電子裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種電子裝置，該電子裝置包括：布線基板；多個器件芯片，該多個器件芯片通過凸起倒裝地安裝在所述布線基板的上表面，在所述器件芯片與所述布線基板的上表面之間具有使所述凸起露出的間隙，并且所述多個器件芯片包括具有熱膨脹系數(shù)大于所述布線基板的熱膨脹系數(shù)的基板的至少一個器件芯片；接合基板，該接合基板被接合到所述多個器件芯片，并且熱膨脹系數(shù)等于或小于所述至少一個器件芯片中包括的所述基板的熱膨脹系數(shù)；以及密封部，該密封部覆蓋所述接合基板，并且密封所述多個器件芯片。
【專利說明】電子裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的特定方面涉及一種電子裝置，例如，涉及一種將多個器件芯片倒裝地安裝在布線基板上的電子裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，要求電子裝置的小型化和低成本。對于這種需求，已經(jīng)開發(fā)了一種通過凸起將多個器件芯片倒裝地安裝在布線基板上并且密封這些器件芯片的技術(shù)(參見例如日本專利申請第2003-347483號公報和國際專利申請的日本第2006-513564號國家公報)。
[0003]當器件芯片例如用樹脂密封時，氣密性和散熱性劣化，因此損壞可靠性。而且，當在器件芯片與布線基板之間存在使凸起露出的間隙時，因為布線基板、器件芯片和密封單元各自的熱膨脹系數(shù)彼此不同，所以在與各個器件芯片對應(yīng)的凸起中出現(xiàn)應(yīng)力，因此損壞了可靠性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種電子裝置，該電子裝置包括:布線基板；多個器件芯片，該多個器件芯片通過凸起倒裝地安裝在所述布線基板的上表面，在所述器件芯片與所述布線基板的上表面之間具有使所述凸起露出的間隙，并且包括具有熱膨脹系數(shù)大于所述布線基板的熱膨脹系數(shù)的基板的至少一個器件芯片；接合基板，該接合基板被接合到所述多個器件芯片，并且具有的熱膨脹系數(shù)等于或小于所述至少一個器件芯片中包括的所述基板的熱膨脹系數(shù)；以及密封部，該密封部覆蓋所述接合基板，并且密封所述多個器件
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【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]圖1A是例示根據(jù)第一實施方式的電子裝置的俯視圖；
[0006]圖1B是沿圖1A的線A-A截取的截面圖；
[0007]圖2是例示根據(jù)比較例I的電子裝置的截面圖；
[0008]圖3A是例示根據(jù)第二實施方式的電子裝置的俯視圖；
[0009]圖3B是沿圖3A的線A-A截取的截面圖；
[0010]圖4A至圖4D是例示根據(jù)第二實施方式的電子裝置的制造方法的截面圖；
[0011]圖5A至圖是例示根據(jù)第二實施方式的電子裝置的另一制造方法的截面圖；
[0012]圖6A是例示執(zhí)行模擬的、根據(jù)第一實施方式的電子裝置的俯視圖；
[0013]圖6B是沿圖6A的線A-A截取的截面圖；
[0014]圖7A是例示執(zhí)行模擬的、根據(jù)第二實施方式的電子裝置的俯視圖；
[0015]圖7B是沿圖7A的線A-A截取的截面圖；
[0016]圖8是例示根據(jù)第一實施方式的電子裝置的模擬結(jié)果的圖；
[0017]圖9是例示根據(jù)第二實施方式的電子裝置的模擬結(jié)果的圖；
[0018]圖1OA是例示根據(jù)第三實施方式的電子裝置的俯視圖；
[0019]圖1OB是沿圖1OA的線A-A截取的截面圖；
[0020]圖1lA至圖1lD是例示根據(jù)第三實施方式的電子裝置的制造方法的截面圖；以及
[0021]圖12是例示根據(jù)第三實施方式的第一變型例的電子裝置的截面圖。

【具體實施方式】
[0022]將參照附圖描述實施方式。
[0023](第一實施方式)
