， 一旦寄生晶閘管開啟，柵就失去了控制作用，故其最大可控的電流密度受限，關斷能力大為降低。為了提高發射極關斷晶閘管結構的正向安全工作區，文獻 M.S.Shekar, BJ.Baliga, M.Nandakumar, S.Tandon and AReisman, "High voltage current saturation in Emitter Switched Thyristors," IEEE Electron Device ktters, July 1991,pp. 387-389提出了一種 雙溝道發射極關斷的晶閘管DC-EST (Dual Channel Emitter Switched Thyristor),如圖4所示， 此結構可獲得較好的正向安全工作區，但與此同時，由于雙MOSFET結構10的引入，使器 件的正向導通壓降增加，而且器件本身的寄生晶閘管12效應仍未消除，故其最大可控的電流 密度仍受到限制，可靠性有待進一步提高。隨后，文獻SRIDHA, S., BALIGA, B丄,"The dual gate emitter switched thyristor (DG-EST)".IEEE Electron Device Lett, 1996.17. (l).PP.25-27又提 出了一種雙柵發射極關斷的晶閘管DG-EST (Dual Gate Emitter Switched Thyristor)結構，如 圖5所示，此結構為發射極關斷的晶閘管和雙溝道發射極關斷的晶閘管的一個復合結構，結 合了兩者的優點，使得器件在獲得較大正向安全工作區的同時正向導通壓降有所降低，但是， 雙柵控制結構使得器件的應用范圍受到了一定的限制；另一方面，如圖5中11所示的寄生晶 閘管仍然存在，使得器件的關斷能力和可靠性等都受到了限制。如何使柵控晶閘管獲得電流 飽和特性以及有效均勻的關斷能力是研究者們一直以來探索并努力解決的兩大主要問題，也 是導致柵控晶閘管至今仍未有大規模應用的重要因素。

發明內容
本發明的目的在于提供一種積累層控制的晶閘管，它通過P+N—結的內建電場形成的電子 勢壘來控制晶閘管的關斷，通過一個溝槽MOS結構來觸發晶閘管的開啟，通過積累層來提 供電流飽和能力。與傳統的通過MOSFET來控制晶閘管關斷和提供電流飽和特性的器件相 比，本發明所提供的積累層控制的晶閘管由于采用了積累層代替了傳統的反型層，故可實現 更低的導通壓降，更大的電流飽和能力。在中高壓應用領域，本發明所提供的積累層控制的 晶閘管更能實現優于IGBT的特性。在相同元胞尺寸和結構參數條件下，與溝槽柵絕緣柵雙 極型晶體管相比，最大飽和電流密度可提高3倍以上，在200A/ci^的電流密度下，正向導通 壓降降低了0.6伏。
本發明技術方案如下
一種積累層控制的晶閘管，如圖6所示，包括金屬化陽極l、陽極P區2、 N—基區3、 P+ 旁路區4、金屬化陰極5、柵氧化層6、多晶硅柵7、 P型基區8、 N-源區9、 N—耗盡區33和 !^層200; N—基區3與金屬化陰極5之間夾著一個溝槽式絕緣柵，所述溝槽式絕緣柵由柵氧 化層6和多晶硅柵7構成，其中柵氧化層6位于多晶硅柵7的表面；位于溝槽式絕緣柵側面 的N—基區3與金屬化陰極5之間從下往上依次是P型基區8、 N+層200和N—耗盡區33， N—耗盡區33上方橫向排列有一個P+旁路區4和一個N+源區9， P+旁路區4、 W源區9和溝 槽式絕緣柵的上面是金屬化陰極5， P+旁路區4和溝槽式絕緣柵之間夾著N+源區9和部分 N—耗盡區33。
本發明的工作原理
本發明提供的一種積累層控制的晶閘管，可獲得更低的導通壓降和更大的飽和電流密度， 且克服了傳統柵控晶閘管類器件大多缺乏電流飽和特性，關斷能力較弱的缺點，安全工作區 和可靠性得到大幅度提高。這里以如圖7所示積累層控制的晶閘管(附有內建電場示意)，說 明本發明的工作原理。
