本發(fā)明涉及一種疊層太陽(yáng)能電池，具體設(shè)及一種硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池及其制備方法，屬于太陽(yáng)電池材料與器件領(lǐng)域。

背景技術(shù)：
太陽(yáng)電池作為一種重要的光電能量轉(zhuǎn)換器件，由于其安全無(wú)污染、維護(hù)簡(jiǎn)單、資源永不枯竭和使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，近年來(lái)發(fā)展十分迅速。疊層太陽(yáng)電池屬于第三代太陽(yáng)電池，它可以拓寬太陽(yáng)電池的吸收光譜，最大限度的將光能轉(zhuǎn)化為電能，提升太陽(yáng)電池的理論光電轉(zhuǎn)換效率，是太陽(yáng)電池發(fā)展的重要方向。由于太陽(yáng)光光譜的能量分布較寬，現(xiàn)有的任何一種半導(dǎo)體材料都只能吸收其中能量比其禁帶寬度值高的光子，太陽(yáng)光中能量較小的光子將透過(guò)電池被背電極金屬吸收，轉(zhuǎn)變成熱能；而高能光子超出禁帶寬度的多余能量，則通過(guò)光生載流子的能量熱釋作用傳給電池材料本身的點(diǎn)陣原子，使材料本身發(fā)熱。這些能量都不能通過(guò)光生載流子傳給負(fù)載，變成有效電能。因此對(duì)于單結(jié)太陽(yáng)能電池，即使是晶體材料制成的，其轉(zhuǎn)換效率的理論極限一般也只有30％左右。疊層太陽(yáng)電池通過(guò)結(jié)合多種光伏材料，拓寬了太陽(yáng)電池的吸收光譜，其結(jié)構(gòu)中每一層電池都需要選擇合適的禁帶寬度、摻雜濃度、結(jié)深等，這樣可以使入射光在子電池間有效的分配，并被充分吸收，一般用禁帶寬度大的材料做成頂電池，吸收短波長(zhǎng)的光能，并允許較低低能量的長(zhǎng)波光子透過(guò)，用禁帶寬度小的材料做成底電池，吸收長(zhǎng)波長(zhǎng)的光能。疊層太陽(yáng)電池的設(shè)計(jì)難題在于，首先要尋找兩種晶格匹配良好的半導(dǎo)體晶體，從而使能量轉(zhuǎn)換效率提高；并且在理想的情況下，頂電池導(dǎo)帶底部應(yīng)該與底電池價(jià)帶頂部能級(jí)盡可能接近，這可以使頂電池被太陽(yáng)光激發(fā)的電子能夠很容易的從頂電池的導(dǎo)帶進(jìn)入底電池的價(jià)帶，電子在價(jià)帶上又被不同波長(zhǎng)的太陽(yáng)光激發(fā)。這樣一來(lái)，兩部分的電池像兩個(gè)串連的蓄電池一起工作，并且總功率與兩個(gè)電池的功率總和相等。疊層電池的電流匹配可用泊松比或連續(xù)性方程設(shè)計(jì)，如果在接合處價(jià)帶和導(dǎo)帶沒(méi)有被正確匹配，電子流過(guò)時(shí)就會(huì)因?yàn)楫a(chǎn)生的電阻造成功率損耗。有研究表明，可以通過(guò)制備高太陽(yáng)能密度的疊層太陽(yáng)能電池，并且不在連接處丟失電壓，有希望將轉(zhuǎn)化效率提升至45％以上。硫化銻是一種很有潛力的太陽(yáng)電池材料，禁帶寬度約為1.6-1.8eV，成本低、無(wú)毒性、性能穩(wěn)定；硅是目前發(fā)展最成熟的太陽(yáng)電池材料，禁帶寬度為1.1-1.4eV，兩種材料的禁帶寬度可以很好地互補(bǔ)，拓寬太陽(yáng)電池的吸收光譜。然而，由于難以找到一種合適的電極材料，既能實(shí)現(xiàn)硫化銻薄膜太陽(yáng)電池和晶硅太陽(yáng)電池的串聯(lián)，又能與兩個(gè)子電池在界面、電學(xué)和光學(xué)上實(shí)現(xiàn)兼容，因此目前雖然有硅/硫化銻異質(zhì)結(jié)單節(jié)電池的研究報(bào)道，但卻沒(méi)有硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池的相關(guān)研究報(bào)道出現(xiàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
