本發(fā)明涉及用于數(shù)字設(shè)備、av設(shè)備、信息通信終端等各種電子設(shè)備的小型且薄型的共模噪聲濾波器。

背景技術(shù)：

參照附圖對(duì)現(xiàn)有的共模噪聲濾波器進(jìn)行說(shuō)明。圖11是現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的分解立體圖。如圖11所示，現(xiàn)有的共模噪聲濾波器層疊多個(gè)絕緣體層1a～1g，并具有第1線圈2和第2線圈3。第1線圈2將螺旋狀的第1線圈導(dǎo)體4a以及第2線圈導(dǎo)體4b進(jìn)行連接而構(gòu)成。第2線圈3將螺旋狀的第3線圈導(dǎo)體5a以及第4線圈導(dǎo)體5b進(jìn)行連接而構(gòu)成。構(gòu)成第1線圈2的線圈導(dǎo)體(第1線圈導(dǎo)體4a、第2線圈導(dǎo)體4b)、和構(gòu)成第2線圈3的線圈導(dǎo)體(第3線圈導(dǎo)體5a、第4線圈導(dǎo)體5b)交替配置。而且，使第1線圈導(dǎo)體4a和第3線圈導(dǎo)體5a磁耦合而形成了第1共模濾波器部6。進(jìn)而，使第2線圈導(dǎo)體4b和第4線圈導(dǎo)體5b磁耦合而形成了第2共模濾波器部7。通過(guò)將第1共模濾波器部6和第2共模濾波器部7串聯(lián)連接，從而現(xiàn)有的共模噪聲濾波器確保了高共模阻抗，去除了共模噪聲。

另外，作為與本申請(qǐng)的發(fā)明相關(guān)的在先技術(shù)文獻(xiàn)信息，例如，已知專(zhuān)利文獻(xiàn)1。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：jp特開(kāi)2002-373810號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一方式的共模噪聲濾波器具有：層疊的多個(gè)絕緣體層；第1線圈，其形成于多個(gè)絕緣體層，并由螺旋狀的第1線圈導(dǎo)體以及螺旋狀的第2線圈導(dǎo)體構(gòu)成；和第2線圈，其形成于多個(gè)絕緣體層，并由螺旋狀的第3線圈導(dǎo)體以及螺旋狀的第4線圈導(dǎo)體構(gòu)成。此外，配置為如下(1)(2)兩種方式中的任意方式：(1)配置第1～第4線圈導(dǎo)體，使得第1線圈和第2線圈交替地配置；或(2)配置為由第1線圈導(dǎo)體和第2線圈導(dǎo)體夾著第3線圈導(dǎo)體以及第4線圈導(dǎo)體。進(jìn)而，使第1線圈導(dǎo)體與第3線圈導(dǎo)體磁耦合而形成第1共模濾波器部，使第2線圈導(dǎo)體與第4線圈導(dǎo)體磁耦合而形成第2共模濾波器部。進(jìn)而，將第1共模濾波器部和第2共模濾波器部串聯(lián)連接。進(jìn)而，在俯視下，使電流在第1共模濾波器部中的第1線圈導(dǎo)體以及第3線圈導(dǎo)體中流動(dòng)的第1方向、與電流在第2共模濾波器部中的第2線圈導(dǎo)體以及第4線圈導(dǎo)體中流動(dòng)的第2方向?yàn)橄喾捶较颉?/p>

根據(jù)該構(gòu)成，本發(fā)明的一方式的共模噪聲濾波器能夠在2個(gè)頻帶中使共模噪聲衰減。

附圖說(shuō)明

圖1是實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖2是實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器的立體圖。

圖3是實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器的電路示意圖。

圖4是對(duì)實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器與現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的共模衰減特性進(jìn)行比較的圖。

圖5是實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器的變形例的分解立體圖。

圖6是實(shí)施方式2中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖7是實(shí)施方式2中的共模噪聲濾波器的變形例的分解立體圖。

圖8是對(duì)實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器與實(shí)施方式2中的共模噪聲濾波器的差動(dòng)信號(hào)損耗進(jìn)行比較的圖。

圖9是對(duì)實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器的模式變換特性進(jìn)行比較的圖。