當陽極相對于陰極為正電壓，且柵上加一正電壓時，在N—基區3與氧化層6， N—耗盡區 33與氧化層6界面將形成一積累層，P型基區8反型，形成電子溝道，電子由N+源區9經 積累層，N+層200，反型電子溝道流入N—基區3，為PNP晶體管(由陽極P區2、 N'基區3和 P型基區8組成)提供了基極電流，促使晶閘管開啟。P+N—結形成的內建電場(圖7中虛線所 示的橫向電場300)將形成一個電子的勢壘，晶閘管中的電流不能直接通過N—耗盡區33流向 W源區9，電子電流被迫限制在積累層流通，當柵上不加電壓時，積累層立刻消失，由于內 建橫向電場(圖7中虛線所示的橫向電場300)對電子的阻斷作用，電子流通路徑即被切斷， 迫使器件關斷；本發明提供的一種積累層控制的晶閘管主要由晶閘管部分(由陽極P區2， N—基區3 ， P型基區8和N+層200組成)和積累型場效應晶體管(由f源區9， N—耗盡區 33和N+層200組成)兩部份組成。在器件導通初期，由于積累層濃度較高，積累型場效應 晶體管可以為晶閘管源源不斷提供電子，故器件總電流隨著陽極電壓的升高而升高，但當晶 閘管電流上升到與積累型場效應晶體管飽和電流相當時，器件的總電流將趨于一個飽和值。 這主要是因為晶閘管開啟后，它的導通壓降很低，故陽極電位主要集中于積累型場效應晶體 管，電場將不斷增大，電子的漂移速度將不斷提高。對于積累型場效應晶體管而言，它的電 流主要是以漂移電流為主，漂移電流密度為nxqxV(其中n為電子總數，q為電子電量，V 為電子的速度)，隨著陽極電壓的增加，電子速度V不斷增加，但積累層中電子的濃度將隨陽 極電壓的上升而不斷較小，當兩者趨勢相當時，漂移電流密度nxqxV將趨于一個常數，電 流呈現一個飽和特性；在更大的陽極電壓下，當電場強度達到5xl014V/cm左右時，電子速 度V速度將趨于一個飽和值Vsat^0^m/s，此時漂移電流將會不斷減小，但此時擴散電流由 于電子濃度差的增大而慢慢呈現出來，且不斷增大，故器件總電流仍能維持一個相對飽和特 性。本發明提供的一種積累層控制的晶閘管在獲得電流飽和特性的同時，由于沒有任何寄生 效應，故最大可關斷的電流密度遠遠大于傳統的柵控晶閘管類器件，關斷性能可得到大幅度的提升。
本發明除了使得柵控晶閘管沒有傳統的寄生效應，具有更強的關斷能力和獲得電流飽和 特性外，還具有的優點是具有較低的正向導通壓降和大的飽和電流密度，且為單柵正電壓控 制結構，應用范圍更廣。
本發明提供的一種積累層控制的晶閘管以積累層控制晶閘管取代了傳統的以MOS管來 控制晶閘管的柵控類晶閘管器件。由于電子積累層比電子反型層具有更高的載流子濃度和更 大的遷移率，故在相同的電流密度下，電子積累層上的導通壓降將比電子反型層低，故一種 積累層控制的晶閘管可獲得更低的導通壓降。對于傳統的柵控晶閘管器件，電流飽和特性大 多是MOSFET所提供，且最大飽和電流密度大多取決于MOSFET的最大飽和電流密度；對 于本發明提供的一種積累層控制的晶閘管，電流飽和特性由積累型場效應晶體管(如圖7所 示，由N+源區9， N—耗盡區33和N+層200組成)所提供，且最大飽和電流密度取決于積累 型場效應晶體管。由于積累型場效應晶體管具有比MOSFET更大的電子遷移率，故可更大的 飽和電流密度。本發明為單柵結構，且為正柵壓控制，使得驅動電路更加簡單，應用范圍更 廣；本發明的溝槽柵結構，也使器件的單位面積電流密度得到有效的提高，在中高壓應用領 域，本發明提供的一種積累層控制的晶閘管可實現優于絕緣柵雙極型晶體管的特性。
借助MEDICI仿真工具，對所提供的一種積累層控制的晶閘管(如圖7所示)和傳統溝 槽柵絕緣柵雙極型晶體管(如圖8所示)進行了仿真比較。仿真模擬薄片工藝制造的耐壓為 1200伏的器件參數，采用的仿真參數為P型集電區摻雜5xl(^cm—3，厚度為5pm; N—基區摻 雜lxl0"cm—3，厚度為165pm;柵氧化層厚度為30nm， N+源區摻雜1 xl(Pcnf3， P+源區摻 雜lxl0^cm—3，仿真元胞寬度為lnm。仿真所得的積累層控制的晶閘管及傳統溝槽柵絕緣柵 雙極型晶體管的電流曲線分別如圖9、圖IO所示(其中圖9、圖10中的右圖皆為左圖頂部30pm 的局部放大圖)，由圖可知，對于所提供的積累層控制的晶閘管，電流在流過晶閘管后被迫限 制在積累層流通；而對于傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管而言，是一個MOSFET電流為寬基 區PNP晶體管提供基極電流的流通模式。