芯片集成模塊、芯片封裝結構及芯片集成方法
【專利摘要】本發明提供了一種芯片集成模塊，包括管芯、無源器件及連接件，所述管芯設有管芯結合部，所述無源器件設有無源器件結合部，所述管芯的管芯結合部及無源器件的無源器件結合部相對設置，所述連接件設置于所述管芯結合部與所述無源器件結合部之間并連接于所述管芯結合部與所述無源器件結合部。本發明的芯片集成模塊易于集成且成本較低；且由于管芯與無源器件互連路徑更短，可提升無源器件性能。本發明還公開一種芯片封裝結構及一種芯片集成方法。
【專利說明】芯片集成模塊、芯片封裝結構及芯片集成方法

【技術領域】
[0001] 本發明涉及芯片制造領域，尤其涉及一種芯片集成模塊、芯片封裝結構及芯片集 成方法。

【背景技術】
[0002] 成本、尺寸、電特性在電子產品中具有非常重要的地位，而芯片（封裝后的管芯）、 外圍器件以及印制電路板（PCB，Printed Circuit Board)是電子產品的核心。其中，印制 電路板的大小在很大程度上決定了電子產品的成本和尺寸。另一方面，連接芯片和外圍器 件的走線長度，濾波電路與電源地之間的距離決定著電特性，而同時器件的物理尺寸越小， 電特性越好。在外圍器件中，有很大部分都是無源器件，如：電阻器，電感器，電容器。如果 能用一種低成本的方式將管芯直接與這些無源器件集成在一起，然后再通過封裝將集成無 源器件后的管芯連接在印制電路板上，即可在成本、尺寸、電特性等方面提升電子產品的性 能。
[0003] 現有技術中的一種無源器件與管芯的集成方法：在管芯上設置凸點下金屬（UBM， Under Bump Metallization)層，并在凸點下金屬層上通過印刷或者電鍍的方式形成可釬 焊凸塊，然后再實現管芯與無源器件的集成。此種方法需要額外形成UBM層，導致額外的成 本。現有技術中還有一種無源器件與管芯的集成方法：通過導電膠直接將無源器件粘在管 芯上。但是此種方法在工藝實現的過程中，容易導致粘合劑雜質殘留，影響半導體封裝的良 率。另外，可導電粘合劑相對于金屬導電性較差，會影響集成后的無源器件的電特性。


【發明內容】

[0004] 提供一種集成模塊、芯片封裝結構及芯片集成方法，易于集成且成本較低。
[0005] 第一方面，提供了一種芯片集成模塊，包括管芯、無源器件及連接件，所述管芯設 有管芯結合部，所述無源器件設有無源器件結合部，所述管芯的管芯結合部及無源器件的 無源器件結合部相對設置，所述連接件設置于所述管芯結合部與所述無源器件結合部之間 并連接于所述管芯結合部與所述無源器件結合部。
[0006] 在第一方面的第一種可能實現的方式中，所述管芯的管芯結合部與所述無源器件 的無源器件結合部采用金屬制成。
[0007] 結合第一方面的第一種可能的實現方式，在第一方面的第二種可能實現的方式 中，所述連接件采用金、銀、銅、鈦、鎳、鋁中的任意一種、或其中任意兩種或兩種以上的上述 金屬的合金制成。
[0008] 結合第一方面的第二種可能的實現方式，在第一方面的第三種可能的實現方式 中，所述連接件采用超聲焊接或熱壓合連接于所述管芯結合部與無源器件結合部。
[0009] 結合第一方面及第一方面的第一種至第三種可能的實現方式，在第一方面的第四 種可能的實現方式中，所述無源器件采用集成無源器件或分立無源器件。
[0010] 結合第一方面及第一方面的第一種至第三種可能的實現方式，在第一方面的第 五種可能的實現方式中，所述連接件包括第一連接元件及第二連接元件，所述第一連接元 件連接于所述管芯的管芯結合部，所述第二連接元件連接于所述無源器件的無源器件結合 部，且所述第一連接元件與所述第二連接元件相互連接。
[0011] 結合第一方面及第一方面的第一種至第三種可能的實現方式，在第一方面的第六 種可能的實現方式中，所述管芯設有管芯表面，所述管芯結合部設有管芯結合表面，所述管 芯結合表面相對于所述管芯表面內凹、外凸或平齊。