[0024]圖1A是例示根據(jù)第一實施方式的電子裝置的俯視圖，并且圖1B是沿圖1A中的線A-A截取的截面圖。這里，圖1A透過密封單元26和多個器件芯片12例示了凸起14。如圖1A和圖1B所示，器件芯片12經(jīng)由凸起14倒裝地安裝在由絕緣體(如陶瓷)構(gòu)成的布線基板10的上表面。在布線基板10的上表面與器件芯片12之間形成有間隙28，并且凸起14在間隙28中露出。雖然凸起14例如由焊料構(gòu)成，但是可以將金(Au)用作凸起14。器件芯片12包括表面聲波(SAW:surface acoustic wave)器件芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b。例如，SAW器件芯片12a通過位于四個角的凸起14倒裝地安裝在布線基板10的上表面。例如，半導(dǎo)體器件芯片12b通過排布為點陣形狀的凸起14倒裝地安裝在布線基板10的上表面。
[0025]SAW器件芯片12a包括:壓電基板16，該壓電基板16由諸如鉭酸鋰(LiTaO3 ;下文稱作“LT”)或鈮酸鋰(LiNbO3 ;下文稱作“LN”)等的壓電物質(zhì)構(gòu)成；以及設(shè)置在壓電基板的與布線基板10相對的一側(cè)的表面上的金屬膜(未示出)(諸如IDT(叉指式換能器)和反射器等)。半導(dǎo)體器件芯片12b包括由半導(dǎo)體(諸如硅(Si)或砷化鎵(GaAs))構(gòu)成的半導(dǎo)體基板18。
[0026]過孔布線(via-wiring) 20設(shè)置在布線基板10的內(nèi)部。雖然圖1B僅例示了沿水平方向延伸的過孔布線20，但是也存在沿垂直方向延伸的過孔布線20。器件芯片12經(jīng)由過孔布線20電連接到設(shè)置在布線基板10的下表面的外部端子22。
[0027]金屬圖案24設(shè)置在布線基板10的上表面且處于器件芯片12的外側(cè)。金屬圖案24環(huán)狀地形成，以便圍繞器件芯片12。用于密封器件芯片12的密封單元26通過連接到金屬圖案24并覆蓋器件芯片12而形成。密封單元26由諸如焊料等的金屬構(gòu)成。期望的是，將具有適用于構(gòu)成密封單元26的材料的可濕性的金屬用于金屬圖案24。例如，期望的是將具有適合于焊料的可濕性的金屬用于金屬圖案24。
[0028]根據(jù)第一實施方式，如圖1B所示，通過凸起14倒裝地安裝在布線基板10的上表面的器件芯片12用由金屬構(gòu)成的密封單元26進行密封。由此，因為器件芯片12用由金屬構(gòu)成的密封單元26密封，所以與例如將樹脂用作密封單元的情況相比，可以提高器件芯片12的氣密性和散熱性。因此，可以提高可靠性。
[0029]而且，根據(jù)第一實施方式，可以實現(xiàn)電子裝置小型化和電子裝置的高度減小。通過將第一實施方式的電子裝置與比較例I的電子裝置進行比較，來解釋該效果。圖2是例示根據(jù)比較例I的電子裝置的截面圖。如圖2所示，分開封裝SAW器件芯片52a和半導(dǎo)體器件芯片52b的封裝60和80分別安裝在布線基板50的上表面。
[0030]各個封裝60包括:SAW器件芯片52a，該SAW器件芯片52a通過凸起64倒裝地安裝在基板62的上表面；以及密封SAW器件芯片52a的密封單元66和蓋68。SAW器件芯片52a通過基板62中的過孔布線70電連接到設(shè)置在基板62的下表面的外部端子72。封裝80包括通過凸起84倒裝地安裝在基板82的上表面的半導(dǎo)體器件芯片52b。半導(dǎo)體器件芯片52b通過基板82中的過孔布線(未示出)電連接到設(shè)置在基板82的下表面的外部端子86。SAW器件芯片52a和半導(dǎo)體器件芯片52b通過外部端子72和86以及布線基板50中的過孔布線54 (這些元件僅沿水平方向例示，并且省略沿垂直方向的例示)電連接到設(shè)置在布線基板50的下表面的外部端子56。
[0031]填充樹脂(mold resin) 58被設(shè)置為覆蓋封裝60和80。這里，代替填充樹脂58，可以設(shè)置樹脂頂板，該樹脂頂板在封裝60和80上延伸。