圖11是本發明所提供的一種積累層控制的晶閘管 在柵壓為5伏，10伏，15伏，20伏時的I-V曲線圖。從圖中可知，柵壓越高，飽和電流密度 越大，但進入飽和區所需的陽極電壓也越高，這主要是由于積累型場效應晶體管的最大飽和 電流密度隨柵壓的增大而增大的緣故。圖12、圖13分析了柵壓為20伏時，A點(積累層中 靠近N+層的一點，如圖7所示)的電勢和電子濃度隨陽極電壓的變化情況。從圖12、圖13 可知，隨著陽極電壓的不斷升高，A點的電勢逐漸升高，而A點的電子濃度則逐漸降低。積 累型場效應晶體管漂移電流密度為nxqxV(其中n為電子總數，q為電子電量，V為電子的速度)， 一方面A點電勢升高導致電子速度增大，漂移電流密度具有增大的趨勢，另一方面，A 點的電子濃度的降低將導致漂移電流密度的減小，當兩者的作用相當時，電流將趨于一個平 衡值。圖14是從本發明提供的一種積累層控制的晶閘管中所提取出來的積累型場效應晶體管 (如圖7所示，由N+源區9， N絮盡區33和N+層200組成)，慘雜濃度和結構參數都保持 和原結構中的相同，圖15是圖14所示的積累層場效應晶體管在柵壓為5伏，10伏，15伏， 20伏時的I-V曲線圖。對比圖ll和圖15可以看出， 一種積累層控制的晶閘管，它的I-V曲 線和積累型場效應晶體管的極其相似，最大飽和電流密度幾乎相同，這說明了所述的一種積 累層控制的晶閘管的總電流開始隨晶閘管電流的上升而增加，但最終將受限于積累型場效應 晶體管的最大飽和電流而趨于一個飽和值。圖16是在相同摻雜和結構參數的條件下，本發明 所提供的一種積累層控制的晶閘管(如圖7所示)和傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管(如圖 8所示)在柵壓分別為10伏和20伏條件下的I-V曲線比較圖。從圖中可以看出，在10伏的 柵壓下，本發明所提供的一種積累層控制的晶閘管的最大飽和電流密度是傳統溝槽柵絕緣柵 雙極型晶體管的7倍；在20伏的柵壓下是傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管的3倍。本發明所 提供的一種積累層控制的晶閘管和傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管在電流飽和時N'基區的空 穴濃度分布情況如圖17所示，由圖可見，本發明所提供的積累層控制的晶閘管飽和工作時 N—基區的空穴濃度幾乎比傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管大一個數量級。圖18是本發明所提 供的一種積累層控制的晶閘管與傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管在柵壓為20伏時電流密度 與正向導通壓降的關系圖。由圖可見，在200A/cn^的電流密度下，所提一種積累層控制的晶 閘管的正向導通壓降比傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管降低了 0.6伏。
綜上所述，本發明提供的一種積累層控制的晶閘管，改變了傳統的以MOSFET來控制晶 閘管的關斷，而通過內建電場的引入形成的電子勢壘來有效控制晶閘管的關斷，消除了發射 極關斷的晶閘管，雙溝道發射極關斷的晶閘管以及雙柵發射極關斷的晶閘管等柵控晶閘管器 件本身具有的寄生晶閘管結構，使得關斷能力大幅度提高，安全工作區增加，而且以積累層 代替了原有的MOS溝道，在獲得電流飽和特性的同時也使飽和電流密度得到提高,導通壓降 進一步降低。與相同條件下的傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管相比，最大飽和電流密度提高 3倍以上，在200A/cn^的電流密度下，正向導通壓降降低了 0.6伏。本發明的單柵及正電壓 控制結構，也使得器件的驅動電路更加簡單，應用范圍更廣。