[0012] 結合第一方面及第一方面的第一種至第三種可能的實現方式，在第一方面的第七 種可能的實現方式中，所述無源器件設有無源器件表面，所述無源器件結合部設有無源器 件結合表面，所述無源器件結合表面相對于所述無源器件表面內凹、外凸或平齊。
[0013] 結合第一方面及第一方面的第一種至第七種可能的實現方式，在第一方面的第八 種可能的實現方式中，所述管芯結合部采用濺射或化學氣相沉積形成于所述管芯。
[0014] 結合第一方面及第一方面的第一種至第七種可能的實現方式，在第一方面的第九 種可能的實現方式中，所述無源器件結合部采用電鍍、濺射或化學氣相沉積形成于所述無 源器件。
[0015] 結合第一方面及第一方面的第一種至第七種可能的實現方式，在第一方面的第十 種可能的實現方式中，所述連接件表面設有保護層，所述保護層至少覆蓋部分所述連接件 的表面。
[0016] 結合第一方面的第十種可能的實現方式，在第一方面的第i 種可能的實現方式 中，所述保護層采用金、錫、銅、鎳、鈀或其中任意兩者或兩者以上的上述金屬的合金制成。
[0017] 結合第一方面的第i^一種可能的實現方式，在第一方面的第十二種可能的實現方 式中，所述保護層含有有機可焊性防腐劑。
[0018] 結合第一方面及第一方面的第一種至第十二種可能的實現方式，在第一方面的第 十三種可能的實現方式中，所述管芯與無源器件之間設有間隙，所述管芯與無源器件之間 的間隙中填充有填充材料。
[0019] 結合第一方面的第十三種可能的實現方式，在第一方面的第十四種可能的實現方 式中，所述填充材料采用填充膠。
[0020] 第二方面，提供一種芯片封裝結構，包括襯底及如第一方面及第一方面的第一種 至第十四種可能的實現方式中任一項所述的芯片集成模塊，所述芯片集成模塊設置于所述 襯底之上。
[0021] 第三方面，提供一種芯片集成方法，包括以下步驟，
[0022] 提供一管芯及一無源器件，所述管芯設有管芯結合部，所述無源器件設有無源器 件結合部；
[0023] 設置連接件，將所述連接件連接于所述管芯結合部與所述無源器件結合部，且所 述連接件位于所述管芯結合部與所述無源器件結合部之間。
[0024] 結合第三方面的第一種可能的實現方式，在第三方面的第一種可能的實現方式 中，
[0025] 所述設置連接件時，進一步包括以下步驟，
[0026] 將所述連接件形成于所述管芯結合部與所述無源器件結合部二者之中的一個；
[0027] 將所述連接件連接于所述管芯結合部與所述無源器件結合部二者之中的另一個。
[0028] 結合第三方面的第一種可能的實現方式，在第三方面的第二種可能的實現方式 中，
[0029] 所述設置連接件時，所述連接件采用引線鍵合剪切的方式形成于所述管芯結合部 與無源器件結合部二者之中的一個；且所述連接件采用超聲焊接或熱壓合的方式連接于所 述管芯結合部與無源器件結合部二者之中的另一個。
[0030] 結合第三方面的第一種可能的實現方式，在第三方面的第三種可能的實現方式 中，
[0031] 所述連接件包括第一連接元件及第二連接元件，所述設置連接件時，進一步包括 以下步驟，
[0032] 將所述連接件的第一連接元件形成于所述管芯的管芯結合部；
[0033] 將所述連接件的第二連接元件形成于所述無源器件的無源器件結合部；
[0034] 將所述第一連接元件與所述第二連接元件相互連接。
[0035] 本發明的芯片集成模塊、芯片封裝結構及芯片集成方法不需要額外的工藝步驟來 形成UBM層，易于集成且成本較低；本發明的芯片集成模塊及芯片封裝結構將管芯的管芯 結合部及無源器件的無源器件結合部相對設置并通過連接件連接，從而使芯片集成模塊及 芯片封裝結構的管芯與無源器件的互連路徑更短、縮減所述芯片集成模塊及芯片封裝結構 的整體尺寸。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0036] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0037] 圖1是本發明第一較佳實施方式提供的芯片集成模塊組裝狀態下的結構示意圖；