圖10是實(shí)施方式3中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

圖11是現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的分解立體圖。

具體實(shí)施方式

在說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式之前，先說(shuō)明發(fā)明人(們)注意到的圖11所示的現(xiàn)有的共模噪聲濾波器中的課題。

近年來(lái)，不僅是便攜式信息終端，在tv等也開(kāi)始搭載wifi，為了確保其接收靈敏度，使用了抑制來(lái)自內(nèi)部電路的輻射噪聲的噪聲濾波器。特別是，期望例如在2.4ghz附近和5ghz附近這兩個(gè)頻帶具有高共模噪聲衰減量的共模噪聲濾波器。

但是，在圖11所示的共模噪聲濾波器中，只能獲得僅使第1共模濾波器部6以及第2共模濾波器部7串聯(lián)連接的頻率特性。因此，在共模噪聲進(jìn)來(lái)時(shí)基于自諧振的衰減極點(diǎn)只為一個(gè)。因此，在自諧振的頻率以外的頻帶中無(wú)法衰減，不能在2個(gè)頻帶中使共模噪聲衰減。

本實(shí)施方式所涉及的共模噪聲濾波器能夠在2個(gè)頻帶中使共模噪聲衰減。

(實(shí)施方式1)

以下，參照?qǐng)D1～圖3對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1所涉及的共模噪聲濾波器進(jìn)行說(shuō)明。

圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器的分解立體圖，圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器的立體圖，圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器的電路示意圖。

如圖1所示，本發(fā)明的實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器從下方起依次層疊有絕緣體層11a～11g。本實(shí)施方式的共模噪聲濾波器具有：層疊的多個(gè)絕緣體層(絕緣體層11a～11g)；和第1線圈12，形成于多個(gè)絕緣體層，由螺旋狀的第1線圈導(dǎo)體14以及螺旋狀的第2線圈導(dǎo)體15構(gòu)成。還具有：第2線圈13，形成于多個(gè)絕緣體層，由螺旋狀的第3線圈導(dǎo)體16以及螺旋狀的第4線圈導(dǎo)體17構(gòu)成。而且，配置第1線圈導(dǎo)體14、第2線圈導(dǎo)體15、第3線圈導(dǎo)體16以及第4線圈導(dǎo)體17，使得第1線圈12和第2線圈13交替地配置。具體而言，從上方起依次排列配置了第1線圈導(dǎo)體14、第3線圈導(dǎo)體16、第2線圈導(dǎo)體15、第4線圈導(dǎo)體17。

而且，使第1線圈導(dǎo)體14與第3線圈導(dǎo)體16磁耦合而形成了第1共模濾波器部18。此外，使第2線圈導(dǎo)體15與第4線圈導(dǎo)體17磁耦合而形成了第2共模濾波器部19。

而且，第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19被串聯(lián)連接。

另外，在俯視時(shí)，使電流在第1共模濾波器部18中的第1線圈導(dǎo)體14以及第3線圈導(dǎo)體16中流動(dòng)的第1方向、與電流在第2共模濾波器部19中的第2線圈導(dǎo)體15以及第4線圈導(dǎo)體17中流動(dòng)的第2方向成為相反方向。關(guān)于第1～第4線圈導(dǎo)體14～17的纏繞方向的詳情在后面敘述。

進(jìn)而，在本實(shí)施方式的共模噪聲濾波器中，使第1共模濾波器部18中的第1線圈導(dǎo)體14以及第3線圈導(dǎo)體16的匝數(shù)、與第2共模濾波器部19中的第2線圈導(dǎo)體15以及第4線圈導(dǎo)體17的匝數(shù)不同。

具體而言，第1共模濾波器部18中的第1線圈導(dǎo)體14以及第3線圈導(dǎo)體16的匝數(shù)均為3，而第2共模濾波器部19中的第2線圈導(dǎo)體15以及第4線圈導(dǎo)體17的匝數(shù)均為1。即，在本實(shí)施方式中，第1共模濾波器部18中的第1線圈導(dǎo)體14以及第3線圈導(dǎo)體16的匝數(shù)多于第2共模濾波器部19中的第2線圈導(dǎo)體15以及第4線圈導(dǎo)體17的匝數(shù)。