圖1是基區電阻控制的晶閘管的結構示意圖
其中，l是金屬化陽極、2是陽極P區、3是N-基區、4是P+旁路區、5是金屬化陰極、6是柵氧化層、7是多晶硅柵、8是P型基區、9是^源區。 圖2是雙柵結構基區電阻控制的晶閘管的結構示意圖
其中，l是金屬化陽極、2是陽極P區、3是N'基區、4是P+旁路區、5是金屬化陰極、 6是柵氧化層、7是多晶硅柵、8是P型基區、9是N+源區。
圖3是發射極關斷的晶間管的結構示意圖
其中，l是金屬化陽極、2是陽極P區、3是N—基區、4是P+旁路區、5是金屬化陰極、 6是柵氧化層、7是多晶硅柵、8是P型基區、9是N+源區、IO是MOSFET、 11是主晶閘管、 12是寄生晶閘管。
圖4是雙溝道發射極關斷的晶閘管的結構示意圖
其中，l是金屬化陽極、2是陽極P區、3是N'基區、4是P+旁路區、5是金屬化陰極、 6是柵氧化層、7是多晶硅柵、8是P型基區、9是N+源區、10是雙MOSFET結構、11是主 晶閘管、12是寄生晶閘管。
圖5是雙柵發射極關斷的晶閘管的結構示意圖
其中，l是金屬化陽極、2是陽極P區、3是N—基區、4是P+旁路區、5是金屬化陰極、 6是柵氧化層、7是多晶硅柵、8是P型基區、9是N+源區、IO是雙MOSFET結構、11是主 晶閘管、12是寄生晶閘管、IIO是多晶硅柵-a。
圖6是本發明提供的一種積累層控制的晶閘管的結構示意圖
其中，l是金屬化陽極、2是陽極P區、3是N—基區、4是P+旁路區、5是金屬化陰極、 6是柵氧化層、7是多晶硅柵、8是P型基區、9是W源區、33是N—耗盡區、200是N+層。
圖7是本發明提供的一種積累層控制的晶閘管的結構示意及內建電場示意圖
其中，l是金屬化陽極、2是陽極P區、3是N—基區、4是P+旁路區、5是金屬化陰極、 6是柵氧化層、7是多晶硅柵、8是P型基區、9是N+源區、33是N-耗盡區、200是W層、 300是內建電場。
圖8是傳統的溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管的結構示意圖
其中，l是金屬化陽極、2是陽極P區、3是N-基區、4是P+旁路區、5是金屬化陰極、 6是柵氧化層、7是多晶硅柵、8是P型基區、9是N+源區。圖9是本發明所提供的一種積累層控制的晶閘管在飽和工作時的電流曲線分布圖。 其中，右圖為左圖頂部30pm的局部放大圖。
圖10是傳統的溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管在飽和工作時的電流曲線分布圖。 其中，右圖為左圖頂部30nm的局部放大圖。
圖11是本發明所提供的一種積累層控制的晶閘管在柵壓為5伏，10伏，15伏，20伏時 的I-V曲線圖。
圖12是本發明所提供的一種積累層控制的晶閘管在柵壓為20伏時A點(如圖7所示) 電勢隨陽極電壓的變化的關系曲線圖。
圖13是本發明所提供的一種積累層控制的晶閘管在柵壓為20伏時A點(如圖7所示) 的電子濃度隨陽極電壓的變化的關系曲線圖。
圖14是從本發明所提供的一種積累層控制的晶閘管中所提取出來的積累層場效應晶體 管，其摻雜和結構參數都保持不變。
其中，1是P型襯底，2是N+漏極，3是N—耗盡層，4是柵氧化層，5是多晶硅柵，6是 N+源區。
圖15是圖14所示的積累層場效應晶體管在柵壓為5伏，10伏，15伏，20伏時的I-V曲線圖。
圖16是本發明提供的一種積累層控制的晶閘管與傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管在柵 壓為10伏，20伏條件下的I-V特性曲線比較圖。
圖17是本發明提供的一種積累層控制的晶閘管與傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管在器 件飽和區工作下的N—基區空穴濃度比較圖。
圖18是本發明提供的一種積累層控制的晶閘管與傳統溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管在柵壓為 20伏時電流密度與正向導通壓降的關系圖。