針對(duì)現(xiàn)有的疊層太陽(yáng)能電池存在的缺陷，本發(fā)明的一個(gè)目的是在于提供了一種理論光電轉(zhuǎn)換效率高的硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池，該疊成太陽(yáng)能電池通過(guò)復(fù)合連接結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了硫化銻太陽(yáng)電池和硅太陽(yáng)電池兩個(gè)子電池的完美串聯(lián)。本發(fā)明的另一個(gè)目的是在于提供一種材耗少、成本低的制備所述硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池的方法，該方法可利用現(xiàn)有成熟工藝及設(shè)備進(jìn)生產(chǎn)，有利于生產(chǎn)技術(shù)的推廣應(yīng)用。為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明提供了一種硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池，該疊層電池包括晶硅底電池、硫化銻薄膜頂電池以及中間復(fù)合連接結(jié)構(gòu)層；所述復(fù)合連接結(jié)構(gòu)層由下至上包括二氧化硅鈍化層和高功函數(shù)過(guò)渡金屬氧化物層；所述二氧化硅鈍化層中包含金屬納米顆粒陣列。本發(fā)明的技術(shù)方案首次將硅晶太陽(yáng)電池和硫化銻薄膜太陽(yáng)電池首次成功串聯(lián)，利用硫化銻頂電池在短波段的光吸收和硅底電池在長(zhǎng)波段的光吸收，可以實(shí)現(xiàn)入射光能量的高效分配和利用，突破晶硅太陽(yáng)電池效率的理論極限(30％)。本發(fā)明的技術(shù)方案關(guān)鍵在于采用了一種特別適合硅晶底電極和硫化銻薄膜頂電極之間進(jìn)行連接的復(fù)合連接結(jié)構(gòu)，該復(fù)合結(jié)構(gòu)既能實(shí)現(xiàn)硅晶底電極和硫化銻薄膜頂電極之間的串聯(lián)，又能夠?qū)崿F(xiàn)光子的高效透過(guò)及電子的高效傳輸，能獲得高轉(zhuǎn)換率的疊層太陽(yáng)能電池。優(yōu)選的方案，晶硅底電池為以p型硅為基體、以n型硅為發(fā)射極的單晶硅或者多晶硅太陽(yáng)電池，并且不需要制絨、鈍化和金屬化步驟，制備工藝簡(jiǎn)單化。優(yōu)選的方案，晶硅底電池背表面包括背電場(chǎng)和背電極。優(yōu)選的方案，金屬納米顆粒陣列由Ag、Au或Pd納米顆粒構(gòu)成。金屬納米顆粒陣列是與硅太陽(yáng)電池的電學(xué)接觸點(diǎn)，用于收集硅電池產(chǎn)生的電流。優(yōu)選的方案，復(fù)合電極材料連接層包括透明導(dǎo)電氧化物TCO層，所述透明導(dǎo)電氧化物TCO層設(shè)置在二氧化硅鈍化層和高功函數(shù)過(guò)渡金屬氧化物層之間。采用透明導(dǎo)電氧化物TCO層的有點(diǎn)在于既能與金屬納米顆粒陣列一起充當(dāng)集流層，也可降低復(fù)合電極的電阻，促進(jìn)電流傳輸。優(yōu)選的方案，透明導(dǎo)電氧化物TCO層由ITO、ZAO或FTO構(gòu)成。