另外，在本說(shuō)明書(shū)中，所謂“匝數(shù)”，設(shè)為完全環(huán)繞一周的數(shù)量，將尾數(shù)舍去。

在上述構(gòu)成中，從下方起依次層疊了絕緣體層11a～11g。絕緣體層11b～11f由非磁性體的材料構(gòu)成為片狀，例如cu-zn鐵氧體、玻璃陶瓷等絕緣性的非磁性材料。而且，絕緣體層11a、11g由cu-ni-zn鐵氧體等絕緣性的磁性材料構(gòu)成為片狀。另外，也可以由非磁性材料來(lái)構(gòu)成所有的絕緣體層11a～11g。

進(jìn)而，在絕緣體層11b～11f的內(nèi)部形成第1、第2線圈12、13，此外，由螺旋狀的第1線圈導(dǎo)體14以及螺旋狀的第2線圈導(dǎo)體15構(gòu)成了第1線圈12，并由螺旋狀的第3線圈導(dǎo)體16以及螺旋狀的第4線圈導(dǎo)體17構(gòu)成了第2線圈13。

而且，第1～第4線圈導(dǎo)體14～17分別通過(guò)將銀等導(dǎo)電材料鍍覆或印刷成螺旋狀而形成。

第1線圈導(dǎo)體14形成于絕緣體層11e的上表面，第2線圈導(dǎo)體15形成于絕緣體層11c的上表面，第3線圈導(dǎo)體16形成于絕緣體層11d的上表面，第4線圈導(dǎo)體17形成于絕緣體層11b的上表面。

構(gòu)成第1線圈12的第1、第2線圈導(dǎo)體14、15和構(gòu)成第2線圈13的第3、第4線圈導(dǎo)體16、17交替地層疊。在本實(shí)施方式中，由于沿上下方向?qū)Φ?～第4線圈導(dǎo)體14～17進(jìn)行了層疊，因此也能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)省空間。進(jìn)而，通過(guò)在俯視時(shí)將第1線圈導(dǎo)體14和第3線圈導(dǎo)體16的一部分配置于大致相同的位置，并且將電流流動(dòng)的方向設(shè)為同一方向而使其進(jìn)行磁耦合，從而形成了第1共模濾波器部18。同樣地，通過(guò)在俯視時(shí)將第2線圈導(dǎo)體15和第4線圈導(dǎo)體17的一部分配置于大致相同的位置，并且將電流流動(dòng)的方向設(shè)為同一方向而使其進(jìn)行磁耦合，從而形成了第2共模濾波器部19。

進(jìn)而，電流在第1共模濾波器部18的第1、第3線圈導(dǎo)體14、16中流動(dòng)的方向、和電流在第2共模濾波器部19的第2、第4線圈導(dǎo)體15、17中流動(dòng)的方向成為相反方向。在共模噪聲進(jìn)來(lái)時(shí)，在圖1中，在俯視時(shí)在第1、第3線圈導(dǎo)體14、16中電流順時(shí)針流動(dòng)的情況下，在第2、第4線圈導(dǎo)體15、17中電流逆時(shí)針流動(dòng)。因此，第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19不像現(xiàn)有例那樣進(jìn)行彼此增強(qiáng)的磁耦合，而作為共模噪聲濾波器整體，不會(huì)獲得較大的磁耦合。

而且，第1共模濾波器部18中的第1、第3線圈導(dǎo)體14、16的匝數(shù)(圈數(shù))多于第2共模濾波器部19中的第2、第4線圈導(dǎo)體15、17的匝數(shù)(圈數(shù))。此時(shí)，第1～第4線圈導(dǎo)體14～17的各導(dǎo)體間間距大致相同，第2、第4線圈導(dǎo)體15、17與第1、第3線圈導(dǎo)體14、16在俯視時(shí)對(duì)置。

另外，優(yōu)選第2、第4線圈導(dǎo)體15、17的匝數(shù)為第1、第3線圈導(dǎo)體14、16的匝數(shù)的1/3～2/3。

進(jìn)而，根據(jù)所希望的特性，可以使第2、第4線圈導(dǎo)體15、17的位于最外側(cè)的部分與第1、第3線圈導(dǎo)體14、16的位于最外側(cè)的部分對(duì)置，也可以使第2、第4線圈導(dǎo)體15、17的位于最內(nèi)側(cè)的部分與第1、第3線圈導(dǎo)體14、16的位于最內(nèi)側(cè)的部分對(duì)置。