具體實施例方式
采用本發明的積累層控制結構，可以得到低導通壓降，高電流密度，大的安全工作區， 實現更好的電流飽和特性和晶閘管關斷能力，可以適用于外延工藝和薄片工藝制造技術。隨 著半導體技術的發展，采用本發明還可以制作更多的低壓降，大電流、高可靠性的功率器件。
9一種積累層控制的晶閘管，如圖6所示，包括金屬化陽極l、陽極P區2、 N—基區3、 P+ 旁路區4、金屬化陰極5、柵氧化層6、多晶硅柵7、 P型基區8、 ^源區9、 N—耗盡區33和 N+層200; N—基區3與金屬化陰極5之間夾著一個溝槽式絕緣柵，所述溝槽式絕緣柵由柵氧 化層6和多晶硅柵7構成，其中柵氧化層6位于多晶硅柵7的表面；位于溝槽式絕緣柵側面 的N—基區3與金屬化陰極5之間從下往上依次是P型基區8、 N+層200和N—耗盡區33， N— 耗盡區33上方橫向排列有一個P+旁路區4和一個N+源區9， P+旁路區4、 N+源區9和溝 槽式絕緣柵的上面是金屬化陰極5， P+旁路區4和溝槽式絕緣柵之間夾著>T源區9和部分 N—耗盡區33。
若采用外延工藝制造，則主要實施過程為P+襯底制備，N+外延生長(可選)，N—外延 生長，P型基區的制備，N+層制備，N》卜延生長，P+源區制備，N"源區制備，氧化并光刻 槽Trench窗口，刻蝕柵Trench，氧化并淀積多晶硅，以氧化層為硬掩模反刻多晶硅，氧化并 刻孔，淀積金屬，完成柵和陰極的金屬化，背面金屬化，鈍化等。
若采用薄片工藝制造，則主要實施過程為區熔N—單晶襯墊的制備，P型基區的制備， N+層制備，N—外延生長，P+源區制備，N+源區制備，氧化并光刻槽Trench窗口，刻蝕柵 Trench，氧化并淀積多晶硅，以氧化層為硬掩模反刻多晶硅，氧化并刻孔，淀積金屬，完成 柵和陰極的金屬化，背面N+緩沖層注入(可選)，背面陽極P區注入，背面金屬化，鈍化等。
在具體實施過程中，可以根據具體情況，在基本步驟不變的情況下，進行一定的變通。 例如可以將N+源區的制備放在反刻多晶硅以后，也可以將P+源區制備放在反刻多晶硅以
后，或將兩者都放在反刻多晶硅以后等，制作器件時還可用碳化硅、砷化鎵、磷化銦或鍺硅 等半導體材料代替體硅。
權利要求
1、一種積累層控制的晶閘管，包括金屬化陽極(1)、陽極P區(2)、N-基區(3)、P+旁路區(4)、金屬化陰極(5)、柵氧化層(6)、多晶硅柵(7)、P型基區(8)、N+源區(9)、N-耗盡區(33)和N+層(200)；其特征在于N-基區(3)與金屬化陰極(5)之間夾著一個溝槽式絕緣柵，所述溝槽式絕緣柵由柵氧化層(6)和多晶硅柵(7)構成，其中柵氧化層(6)位于多晶硅柵(7)的表面；位于溝槽式絕緣柵側面的N-基區(3)與金屬化陰極(5)之間從下往上依次是P型基區(8)、N+層(200)和N-耗盡區(33)，N-耗盡區(33)上方橫向排列有一個P+旁路區(4)和一個N+源區(9)，P+旁路區(4)、N+源區(9)和溝槽式絕緣柵的上面是金屬化陰極(5)，P+旁路區(4)和溝槽式絕緣柵之間夾著N+源區(9)和部分N-耗盡區(33)。
全文摘要
一種積累層控制的晶閘管，屬于半導體功率器件技術領域。本發明通過P⁺旁路區(4)和N^-耗盡區(33)形成的內建電場構成電子勢壘來阻止電子的流通，從而控制晶閘管的關斷。當柵上加正電壓時，在N^-耗盡區(33)與柵氧化層(6)交界面形成積累層，在P型基區(8)形成電子反型溝道，電子通過N⁺源區(9)經積累層、N⁺層(200)、反型電子溝道到達N^-基區(3)，從而控制器件的正常工作。本發明以積累層控制晶閘管取代了傳統的以MOS管控制晶閘管的柵控類晶閘管，可獲得更低的導通壓降和更大的飽和電流密度，且沒有寄生效應，克服了傳統柵控晶閘管缺乏電流飽和特性，關斷能力較弱的缺點，安全工作區得到大幅度提高。
文檔編號H01L29/74GK101478002SQ200810147690
公開日2009年7月8日 申請日期2008年11月27日 優先權日2008年11月27日
發明者波 張, 李澤宏, 錢夢亮 申請人:電子科技大學