[0038] 圖2是本發明第一較佳實施方式提供的芯片集成模塊分解狀態下的結構示意圖；
[0039] 圖3是本發明第一較佳實施方式提供的芯片集成模塊的芯片集成方法的流程圖；
[0040] 圖4至圖6是對圖3所示的芯片集成方法制備過程中的制備示意圖；
[0041] 圖7是本發明第二較佳實施方式提供的芯片集成模塊組裝狀態下的結構示意圖；
[0042] 圖8是本發明第三較佳實施方式提供的芯片集成模塊組裝狀態下的結構示意圖；
[0043] 圖9是本發明第四較佳實施方式提供的芯片封裝結構的結構示意圖；

【具體實施方式】
[0044] 下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0045] 請參閱圖1及圖2,本發明第一較佳實施方式提供一種芯片集成模塊10,包括管芯 11、無源器件13及連接件15。所述管芯11與無源器件13通過連接件15相互連接。
[0046] 在本實施例中，所述管芯11可采用邏輯電路、存儲器件或其它類型的電路，其上 還可進一步設置二極管、晶體管、電容器等半導體元件。所述管芯11設有至少一個管芯結 合部110。如圖所述，在本實施例中，所述管芯結合部110的設置數量為兩個，所述管芯結合 部110形成于所述管芯11之上并暴露于所述管芯11外部。
[0047] 所述管芯結合部110為采用片狀金屬制成，優選地，所述管芯結合部110采用 鋁（A1)或銅（Cu)或其合金制成。可以理解的是，所述管芯結合部110可直接形成于所 述管芯11，也可在原有管芯11基礎上通過各種方式將所述管芯結合部110連接于所述原 有管芯11，從而形成設有管芯結合部110的管芯11。如所述管芯結合部110可采用濺射 (sputtering)、化學氣相沉積（CVD，Chemical Vapor Deposition)等方式形成于管芯11表 面，其具體形成方式在此不再贅述。
[0048] 所述無源器件13可米用集成無源器件（IPD，Integrated Passive Devices)或 分立無源器件，如濾波器或各類電容器，如普通電容、多層陶瓷電容（MLCC，Multi-Layer Ceramic Capacitor)等。所述無源器件13對應各個所述管芯11的管芯結合部110分別 設有無源器件結合部130。如圖2所示，在本實施例中，所述無源器件結合部130的設置數 量同樣為兩個。所述無源器件結合部130形成于所述無源器件之上并暴露于所述無源器件 13外部。所述無源器件結合部130為采用片狀金屬制成，優選地，所述無源器件結合部130 采用鋁（A1)、銅（Cu)或其合金制成。同樣的，所述無源器件結合部130可采用電鍍、濺射 (sputtering)、化學氣相沉積（CVD，Chemical Vapor Deposition)等方式形成于無源器件 13表面，其具體形成方式在此不再贅述。
[0049] 所述連接件15為塊狀，所述管芯11的管芯結合部110及無源器件13的無源器件 結合部130相對設置，所述連接件15連接于所述管芯11的管芯結合部110及無源器件13 的無源器件結合部130,且所述連接件15位于所述管芯11的管芯結合部110及無源器件 13的無源器件結合部之間，從而將所述管芯11與所述無源器件13相互連接。在本實施例 中，所述連接件15可采用金（Au)、銀（Ag)、銅（Cu)、鈦（Ti)、鎳（Ni)、鋁（A1)或其中任意兩 種或兩種以上所形成的合金。可以理解的是，所述連接件15的組分中還可加入焊料，從而 便于連接件15通過焊接的方式連接于所述管芯11及無源器件13。
[0050] 進一步的，在本實施例中，如圖2所示，所述管芯11設有管芯表面111，所述管芯結 合部110設有管芯結合表面1101。所述管芯結合表面1101相對于所述管芯表面111內凹 或外凸，或相對于所述管芯表面111平齊。