[0032]根據(jù)比較例I，分開封裝SAW器件芯片52a和半導(dǎo)體器件芯片52b的封裝60和80分別安裝在布線基板50的上表面。在這種構(gòu)造中，電子裝置變大并且電子裝置的高度增大。相反，在第一實施方式中，如圖1B所示，多個器件芯片12倒裝地安裝在布線基板10的上表面。將理解的是，憑借這種構(gòu)造，與比較例I的圖2相比，可以實現(xiàn)電子裝置的小型化和電子裝置的高度減小。
[0033]在SAW器件芯片12a中，形成用于經(jīng)由IDT激發(fā)聲波的間隙。當異物、水分等粘附到IDT時，出現(xiàn)頻率特性的變化和腐蝕。因此，當SAW器件芯片12a包括在器件芯片12中時，如第一實施方式中提到的，期望的是，器件芯片12通過凸起14倒裝地安裝在布線基板10的上表面并且用由金屬構(gòu)成的密封單元26密封。由此，如圖1B所示，用于經(jīng)由IDT激發(fā)聲波的間隙28可以形成在器件芯片12與布線基板10之間，可以提高SAW器件芯片12a的氣密性，并且可以控制異物、水分等的粘附。
[0034]密封單元26可以是除了焊料之外的金屬，并且考慮到氣密性、電屏蔽效果、容易密封等，期望的是，密封單元26由焊料構(gòu)成。而且，除了 SAW器件芯片12a之外，器件芯片12還可以包括聲波器件芯片。例如，器件芯片12可以包括FBAR (薄膜腔聲波諧振器=FilmBulk Acoustic Resonator)或 SMR(固態(tài)安裝諧振器:Solidly Mounted Resonator)的壓電薄膜諧振器器件芯片。
[0035](第二實施方式)
[0036]圖3A是例示根據(jù)第二實施方式的電子裝置的俯視圖。圖3B是沿圖3A的線A-A截取的截面圖。在圖3A中，透過密封單元32、接合基板30和多個器件芯片12例示凸起14。如圖3A和圖3B所示，器件芯片12包括SAW器件芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b。布線基板10例如由諸如HTCC(高溫共燒陶瓷:High Temperature Co-fired Ceramics)等的陶瓷構(gòu)成，并且各個SAW器件芯片12a的壓電基板16例如由LT構(gòu)成。因為陶瓷的熱膨脹系數(shù)是大約6.5-7.5ppm/°C，并且LT的熱膨脹系數(shù)是大約10_16ppm/°C，所以SAW器件芯片12a的壓電基板16具有的熱膨脹系數(shù)大于布線基板10的熱膨脹系數(shù)。即，具有熱膨脹系數(shù)大于布線基板10的熱膨脹系數(shù)的壓電基板16的SAW器件芯片12a包括在器件芯片12中。
[0037]接合基板30在器件芯片12的、位于與布線基板10相對的器件芯片12的面的背面的表面處，接合到器件芯片12。即，單個接合基板30接合到多個器件芯片12。接合基板30具有的外形(form)大于上面設(shè)置器件芯片12的區(qū)域。期望的是，接合基板30在器件芯片12的、位于與布線基板10相對的器件芯片12的面的背面的整個表面處，接合到所有的器件芯片12,但是接合基板30可以在器件芯片12的、位于與布線基板10相對的器件芯片12的面的背面上的部分表面處，接合到所有的器件芯片12。接合基板30具有的熱膨脹系數(shù)等于或小于壓電基板16的熱膨脹系數(shù)，壓電基板16的熱膨脹系數(shù)大于布線基板10的熱膨脹系數(shù)。當壓電基板16由例如LT構(gòu)成時，藍寶石(5.0ppm/0C )、硅(2.3ppm/°C )、玻璃(大約 3ppm/°C )、陶瓷(大約 6.5-7.5ppm/°C )、LN(大約 15_20ppm/°C )、LT 等可以用作接合基板30。這里，各個括號中的數(shù)值是熱膨脹系數(shù)。
[0038]設(shè)置對器件芯片12進行密封的密封單元32，以便覆蓋接合基板30。密封單元32由例如諸如焊料等的金屬構(gòu)成，并且諸如樹脂等的絕緣體可以用作密封單元32。因為其他構(gòu)造與第一實施方式的圖1A和圖1B的相同，所以省略其描述。
