專(zhuān)利名稱(chēng)：一種大功率小型封裝功率晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種大功率小型封裝功率晶體管
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地說(shuō)，涉及一種大功率小型封裝功率晶體管。
背景技術(shù)：
目前，近十幾年，電子技術(shù)的發(fā)展速度是十分迅猛，其中的電子元器件外形體積越來(lái)越小，也越來(lái)越精致。電子元器件的小、薄、輕量化其實(shí)就是隨桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)、手提電腦和移動(dòng)通信等電子設(shè)備的小型化和多功能化發(fā)展需求而被逐步推進(jìn)的。所以，長(zhǎng)期以來(lái)，對(duì)于能夠輸送低電壓大電流、低損耗且占用安裝面積小、散熱性好等的小型化電子元器件就特別受關(guān)注。市面上的晶體管封裝結(jié)構(gòu)過(guò)于復(fù)雜，總體結(jié)構(gòu)不夠緊湊，在同樣的密封效果下封裝成本過(guò)高，且一般晶體管使用有孔散熱片引線框架，同等價(jià)格對(duì)比散熱效果不顯著，最終影響晶體管使用壽命，而采用更好的又成本過(guò)高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種大功率小型封裝功率晶體管，采用無(wú)孔散熱片引線框架，封裝成本低、密封性能好、在保證電路功能的同時(shí)又保證了大功率晶體管本身具有良好的散熱能力。本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下所述:一種大功率小型封裝功率晶體管，包括芯片、特殊無(wú)孔式引線框架、高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層，其特征在于:高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層固化在特殊無(wú)孔式引線框架上，芯片封裝在高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層內(nèi)，特殊無(wú)孔式引線框架上設(shè)有提高晶體管散熱能力的無(wú)孔式散熱片，背面兩邊分別設(shè)計(jì)了確保密封性能的密封凹槽，下方設(shè)有供外插的引腳，引線連接芯片和引腳。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其特征還在于，所述環(huán)氧樹(shù)脂選用高導(dǎo)熱率環(huán)氧樹(shù)月旨，所述的特殊無(wú)孔式引線框架的厚度為380±20微米。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其特征還在于，所述的特殊無(wú)孔式引線框架上裝有提高晶體管散熱能力無(wú)孔式散熱片，且兩邊均設(shè)計(jì)了密封凹槽，確保晶體管密封性能更好。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其特征還在于，所述密封凹槽為半圓弧狀，半徑為1.75±0.I 厘米。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的本實(shí)用新型，其有益效果在于，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊、封裝成本低、密封性能好、散熱好。

附圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；在附圖中，1、芯片；2、 特殊無(wú)孔式引線框架；3、高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層；4、引線；5、弓I腳；6、密封凹槽。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖以及實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的描述:如附圖1所示，一種大功率小型封裝功率晶體管，包括1、芯片，2、特殊無(wú)孔式引線框架，3、高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層，4、引線，5、引腳，6、密封凹槽，其特征在于，高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層3固化在特殊無(wú)孔式引線框架2上，芯片I封裝在高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層3內(nèi)，特殊無(wú)孔式引線框架2上設(shè)有提高晶體管散熱能力的的散熱片，背面兩邊分別設(shè)計(jì)了確保密封性能的密封凹槽6，下方設(shè)有供外插的引腳5，引線4連接芯片和引腳5。所述的特殊無(wú)孔式引線框架2，其散熱片是無(wú)孔式散熱片，增大了散熱面積，以滿足大功率小型封裝功率晶體管的散熱條件，其背部?jī)蛇吘O(shè)計(jì)了密封凹槽6是為了確保晶體管密封性能更好。所述密封凹槽6為半圓弧狀，半徑為1.75±0.1厘米。所述高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層3采用導(dǎo)熱系數(shù)大于或等于1.0E-4cal/cm.se.°C的環(huán)氧樹(shù)脂，所述的特殊無(wú)孔式引線框 2架厚度為380±20微米，所述的特殊無(wú)孔式引線框架寬度為650±20微米。
權(quán)利要求1.一種大功率小型封裝功率晶體管，包括芯片、特殊無(wú)孔式引線框架、高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層，其特征在于:高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層固化在特殊無(wú)孔式引線框架上，芯片封裝在高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層內(nèi)，特殊無(wú)孔式引線框架上設(shè)有提高晶體管散熱能力的的無(wú)孔式散熱片，背面兩邊分別向內(nèi)開(kāi)設(shè)了確保密封性能的密封凹槽，下方設(shè)有供外插的引腳，引線連接芯片和引腳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率小型封裝功率晶體管，其特征在于:所述的特殊無(wú)孔式引線框架厚度為380±20微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率小型封裝功率晶體管，其特征在于:所述密封凹槽橫截面為半圓弧狀，半徑為175±10微米。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種大功率小型封裝功率晶體管，包括芯片、特殊無(wú)孔式引線框架、高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層。所述高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層固化在特殊無(wú)孔式引線框架上，芯片封裝在高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層內(nèi)，特殊無(wú)孔式引線框架上設(shè)有提高晶體管散熱能力的無(wú)孔式散熱片，背面兩邊分別向內(nèi)開(kāi)設(shè)了確保密封性能的密封凹槽，下方設(shè)有供外插的引腳，引線連接芯片和引腳；所述高導(dǎo)熱環(huán)氧樹(shù)脂層選用導(dǎo)熱系數(shù)不低于1.0E-4cal/cm.se.℃的環(huán)氧樹(shù)脂，所述的特殊無(wú)孔式引線框架厚度為380±20微米，所述密封凹槽為半圓弧狀，半徑為1.75±0.1厘米。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊、可封裝大功率芯片、封裝成本低、密封性能好、散熱好。
文檔編號(hào)H01L23/29GK202917479SQ201220471398
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月17日
發(fā)明者李穩(wěn), 周鵬 申請(qǐng)人:深圳市科瑞半導(dǎo)體有限公司