[0051] 同樣的，所述無源器件13設有無源器件表面131，所述無源器件結合部130設有無 源器件結合表面1301。所述無源器件結合表面1301相對于所述無源器件表面131內凹或 外凸，或相對于所述無源器件表面131平齊。
[0052] 可以理解的是，所述管芯結合部110與所述無源器件結合部130可采用任意適用 方式設置或形成于所述管芯11或無源器件13。只需保證所述管芯結合部110與所述無源 器件結合部130可暴露于管芯11或無源器件13外部以便其連接于所述連接件15即可。
[0053] 組裝狀態下，所述管芯11的管芯結合部110與所述無源器件13的無源器件結合 部130相對設置并通過所述連接件15相互連接，從而將無源器件13集成連接于所述管芯 11。可以理解的是，所述管芯11的管芯結合部110與所述無源器件13的無源器件結合部 130及對應設置的連接件15的設置位置及數量可根據使用及連接需求自身設置。
[0054] 如圖3所述，本實施例中的芯片集成模塊10的芯片集成方法包括以下步驟：
[0055] 步驟S1，提供一管芯11及一無源器件13,所述管芯11設有管芯結合部110,所述 無源器件13設有無源器件結合部130 ;
[0056] 步驟S2,設置連接件15,將所述連接件15連接于所述管芯結合部110與所述無源 器件結合部130,且所述連接件15位于所述管芯結合部110與所述無源器件結合部130之 間，以使得所述管芯11與所述無源器件13相互連接。
[0057] 所述步驟S2進一步包括以下步驟：
[0058] 步驟S21，將所述連接件15形成于所述管芯結合部110與無源器件結合部130二 者之中的一個；在本實施例中，可將連接件15形成于管芯11的管芯結合部110。具體的， 在步驟S21中，可通過引線鍵合剪切的方法在管芯11表面的管芯結合部110上形成可焊接 連接件15。
[0059] 如圖4及圖5所示，通過引線鍵合剪切的方法在管芯11表面的管芯結合部110上 形成可焊接連接件15時，首先通過焊線機的真空吸管101固定管芯11。而后選用引線102， 并將引線102穿過焊線機的焊接頭103,通過焊接頭103在引線102末端形成一個引線球 1021。移動焊線機的焊接頭103,使引線球1021接觸管芯11表面的管芯結合部110。通 過焊線機的焊接頭103將引線球1021鍵合于管芯11表面的管芯結合部110。鍵合引線球 1021前可對管芯11提前預熱。剪切斷引線102,并將所述引線球1021保留于所述管芯11 的管芯結合部110以作為連接件15。
[0060] 可以理解的是，在本實施例的芯片集成方法中，所述連接件15還可先通過引線鍵 合剪切的方法形成于無源器件13的無源器件結合部130,其具體步驟與上述一致，在此不 再贅述。所述引線102的材質與最終形成的連接件15的材質一致。
[0061] 步驟S22,將所述連接件15連接于所述管芯結合部110與無源器件結合部130二 者之中的另一個。
[0062] 進一步的，本實施例的芯片集成方法還可通過任意適用方法將已經連接于所述管 芯結合部110的連接件15連接于所述無源器件13的無源器件結合部130。
[0063] 如圖6所示，具體的，在本實施例中，在步驟S22中于所述管芯11的管芯結合部 110形成連接件15后，可采用超聲焊接與熱壓合的方式將連接件15進一步地連接于所述無 源器件，從而實現管芯11與無源器件13的集成。
[0064] 具體的，通過真空吸管101固定無源器件13。無源器件13使連接于管芯11的連 接件15接觸所述無源器件13的無源器件結合部130,并通過超聲焊接機的焊接頭施加壓 力及超聲摩擦力于所述連接件15,從而通過熱壓合和超聲焊接實現連接件15與所述無源 器件13的相互連接。可以理解的是，在本實施例的芯片集成方法中，還可通過其他任意適 用方法將連接件15連接于所述管芯11與無源器件13。可以理解的是，在將所述連接件15 連接于所述管芯11與無源器件13的過程中，所述連接件15可發生一定程度的形變，其可 具有任意形態的形變后的形狀。