[0039]將描述根據(jù)第二實施方式的電子裝置的制造方法。圖4A至圖4D是例示根據(jù)第二實施方式的電子裝置的制造方法的截面圖。如圖4A所示，將預(yù)先制造的SAW制造芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b接合到接合基板30的一個表面。例如，諸如樹脂等的粘合劑可以用于接合。這里，在SAW器件芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b接合到接合基板30之前，可以減小SAW器件芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b的厚度。這是因為接合基板30充當支撐基板。通過減小厚度，SAW器件芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b的厚度可以是20 μ m。在這種情況下，接合基板30比SAW器件芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b厚，例如，可以是130 μ m。
[0040]如圖4B所示，凸起14形成在SAW器件芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b的上表面。這里，在圖4A中，SAW器件芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b的、上面預(yù)先形成有凸起14的上表面可以接合到接合基板30。然后，將接合基板30劃分為期望的單元。接合基板30的劃分可以利用例如切割、激光、刻蝕等來執(zhí)行。
[0041]如圖4C所示，通過利用凸起14將接合到接合基板30的SAW器件芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b倒裝地安裝在預(yù)先制備的布線基板10的上表面。
[0042]如圖4D所示，密封單元32形成在布線基板10上，以便覆蓋接合基板30，并且密封器件芯片12。通過在接合基板30上排布焊片并且在270°C加熱焊片，可以形成密封單元32。將通過加熱焊片而熔融的焊料潤濕地涂抹在布線基板10上所設(shè)置的金屬圖案24上，然后固化，并且接合到金屬圖案24。由此，形成密封單元32，該密封單元對器件芯片12進行密封。根據(jù)第二實施方式的電子裝置可以通過包括這種制造過程來形成。
[0043]接著，將描述根據(jù)第二實施方式的電子裝置的另一個制造方法。圖5A至圖是例示根據(jù)第二實施方式的電子裝置的另一個制造方法的截面圖。如圖5A所示，上面形成有SAff器件芯片的金屬膜(未示出)(諸如IDT)和凸起14的壓電基板16接合到接合基板30的一個表面。例如，表面活性化接合、經(jīng)由樹脂的接合或經(jīng)由形成在接合面上的金屬膜進行的金屬接合可以用作對壓電基板16的接合。
[0044]如圖5B所示，對壓電基板16進行切割并分別將該壓電基板16分離成SAW器件芯片12a。對接合基板16的切割可以利用例如分割、激光、刻蝕等來執(zhí)行。如圖5C所示，上面形成有凸起14的半導(dǎo)體器件芯片12b接合到接合基板30。如圖所示，將接合基板30劃分為期望的單元。然后，執(zhí)行由圖4C和圖4D解釋的制造過程。根據(jù)第二實施方式的電子裝置可以通過包括這種制造過程來形成。
[0045]在第一實施方式中，因為用由金屬構(gòu)成的密封單兀26來密封器件芯片12,所以可以提高氣密性和散熱性。因為布線基板10、SAW器件芯片12a、半導(dǎo)體器件芯片12b和密封單元26的熱膨脹系數(shù)彼此不同，所以對于所有方向(垂直、水平和對角方向)的熱膨脹和熱收縮的量分別不同。當布線基板10是陶瓷(大約6.5-7.5ppm/°C )，SAW器件芯片12a的壓電基板16是LT (大約10-16ppm/°C )，并且密封單元26由焊料(大約20ppm/°C )構(gòu)成時，SAW器件芯片12a的熱膨脹和熱收縮的量相對于布線基板10變大。這里，括號中的數(shù)值是熱膨脹系數(shù)。因為用于倒裝安裝的凸起14暴露于形成在布線基板10的上表面與器件芯片12之間的間隙28，所以應(yīng)力施加于凸起14。因此，擔心損壞凸起14的接合可靠性。第二實施方式的目標是提高接合可靠性。
[0046]將描述對根據(jù)第一實施方式和第二實施方式的電子裝置執(zhí)行的模擬，以便說明第二實施方式的效果。圖6A是例示執(zhí)行模擬的、根據(jù)第一實施方式的電子裝置的俯視圖。圖6B是沿圖6A的線A-A截取的截面圖。圖7A是例示執(zhí)行模擬的、根據(jù)第二實施方式的電子裝置的俯視圖。圖7B是沿圖7A的線A-A截取的截面圖。