此外，第1線圈導(dǎo)體14以及第2線圈導(dǎo)體15經(jīng)由分別形成于絕緣體層11d、11e的第1通孔電極20a而彼此連接，從而構(gòu)成第1線圈12。進(jìn)而，第3線圈導(dǎo)體16以及第4線圈導(dǎo)體17經(jīng)由分別形成于絕緣體層11c、11d的第2通孔電極20b而彼此連接，從而構(gòu)成第2線圈13。

另外，形成于絕緣體層11d的第1通孔電極20a、和形成于絕緣體層11e的第1通孔電極20a在俯視時(shí)分別設(shè)置于相同位置。同樣地，形成于絕緣體層11c的第2通孔電極20b和形成于絕緣體層11d的第2通孔電極20b也在俯視時(shí)分別設(shè)置于相同位置。此外，第1通孔電極20a、第2通孔電極20b在各絕緣體層的規(guī)定位置，用激光開(kāi)孔，并在該孔填充銀而形成。

另外，在本實(shí)施方式中，絕緣體層由絕緣體層11a～11g(7張片材)構(gòu)成，各絕緣體層11a～11g的數(shù)量并不限于圖1所示的數(shù)量。

于是，通過(guò)上述構(gòu)成，從而如圖2所示，形成共模噪聲濾波器的主體部21。此外，在主體部21的兩端面，設(shè)置第1～第4外部電極22a～22d，而且第1～第4外部電極22a～22d各自與第1～第4線圈導(dǎo)體14～17連接。進(jìn)而，第1～第4外部電極22a～22d通過(guò)在主體部21的端面印刷銀而形成。此外，在第1～第4外部電極22a～22d的表面通過(guò)鍍覆而形成了鍍鎳層，進(jìn)而，在鍍鎳層的表面通過(guò)鍍覆而形成了錫、焊料等低熔點(diǎn)金屬鍍覆層。

如上所述在本發(fā)明的實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器中，形成為電流在第1共模濾波器部18的第1、第3線圈導(dǎo)體14、16中流動(dòng)的方向、和電流在第2共模濾波器部19的第2、第4線圈導(dǎo)體15、17中流動(dòng)的方向成為相反方向。由此，能夠在共模噪聲進(jìn)來(lái)時(shí)在2個(gè)頻帶中得到共模噪聲衰減量。更優(yōu)選為，使第1共模濾波器部18中的第1、第3線圈導(dǎo)體14、16的匝數(shù)、與第2共模濾波器部19中的第2、第4線圈導(dǎo)體15、17的匝數(shù)不同，因而在第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19產(chǎn)生不同的頻率特性，由此，能夠在共模噪聲進(jìn)來(lái)時(shí)在2個(gè)頻帶中得到共模噪聲衰減量。

即，由于第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19的磁通量的產(chǎn)生方向相反，所以不會(huì)像現(xiàn)有技術(shù)那樣產(chǎn)生第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19彼此增強(qiáng)那樣的磁耦合。因此，由于在第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19產(chǎn)生不同的頻率特性，所以能夠獲得如下效果：能夠在2個(gè)頻帶中得到共模噪聲衰減量。

接下來(lái)，對(duì)共模衰減特性進(jìn)行說(shuō)明。

圖4是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式1中的共模噪聲濾波器與現(xiàn)有的共模噪聲濾波器的共模衰減特性進(jìn)行比較的圖。

從圖4可知，在現(xiàn)有技術(shù)中，僅在1個(gè)頻帶中得到了衰減量，而在本發(fā)明的實(shí)施方式1中，能夠在2個(gè)頻帶中得到衰減量。

進(jìn)而如圖1所示，絕緣體層11e、11f(第1絕緣體層)僅與第1～第4線圈導(dǎo)體14～17中的第1、第3線圈導(dǎo)體14、16的雙方或任意一方接觸。此外，絕緣體層11b、11c(第2絕緣體層)僅與第2共模濾波器部19中的第2、第4線圈導(dǎo)體15、17的雙方或任意一方接觸。而且，只要使絕緣體層11e、11f的介電常數(shù)與絕緣體層11b、11c的介電常數(shù)不同，則更加優(yōu)選。由于介電常數(shù)的不同從而在第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19產(chǎn)生不同的頻率特性，因此能夠在2個(gè)頻帶中得到衰減量。絕緣體層11d由于與構(gòu)成第1共模濾波器部18的第3線圈導(dǎo)體16以及構(gòu)成第2共模濾波器部19的第2線圈導(dǎo)體15的雙方的線圈導(dǎo)體接觸，故而不適用。