[0065] 如圖7所示是本發明的第二較佳實施例的芯片集成模塊20。本實施例的芯片集 成模塊20與第一較佳實施例的芯片集成模塊10大致相同。所述芯片集成模塊20包括管 芯21、無源器件23及連接件25,所述管芯21設有管芯結合部210,所述無源器件23設有無 源器件結合部230。所述管芯21的管芯結合部210與所述無源器件23的無源器件結合部 230相對設置并通過所述連接件25相互連接。
[0066] 不同之處在于：所述連接件25表面設有保護層27,所述保護層27至少覆蓋 所述連接件25的部分表面。所述保護層27可采用有機可焊性保護層27 (OSP，Organic solderability preservative)。所述保護層 27還可采用金（Au)、錫（Sn)、銅（Cu)、鎳（Ni)、 鈀（Pd)及其合金制成。本實施例中的芯片集成模塊20的芯片集成方法與第一較佳實施例 大致相同，在此不再贅述。
[0067] 在本實施例中，所述保護層27可通過采用具有保護層的引線形成。即，可在通過 引線鍵合剪切的方法在管芯21表面的管芯結合部210上形成連接件25時，采用具有保護 層27的引線，從而形成的連接件25上也具有保護層27。
[0068] 進一步的，所述管芯21與無源器件23之間設有間隙，所述管芯21與無源器件23 之間的間隙中填充有填充材料29,所述填充材料29可采用底部填充膠（underfill)，或者其 它填充材料。
[0069] 如圖8所示是本發明的第三較佳實施例的芯片集成模塊30。本實施例的芯片集成 模塊30與第一較佳實施例的芯片集成模塊10大致相同。
[0070] 本實施例中，所述芯片集成模塊30包括管芯31、無源器件33及連接件35,所述管 芯31設有管芯結合部310,所述無源器件33設有無源器件結合部330。所述管芯31的管 芯結合部310與所述無源器件33的無源器件結合部330相對設置并通過所述連接件35相 互連接。
[0071] 不同之處在于：本實施例中的所述連接件35包括第一連接元件351及第二連接 元件352,所述第一連接元件351連接于所述管芯31的管芯結合部310,所述第二連接元件 352連接于所述無源器件33的無源器件結合部330,且所述第一連接元件351與所述第二 連接元件352相互連接，從而將所述無源器件33連接集成于所述管芯31。
[0072] 可以理解的是，與第一較佳實施例的芯片集成模塊10相同，無源器件33及管芯31 可對應設置多組無源器件結合部330與管芯結合部310,且芯片集成模塊30可對應多組無 源器件結合部330與管芯結合部310設置多對第一連接元件351及第二連接元件352。所 述第一連接元件351與第二連接元件352與第一較佳實施例中的第一連接件15的材料相 同。
[0073] 可以理解的是，第二較佳實施例中所述保護層27也可部分覆蓋于本實施例中的 連接件35的第一連接元件351及第二連接元件352。所述管芯31與無源器件33之間的間 隙中也可填充有填充材料39。
[0074] 本實施例中的芯片集成模塊30的芯片集成方法與第一較佳實施例的芯片集成方 法大致相同，包括以下步驟：
[0075] 步驟S1，提供一管芯31及一無源器件33,所述管芯31設有管芯結合部310,所述 無源器件33設有無源器件結合部330 ;
[0076] 步驟S2,設置連接件35,通過所述連接件35將所述管芯11與所述無源器件13相 互連接。
[0077] 不同之處在于，在本實施例中，所述步驟S2進一步包括以下步驟：
[0078] 步驟S21'，將所述連接件35的第一連接元件351形成于所述管芯31的管芯結合 部 310 ;
[0079] 步驟S22'，將所述連接件35的第二連接元件352形成于所述無源器件33的無源 器件結合部330 ;
[0080] 步驟S23'，將所述第一連接元件351與所述第二連接元件352相互連接。本步驟 中，通過第一連接元件351與所述第二連接元件352將所述管芯11與所述無源器件13相 互連接。