[0047]如圖6A和圖6B所示，在執(zhí)行模擬的電子裝置中，八個SAW器件芯片12a和一個半導(dǎo)體器件芯片12b倒裝地安裝在布線基板10的上表面。八個SAW器件芯片12a每四個SAW器件芯片,相對于一個半導(dǎo)體器件芯片12b對稱排布。SAW器件芯片12a經(jīng)由六個凸起14倒裝地安裝，并且半導(dǎo)體器件芯片12b經(jīng)由排布為點陣形狀的二十四個凸起14倒裝地安裝。SAW器件芯片12a的壓電基板16是厚度為150 μ m的LT基板。半導(dǎo)體器件芯片12b的半導(dǎo)體基板18是厚度為150 μ m的Si基板。布線基板10是由厚度為170 μ m的HTCC構(gòu)成的陶瓷基板。凸起14是厚度為20 μ m的金凸起。密封單元26是Sn-Ag焊料。
[0048]如圖7A和圖7B所示，在執(zhí)行模擬的電子裝置中，SAW器件芯片12a的壓電基板16是厚度為20 μ m的LT基板。半導(dǎo)體器件芯片12b的半導(dǎo)體基板18是厚度為20 μ m的Si基板。接合基板30是厚度為130 μ m的藍寶石基板。密封單元32是Sn-Ag焊料。其他構(gòu)造與圖6A和圖6B的相同。
[0049]假定根據(jù)第一實施方式和第二實施方式的這種電子裝置在制造之后返回到正常溫度，并通過模擬來計算因凸起14而上升的應(yīng)力的值。圖8例示根據(jù)第一實施方式的電子裝置的模擬結(jié)果，并且圖9例示根據(jù)第二實施方式的電子裝置的模擬結(jié)果。
[0050]應(yīng)當理解，如圖8所示，在第一實施方式中，在SAW器件芯片12a和半導(dǎo)體器件芯片12b中的各芯片中，施加于凸起14的應(yīng)力出現(xiàn)變化。在各個器件芯片中，將比施加于位于另一個位置的凸起14的應(yīng)力大的大約8.2xl08 - 1.8xl09Pa的應(yīng)力施加于例如位于四個角的凸起14。認為在各個器件芯片中施加于凸起14的應(yīng)力出現(xiàn)變化的原因是各個器件芯片單獨執(zhí)行熱膨脹和熱收縮，因此各個器件芯片受布線基板10和密封單元26的熱膨脹和熱收縮的影響。
[0051]由此，在第一實施方式中，在各個器件芯片中，施加于凸起14的應(yīng)力出現(xiàn)變化。認為當各個器件芯片的芯片外形和凸起14的排布結(jié)構(gòu)不同時，施加于凸起14的應(yīng)力的變化趨勢針對各個器件芯片而不同。因此，在第一實施方式中，難以控制凸起14的接合可靠性。
[0052]將理解，在第二實施方式中，如圖9所示，施加于位于用長短交替的虛線圍繞的中央?yún)^(qū)域中的凸起14的應(yīng)力小，并且變化受到控制。而且，將理解，例如，大約3.8-4.4xl09Pa的大應(yīng)力施加于位于用一長兩短交替的短虛線圍繞的外周區(qū)域中的凸起14。認為在凸起14中出現(xiàn)這種應(yīng)力的原因如下。即，因為接合基板30接合到多個器件芯片，所以各個器件芯片的熱膨脹和熱收縮受接合基板30的熱膨脹和熱收縮的束縛。因此，認為整個器件芯片(即，接合基板30)受布線基板10和密封單元32的熱膨脹和熱收縮的影響。由此，認為均勻且小的應(yīng)力施加于位于用長短交替的虛線圍繞的中央?yún)^(qū)域中的凸起14，而大應(yīng)力施加于位于用一長兩短交替的虛線圍繞的外周區(qū)域中的凸起14。應(yīng)當理解，因為整個器件芯片(即，接合基板30)受布線基板10和密封單元32的熱膨脹和熱收縮的影響，所以施加于凸起14的應(yīng)力可以通過控制接合基板30的尺寸和物理特性(諸如熱膨脹系數(shù))而容易地被控制。
[0053]即使如圖9所示大應(yīng)力施加于位于用一長兩短交替的虛線圍繞的外周區(qū)域中的凸起14，這些凸起14也被密封單元32按壓(因為這些凸起14排布在密封單元32附近)，并且由此，使損壞接合可靠性受到控制。而且，因為大應(yīng)力未施加于位于用長短交替的虛線圍繞的中央?yún)^(qū)域中的凸起14，所以使也損壞關(guān)于這些凸起14的接合可靠性受到控制。由此，根據(jù)第二實施方式，可以提高接合可靠性。