另外，如圖5所示，也可以在匝數(shù)比第1共模濾波器部18中的第1、第3線圈導(dǎo)體14、16少的第2共模濾波器部19中的第2、第4線圈導(dǎo)體15、17中，在其層疊方向的外側(cè)(下方)不形成磁性體(絕緣體層11a)。即，僅在所述多個(gè)絕緣體層的上方側(cè)以及下方側(cè)中的形成有匝數(shù)較多的線圈導(dǎo)體(第1、第3線圈導(dǎo)體14、16)的一側(cè)，形成了磁性體11g。通過(guò)該構(gòu)成，能夠防止在第2共模濾波器部19中產(chǎn)生基于磁性體的磁損耗以及介電損耗，因此能夠防止匝數(shù)較少一方的第2共模濾波器部19的頻率特性中的共模噪聲的衰減極點(diǎn)的頻率處的阻抗下降，能夠得到較高的共模衰減量。

(實(shí)施方式2)

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式2所涉及的共模噪聲濾波器進(jìn)行說(shuō)明。

圖6、圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式2中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。另外，在該本發(fā)明的實(shí)施方式2中，針對(duì)與上述的本發(fā)明的實(shí)施方式1同樣的構(gòu)成，賦予同一符號(hào)并省略說(shuō)明。

如圖6、圖7所示，在本發(fā)明的實(shí)施方式2中，與上述的本發(fā)明的實(shí)施方式1不同之處在于如下方面。

僅是第2線圈導(dǎo)體15和第4線圈導(dǎo)體17層疊的順序進(jìn)行了調(diào)換這一點(diǎn)不同。另外，伴隨調(diào)換第2線圈導(dǎo)體15和第4線圈導(dǎo)體17層疊的順序，線圈導(dǎo)體的迂回方法在實(shí)施方式1和實(shí)施方式2中多少有些不同。

如圖6、圖7所示，配置為由構(gòu)成第1線圈12的第1線圈導(dǎo)體14和第2線圈導(dǎo)體15夾著構(gòu)成第2線圈13的第3線圈導(dǎo)體16以及第4線圈導(dǎo)體17。

另外，實(shí)施方式2中的共模噪聲濾波器的電路示意圖與圖3所示的本發(fā)明的實(shí)施方式1的電路示意圖相同。

在如上構(gòu)成的本實(shí)施方式2的共模噪聲濾波器中，相鄰的第3線圈導(dǎo)體16以及第4線圈導(dǎo)體17由于構(gòu)成了第2線圈13，因而成為同電位。因此，第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間(特別是構(gòu)成第1共模濾波器部18的第3線圈導(dǎo)體16與構(gòu)成第2共模濾波器部19的第4線圈導(dǎo)體17之間)的雜散電容減少。故而，即使輸入差動(dòng)信號(hào)，對(duì)于流經(jīng)第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19的信號(hào)，也能夠抑制因其間的雜散電容而引起的劣化。因此，在本實(shí)施方式的共模噪聲濾波器中，在第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19中，差動(dòng)信號(hào)的平衡分別變得良好。結(jié)果，不僅能夠在2個(gè)頻帶中得到衰減量，而且所輸入的差動(dòng)信號(hào)成分變換為共模并輸出的比例降低，此外，也不會(huì)發(fā)生差動(dòng)信號(hào)的損耗劣化的情況。