[0081] 在本實施例中，所述連接件35與管芯31及無源器件33相互連接的方式一致。
[0082] 如圖9所示是本發明的第三較佳實施例的芯片封裝結構40,包括襯底45及設置 于襯底之上的管芯集成模塊50,所述管芯集成模塊50與第一較佳實施例或第二較佳實施 例所述的管芯集成模塊的結構大致相同，包括管芯51、無源器件53及連接件55,所述管芯 51設有管芯結合部510,所述無源器件53設有無源器件結合部530。所述管芯51的管芯結 合部510與所述無源器件53的無源器件結合部530相對設置并通過所述連接件55相互連 接。
[0083] 所述芯片封裝結構40還設有連接線60,所述管芯集成模塊50的管芯51還設有連 接線結合部，所述連接線連接于所述連接線結合部與所述襯底45之間，從而將管芯51引線 鍵合于襯底45。
[0084] 在本實施例中，所述襯底45可采用引線框架（lead-frame)、基板（substrate)或 諸如半導體晶圓等的半導體材料。所述襯底45上還可形成用于保護管芯集成模塊50的模 塑料70。可以理解的是，管芯集成模塊50可采用任意適用的現有技術設置于所述襯底，如 所述芯片封裝結構40也可取消設置連接線，而通過倒裝的方式將管芯集成模塊50的管芯 51連接于所述襯底45。
[0085] 本發明的芯片集成模塊、芯片封裝結構及芯片集成方法不需要額外的工藝步驟來 形成UBM層，減少了成本；且將管芯的管芯結合部及無源器件的無源器件結合部相對設置 并通過連接件連接，從而使芯片集成模塊及芯片封裝結構的管芯與無源器件的互連路徑更 短、縮減所述芯片集成模塊及芯片封裝結構的整體尺寸。且相較于較長的互連路徑，較短的 互連路徑便于實現較佳的無源器件性能，如當無源器件為電容器件時，較短的互連路徑能 更有效的實現對噪聲的濾波；當無源器件為濾波器時，由于管芯與無源器件的互連路徑更 短，通道寄生更小，濾波器的帶寬更容易控制。
[0086] 以上所揭露的僅為本發明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權 利范圍，本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例的全部或部分流程，并依本發明權 利要求所作的等同變化，仍屬于發明所涵蓋的范圍。
【權利要求】
1. 一種芯片集成模塊，其特征在于：包括管芯、無源器件及連接件，所述管芯設有管芯 結合部，所述無源器件設有無源器件結合部，所述管芯的管芯結合部及無源器件的無源器 件結合部相對設置，所述連接件設置于所述管芯結合部與所述無源器件結合部之間并連接 于所述管芯結合部與所述無源器件結合部。
2. 如權利要求1所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述管芯的管芯結合部與所述無 源器件的無源器件結合部采用金屬制成。
3. 如權利要求2所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述連接件采用金、銀、銅、鈦、鎳、 鋁中的任意一種、或其中任意兩種或兩種以上的上述金屬的合金制成。
4. 如權利要求3所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述連接件采用超聲焊接或熱壓 合連接于所述管芯結合部與無源器件結合部。
5. 如權利要求1至4中任一項所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述無源器件采用 集成無源器件或分立無源器件。
6. 如權利要求1至4中任一項所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述連接件包括第 一連接元件及第二連接元件，所述第一連接元件連接于所述管芯的管芯結合部，所述第二 連接元件連接于所述無源器件的無源器件結合部，且所述第一連接元件與所述第二連接元 件相互連接。