[0054]根據(jù)第二實施方式，熱膨脹系數(shù)等于或小于壓電基板16的熱膨脹系數(shù)的接合基板30接合到包括SAW器件芯片12a的多個器件芯片12，各個SAW器件芯片12a具有壓電基板16，該壓電基板16具有的熱膨脹系數(shù)大于布線基板10的熱膨脹系數(shù)。設(shè)置覆蓋接合基板30并密封多個器件芯片12的密封單元32。憑借這種構(gòu)造，如圖9所解釋，可以提高關(guān)于凸起14的接合的可靠性。
[0055]接合基板30具有的熱膨脹系數(shù)應(yīng)當恰好等于或小于壓電基板16的熱膨脹系數(shù)，壓電基板16的熱膨脹系數(shù)大于布線基板10的熱膨脹系數(shù)。然而，從提高凸起14的可靠性的觀點看，期望的是接合基板30具有的熱膨脹系數(shù)小于壓電基板16的熱膨脹系數(shù)。
[0056]而且，當器件芯片12包括熱膨脹系數(shù)大于布線基板10的熱膨脹系數(shù)的兩種或更多種基板時，接合基板30具有的熱膨脹系數(shù)應(yīng)當恰好等于或小于兩種或更多種基板中的至少一種基板的熱膨脹系數(shù)。期望的是接合基板30具有的熱膨脹系數(shù)等于或小于所有兩種或更多種基板的熱膨脹系數(shù)。
[0057]期望的是接合基板30具有的熱導(dǎo)率大于多個器件芯片12中的至少一個器件芯片的基板的熱導(dǎo)率。更加期望的是接合基板30具有的熱導(dǎo)率大于所有器件芯片的基板的熱導(dǎo)率。由此，可以提高散熱性。當器件芯片12包括SAW器件芯片12a(各個SAW器件芯片12a具有由LT或LN構(gòu)成的壓電基板16)時，藍寶石或硅可以用作接合基板30。
[0058]期望的是如圖9所示，接合基板30大于上面設(shè)置有器件芯片12的區(qū)域，以便將均勻且小的應(yīng)力施加于位于中央?yún)^(qū)域的凸起14并且將大應(yīng)力施加于位于外周區(qū)域的凸起14。
[0059]期望的是接合基板30具有的介電常數(shù)小于SAW器件芯片12a的壓電基板16的介電常數(shù)。由此，如日本專利申請第2010-74418號公報中所描述的，可以提高特性。當壓電基板16由LT或LN構(gòu)成時，藍寶石、硅、陶瓷或玻璃可以用作接合基板30。
[0060]即使在密封單元32由諸如焊料等的金屬構(gòu)成或由諸如樹脂等的絕緣體構(gòu)成時，也可以提高關(guān)于凸起14的接合的可靠性。如由第一實施方式解釋的，考慮到氣密性和散熱性，期望的是密封單元32由金屬構(gòu)成。而且，考慮到氣密性、電屏蔽效果、密封的容易性等，期望的是密封單元32由焊料構(gòu)成。
[0061]當器件芯片12包括SAW器件芯片12a (各個SAW器件芯片12a具有由LT或LN構(gòu)成的壓電基板16)時，因為LT或LN的熱膨脹系數(shù)較大，所以擔心凸起14的接合可靠性。因此，在這種情況下，如第二實施方式中所描述的，期望的是接合基板30接合到多個器件芯片12。
[0062]當器件芯片12包括SAW器件芯片12a (各個SAW器件芯片12a具有壓電基板16，該壓電基板16的熱膨脹系數(shù)大于布線基板10的熱膨脹系數(shù))和半導(dǎo)體器件芯片12b (該半導(dǎo)體器件芯片12b具有半導(dǎo)體基板18，該半導(dǎo)體基板18具有的熱膨脹系數(shù)小于布線基板10的熱膨脹系數(shù))時，期望的是熱膨脹系數(shù)等于或小于壓電基板16的熱膨脹系數(shù)且等于或大于半導(dǎo)體基板18的熱膨脹系數(shù)的材料被選作接合基板30的材料。
[0063](第三實施方式)
[0064]圖1OA是例示根據(jù)第三實施方式的電子裝置的俯視圖。圖1OB是沿圖1OA的線A-A截取的截面圖。在圖1OA中，透過密封單元32、接合基板30和多個器件芯片12例示凸起14。如圖1OA和圖1OB所示，多個器件芯片12可以僅包括SAW器件芯片12a，而不包括半導(dǎo)體器件芯片12b。
[0065]圖1lA至圖1lD是例示根據(jù)第三實施方式的電子裝置的制造方法的截面圖。如圖1lA所示，壓電基板16接合到接合基板30的一個表面。然后，SAW器件芯片的諸如IDT等的金屬膜(未不出)形成在壓電基板16的上表面。