進(jìn)而，在本發(fā)明的實(shí)施方式1、2中，優(yōu)先為將構(gòu)成第1線圈12的線圈導(dǎo)體14、15的整體的長(zhǎng)度(第1線圈12的線路長(zhǎng)度)和構(gòu)成第2線圈13的線圈導(dǎo)體16、17的整體的長(zhǎng)度(第2線圈13的線路長(zhǎng)度)設(shè)為實(shí)質(zhì)上相等。通過(guò)該構(gòu)成，即使輸入差動(dòng)信號(hào)，通過(guò)第1線圈12的2個(gè)線圈導(dǎo)體14、15的各信號(hào)間、以及通過(guò)第2線圈13的2個(gè)線圈導(dǎo)體16、17的各信號(hào)間的、振幅以及相位的差動(dòng)平衡也不會(huì)太偏離理想狀態(tài)。因此，差動(dòng)信號(hào)的平衡變好，也不會(huì)發(fā)生差動(dòng)信號(hào)的損耗劣化的情況，并且所輸入的差動(dòng)信號(hào)成分變換為共模噪聲并輸出的比例降低。

即，在圖11所示的現(xiàn)有的共模噪聲濾波器中，在差動(dòng)信號(hào)通過(guò)共模噪聲濾波器內(nèi)部時(shí)有可能產(chǎn)生共模噪聲。特別是，智能電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)等所搭載的wifi等無(wú)線功能具有2.4ghz頻帶、5ghz頻帶的通信頻帶，在差動(dòng)信號(hào)具有2.4ghz～5ghz的頻率分量的情況下，該差動(dòng)信號(hào)成分的一部分會(huì)被變換為2.4ghz～5ghz的共模噪聲。于是，由于該共模噪聲而導(dǎo)致wifi等無(wú)線功能的接收靈敏度劣化。因此，需要極力抑制差動(dòng)信號(hào)成分變換為共模噪聲的比例，本發(fā)明的共模噪聲濾波器在這一點(diǎn)上發(fā)揮非常有效的作用。

<線路長(zhǎng)度的比較>

接下來(lái)，參照?qǐng)D8、圖9來(lái)說(shuō)明對(duì)線路長(zhǎng)度不同的情況進(jìn)行了比較的結(jié)果。

在圖8、圖9中，由實(shí)施方式1(條件1)所示的曲線圖是在參照?qǐng)D1說(shuō)明的實(shí)施方式1中的第1線圈12、第2線圈13的線路長(zhǎng)度相同的條件下測(cè)定的結(jié)果。由實(shí)施方式1(條件2)所示的曲線圖是在第1線圈12、第2線圈13的線路長(zhǎng)度不同的條件下測(cè)定的結(jié)果。由實(shí)施方式2所示的曲線圖是在參照?qǐng)D6說(shuō)明的實(shí)施方式2中的第1線圈12、第2線圈13的線路長(zhǎng)度相同的條件下測(cè)定的結(jié)果。

圖8是對(duì)上述3個(gè)條件下的差動(dòng)信號(hào)損耗進(jìn)行了比較的圖。

圖9是對(duì)上述3個(gè)條件下的從差動(dòng)模式向共模的模式變換特性進(jìn)行了比較的圖。

從圖8、圖9可知，本發(fā)明的實(shí)施方式2中的共模噪聲濾波器相比于本發(fā)明的實(shí)施方式1中第1線圈12、第2線圈13的線路長(zhǎng)度不同的情況、本發(fā)明的實(shí)施方式1中第1線圈12、第2線圈13的線路長(zhǎng)度相同的情況當(dāng)中的任意情況，在高頻區(qū)域中差動(dòng)信號(hào)的損耗均不會(huì)發(fā)生劣化，差動(dòng)信號(hào)成分被變換為共模的比例也較低。

此外，相比于第1線圈12、第2線圈13的線路長(zhǎng)度不同的情況，更優(yōu)選將第1線圈12、第2線圈13的線路長(zhǎng)度設(shè)為相同。進(jìn)而，如圖6所示，配置為由構(gòu)成第1線圈12的第1線圈導(dǎo)體14和第2線圈導(dǎo)體15夾著構(gòu)成第2線圈13的第3線圈導(dǎo)體16、第4線圈導(dǎo)體17，與如圖1所示對(duì)第1線圈導(dǎo)體14、第2線圈導(dǎo)體15、第3線圈導(dǎo)體16以及第4線圈導(dǎo)體17進(jìn)行配置使得第1線圈12和第2線圈13交替地配置的方式相比，在抑制差動(dòng)信號(hào)成分變換為共模這一點(diǎn)上優(yōu)選。