7. 如權利要求1至4中任一項所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述管芯設有管芯 表面，所述管芯結合部設有管芯結合表面，所述管芯結合表面相對于所述管芯表面內凹、夕卜 凸或平齊。
8. 如權利要求1至4中任一項所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述無源器件設有 無源器件表面，所述無源器件結合部設有無源器件結合表面，所述無源器件結合表面相對 于所述無源器件表面內凹、外凸或平齊。
9. 如權利要求1至8中任一項所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述管芯結合部采 用濺射或化學氣相沉積形成于所述管芯。
10. 如權利要求1至8中任一項所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述無源器件結合 部采用電鍍、濺射或化學氣相沉積形成于所述無源器件。
11. 如權利要求1至8中任一項所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述連接件表面設 有保護層，所述保護層至少覆蓋所述連接件的部分表面。
12. 如權利要求11所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述保護層采用金、錫、銅、鎳、 鈀或其中任意兩者或兩者以上的上述金屬的合金制成。
13. 如權利要求12所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述保護層含有有機可焊性防 腐劑。
14. 如權利要求1至13中任一項所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述管芯與無源 器件之間設有間隙，所述管芯與無源器件之間的間隙中填充有填充材料。
15. 如權利要求14所述的芯片集成模塊，其特征在于：所述填充材料采用填充膠。
16. -種芯片封裝結構，其特征在于：包括襯底及如權利要求1至15中任一項所述的 芯片集成模塊，所述芯片集成模塊設置于所述襯底之上。
17. -種芯片集成方法，其特征在于：包括以下步驟， 提供管芯及無源器件，所述管芯設有管芯結合部，所述無源器件設有無源器件結合 部； 設置連接件，將所述連接件連接于所述管芯結合部與所述無源器件結合部，且所述連 接件位于所述管芯結合部與所述無源器件結合部之間。
18. 如權利要求17所述的芯片集成方法，其特征在于：所述設置連接件時，進一步包括 以下步驟， 將所述連接件形成于所述管芯結合部與所述無源器件結合部二者之中的一個； 將所述連接件連接于所述管芯結合部與所述無源器件結合部二者之中的另一個。
19. 如權利要求18所述的芯片集成方法，其特征在于：所述連接件采用引線鍵合剪切 的方式形成于所述管芯結合部與無源器件結合部二者之中的一個；且所述連接件采用超聲 焊接或熱壓合的方式連接于所述管芯結合部與無源器件結合部二者之中的另一個。
20. 如權利要求17所述的芯片集成方法，其特征在于：所述連接件包括第一連接元件 及第二連接元件，所述設置連接件時，進一步包括以下步驟， 將所述連接件的第一連接元件形成于所述管芯的管芯結合部； 將所述連接件的第二連接元件形成于所述無源器件的無源器件結合部； 將所述第一連接元件與所述第二連接元件相互連接。
【文檔編號】H01L23/31GK104157617SQ201410366385
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月29日 優先權日:2014年7月29日
【發明者】符會利, 高崧 申請人:華為技術有限公司