[0066]如圖1lB所示，凸起14形成在壓電基板16的上表面。如圖1lC所示，切割壓電基板16并分別分離成SAW器件芯片12a。如圖1lD所示，將接合基板30劃分為期望的單元。然后，執(zhí)行由圖4C和圖4D解釋的制造過程。根據(jù)第三實施方式的電子裝置可以通過包括這種制造過程形成。
[0067]第三實施方式說明了在第二實施方式的電子裝置中，多個器件芯片12僅包括SAW器件芯片12a的情況。而且，在第一實施方式的電子裝置中，多個電子裝置12可以僅包括聲波器件芯片。
[0068]圖12是例示根據(jù)第三實施方式的第一變型例的電子裝置的截面圖。如圖12所示，由柯伐合金(Kovar)構(gòu)成的頂板34例如可以設(shè)置在密封單元32上，并且鎳(Ni)膜36可以設(shè)置為覆蓋密封單元32和頂板34。類似地，第一實施方式和第二實施方式中，也可以設(shè)置頂板34和鎳膜36。
[0069]盡管已經(jīng)詳細描述了本發(fā)明的實施方式，但是應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對這些實施方式進行各種改變、替換和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種電子裝置，該電子裝置的特征在于包括: 布線基板； 多個器件芯片，該多個器件芯片通過凸起倒裝地安裝在所述布線基板的上表面，在所述器件芯片與所述布線基板的上表面之間具有使所述凸起露出的間隙，并且所述多個器件芯片包括具有熱膨脹系數(shù)大于所述布線基板的熱膨脹系數(shù)的基板的至少一個器件芯片；接合基板，該接合基板被接合到所述多個器件芯片，并且熱膨脹系數(shù)等于或小于所述至少一個器件芯片中包括的所述基板的熱膨脹系數(shù)；以及 密封部，該密封部覆蓋所述接合基板，并且密封所述多個器件芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于， 所述接合基板的熱導(dǎo)率大于所述多個器件芯片中的至少一個器件芯片的基板的熱導(dǎo)率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于， 所述接合基板大于設(shè)置有所述多個器件芯片的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于， 所述密封部由金屬構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于， 所述多個器件芯片包括表面聲波器件芯片，該表面聲波器件芯片包括由鉭酸鋰或鈮酸鋰構(gòu)成的壓電基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置，其特征在于， 所述密封部由焊料構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項所述的電子裝置，其特征在于， 所述布線基板由陶瓷構(gòu)成。
8.一種電子裝置，該電子裝置的特征在于包括: 布線基板； 多個器件芯片，這些器件芯片通過凸起倒裝地安裝在所述布線基板的上表面；以及 密封部，該密封部由金屬構(gòu)成，密封所述多個器件芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子裝置，其特征在于， 所述密封部由焊料構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子裝置，其特征在于， 所述多個器件芯片包括表面聲波器件芯片。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任意一項所述的電子裝置，其特征在于， 所述布線基板由陶瓷構(gòu)成。
【文檔編號】H01L23/02GK104347525SQ201410366595
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】山內(nèi)基, 川內(nèi)治 申請人:太陽誘電株式會社