此外，也可以將位于第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間的絕緣體層11d(第3絕緣體層)的厚度設(shè)為比其他絕緣體層的厚度厚。另外也存在絕緣體層11d由多張絕緣體層形成的情況。此時(shí)，將多張絕緣體層集中作為絕緣體層11d。將對(duì)形成絕緣體層11d的多個(gè)絕緣體層整體進(jìn)行合計(jì)的厚度考慮為位于第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間的絕緣體層的厚度(第3絕緣體層的厚度)。

此外，也可以將位于第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間的絕緣體層11d(第3絕緣體層)的介電常數(shù)設(shè)為比其他絕緣體層的介電常數(shù)小。

通過(guò)設(shè)為這種構(gòu)成，從而第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間的雜散電容減少，因而即使輸入差動(dòng)信號(hào)，對(duì)于流經(jīng)第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19的信號(hào)，也能夠抑制因其間的雜散電容而引起的劣化。因此，在第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19中差動(dòng)信號(hào)的平衡分別變得良好，也不會(huì)發(fā)生差動(dòng)信號(hào)的損耗劣化的情況，并且所輸入的差動(dòng)信號(hào)成分被變換為共模噪聲并輸出的比例降低。

(實(shí)施方式3)

以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式3所涉及的共模噪聲濾波器進(jìn)行說(shuō)明。

圖10是本發(fā)明的實(shí)施方式3中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。另外，在實(shí)施方式3中，針對(duì)具有與上述的實(shí)施方式1、2同樣的構(gòu)成的要素，賦予同一符號(hào)并省略說(shuō)明。

在實(shí)施方式3中，與參照?qǐng)D6說(shuō)明的實(shí)施方式2不同之處在于，在第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間，配置有由第5線圈導(dǎo)體23和第6線圈導(dǎo)體24構(gòu)成的第3共模濾波器部25。而且，第1線圈導(dǎo)體14和第2線圈導(dǎo)體15經(jīng)由第5線圈導(dǎo)體23連接。此外，第3線圈導(dǎo)體16和第4線圈導(dǎo)體17經(jīng)由第6線圈導(dǎo)體24連接。

使電流在第3共模濾波器部25中的第5線圈導(dǎo)體23和第6線圈導(dǎo)體24中流動(dòng)的方向、與電流在第1共模濾波器部18中的第1線圈導(dǎo)體14和第3線圈導(dǎo)體16中流動(dòng)的方向成為相反方向。于是，第5線圈導(dǎo)體23與第1線圈導(dǎo)體14以及第2線圈導(dǎo)體15連接，所以構(gòu)成第1線圈12的一部分。進(jìn)而，第6線圈導(dǎo)體24與第3線圈導(dǎo)體16以及第4線圈導(dǎo)體17連接，所以構(gòu)成第2線圈13的一部分。

即，本實(shí)施方式的共模噪聲濾波器具有：第3共模噪聲濾波器部25，具有第5線圈導(dǎo)體23以及第6線圈導(dǎo)體24。而且，在第1共模濾波器部18與第2共模濾波器部19之間，配置形成第1線圈12的第5線圈導(dǎo)體23以及形成第2線圈13的第6線圈導(dǎo)體24。第1線圈導(dǎo)體14和第2線圈導(dǎo)體15經(jīng)由第5線圈導(dǎo)體23連接。第3線圈導(dǎo)體16和第4線圈導(dǎo)體17經(jīng)由第6線圈導(dǎo)體24連接。

此外，第1線圈導(dǎo)體14和第2線圈導(dǎo)體15通過(guò)第1通孔電極20a、第5線圈導(dǎo)體23、位于第5、第6線圈導(dǎo)體23、24的外側(cè)的第3通孔電極20c以及迂回用導(dǎo)體26a而連接。

此外，第3線圈導(dǎo)體16和第4線圈導(dǎo)體17通過(guò)第2通孔電極20b、第6線圈導(dǎo)體24、位于第6線圈導(dǎo)體24的外側(cè)的第4通孔電極20d以及迂回用導(dǎo)體26b而連接。另外，第5線圈導(dǎo)體23形成于絕緣體層11j的上表面，第6線圈導(dǎo)體24形成于絕緣體層11i的上表面，迂回用導(dǎo)體26a、26b形成于絕緣體層11h的上表面。

即，根據(jù)該構(gòu)成，通過(guò)調(diào)整第3共模濾波器部25的第5線圈導(dǎo)體23、第6線圈導(dǎo)體24的長(zhǎng)度，從而能夠?qū)?gòu)成第1線圈12的線圈導(dǎo)體的整體的長(zhǎng)度設(shè)為與構(gòu)成第2線圈13的線圈導(dǎo)體的整體的長(zhǎng)度大致相等。

在本實(shí)施方式中，第5線圈導(dǎo)體23形成為第1線圈12的一部分。(參照?qǐng)D3以及圖10參照。另外，在圖3中，第5線圈導(dǎo)體23未圖示。)第5線圈導(dǎo)體23經(jīng)由第3通孔電極20c與第2線圈導(dǎo)體15連接。而且，第3通孔電極20c設(shè)置于與將第5線圈導(dǎo)體23作為一部分的第1線圈12連接的第2外部電極22b的附近。

同樣地，第6線圈導(dǎo)體24形成為第2線圈13的一部分。(參照?qǐng)D3以及圖10參照。另外，在圖3中，第6線圈導(dǎo)體24未圖示。)第6線圈導(dǎo)體24經(jīng)由第4通孔電極20d與第4線圈導(dǎo)體17連接。而且，第4通孔電極20d設(shè)置于與將第6線圈導(dǎo)體24作為一部分的第2線圈13連接的第3外部電極22c的附近。

另外，在本實(shí)施方式中，雖然將第3通孔電極20c設(shè)置在第2外部電極22b的附近，但也可以設(shè)置在第1外部電極22a的附近。此外，雖然將第4通孔電極20d設(shè)置在第3外部電極22c的附近，但也可以設(shè)置在第4外部電極22d的附近。

由此，第3通孔電極20c、第4通孔電極20d分別形成在成為同電位的外部電極附近，因此能夠確保第5線圈導(dǎo)體23、第6線圈導(dǎo)體24與外部電極的絕緣可靠性。

即，在本實(shí)施方式的共模噪聲濾波器中，第5線圈導(dǎo)體23與第1線圈導(dǎo)體14的連接、以及第5線圈導(dǎo)體23與第2線圈導(dǎo)體15的連接，分別通過(guò)通孔電極20a、20c來(lái)進(jìn)行。此外，第6線圈導(dǎo)體24與第3線圈導(dǎo)體16的連接、以及第6線圈導(dǎo)體24與第4線圈導(dǎo)體17的連接，分別通過(guò)通孔電極20b、20d來(lái)進(jìn)行。與第5線圈導(dǎo)體23連接的通孔電極20a、20c的至少一部分，設(shè)置在連接了第1線圈12的外部電極22a或外部電極22b附近。進(jìn)而，與第6線圈導(dǎo)體24連接的通孔電極20b、20d的至少一部分，設(shè)置在連接了第2線圈13的外部電極22c或外部電極22d附近。

另外，在上述的本發(fā)明的實(shí)施方式1～3中的共模噪聲濾波器中，針對(duì)將第1線圈12、第2線圈13各設(shè)置一個(gè)的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以設(shè)置兩個(gè)以上而設(shè)為陣列類(lèi)型。

此外，針對(duì)將第1共模濾波器部18和第2共模濾波器部19各設(shè)置一個(gè)的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以設(shè)置兩個(gè)以上，使得在更多的頻帶得到衰減量。

進(jìn)而，為了提高磁耦合，也可以在絕緣體層11b～11f的中央部形成磁性部。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明所涉及的共模噪聲濾波器能夠在2個(gè)頻帶中得到衰減量。特別是在作為數(shù)字設(shè)備、av設(shè)備、信息通信終端等各種電子設(shè)備的噪聲對(duì)策而使用的小型且薄型的共模噪聲濾波器等中有用。

符號(hào)說(shuō)明

11a～11g絕緣體層

12第1線圈

13第2線圈

14第1線圈導(dǎo)體

15第2線圈導(dǎo)體

16第3線圈導(dǎo)體

17第4線圈導(dǎo)體

18第1共模濾波器部

19第2共模濾波器部

23第5線圈導(dǎo)體

24第6線圈導(dǎo)體

25第3共模濾波器部