優(yōu)選的方案，高功函數(shù)過(guò)渡族金屬氧化物由MoOx、V2Ox或WOx構(gòu)成。高功函數(shù)過(guò)渡金屬氧化物層用于硫化銻薄膜太陽(yáng)電池的背接觸。優(yōu)選的方案，硫化銻薄膜頂電池由下至上依次為硫化銻吸收層、緩沖層、窗口層和金屬頂電極。優(yōu)選的方案，緩沖層由硫化鎘、硫化鋅、硫化銦、氧化鋅錫或氧化錫鎂構(gòu)成。優(yōu)選的方案，窗口層為本征ZnO層或TCO層。優(yōu)選的方案，金屬頂電極由Al、Au、Ag或Ni/Al構(gòu)成。本發(fā)明還提供了一種制備所述的硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池的方法，包括以下步驟：1)在晶硅太陽(yáng)電池上表面通過(guò)真空法或非真空法制備金屬層，經(jīng)過(guò)熱退火處理，形成金屬納米顆粒陣列；2)在所述金屬納米顆粒陣列表面通過(guò)磁控濺射法沉積透明導(dǎo)電氧化物TCO層，經(jīng)過(guò)退火處理，在晶硅太陽(yáng)電池表面與透明導(dǎo)電氧化物TCO層之間通過(guò)界面反應(yīng)形成二氧化硅鈍化層；或者，將形成了金屬納米顆粒陣列的晶硅太陽(yáng)電池表面直接進(jìn)行退火處理，在所述晶硅太陽(yáng)電池表面形成二氧化硅鈍化層；3)在所述二氧化硅鈍化層或透明導(dǎo)電氧化物TCO層表面通過(guò)真空法或非真空法制備過(guò)渡金屬氧化物層；4)在所述過(guò)渡金屬氧化物層表面制備由硫化銻吸收層、緩沖層、窗口層及金屬頂電極構(gòu)成的硫化銻薄膜太陽(yáng)電池。優(yōu)選的方案，1)中的金屬層厚度為1nm～200nm。優(yōu)選的方案，1)退火處理溫度為100℃～1000℃，退火處理時(shí)間為1min～200min。優(yōu)選的方案，2)中的退火處理溫度為200℃～600℃，退火處理時(shí)間為1min～200min。優(yōu)選的方案，2)中的透明導(dǎo)電氧化物TCO層厚度為10nm～1μm。優(yōu)選的方案，3)中的過(guò)渡金屬氧化物層厚度為10nm～1μm。優(yōu)選的方案，真空法包括蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積等；非真空法包括噴霧熱分解、涂覆、電鍍等。優(yōu)選的方案，硫化銻薄膜太陽(yáng)電池的吸收層通過(guò)真空法(蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積等)或非真空法(噴霧熱分解、涂覆、電鍍等)制備得到。優(yōu)選的方案，緩沖層為金屬硫化物，可以選用硫化鎘、硫化鋅、硫化銦氧化鋅錫、氧化錫鎂中的任意一種；所述緩沖層通過(guò)化學(xué)水浴法或原子層沉積法制備。優(yōu)選的方案，窗口層為本征ZnO高阻窗口層，或者TCO低阻窗口層。所述窗口層通過(guò)磁控濺射法制備。優(yōu)選的方案，金屬頂電極可以選用Al、Au、Ag、Ni/Al等通過(guò)熱蒸發(fā)法制備而成。相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的技術(shù)方案帶來(lái)的有益技術(shù)效果：本發(fā)明的疊層太陽(yáng)能電池包括硅晶底電極和硫化銻薄膜頂電極，充分利用硫化銻頂電池在短波段的光吸收和硅底電池在長(zhǎng)波段的光吸收，可以實(shí)現(xiàn)入射光能量的高效分配和利用，突破晶硅太陽(yáng)電池效率的理論極限(30％)，轉(zhuǎn)換效率理論上可實(shí)現(xiàn)超過(guò)35％的效率，同時(shí)減少晶硅底電池的厚度，降低硅材料的消耗，節(jié)約資源。本發(fā)明的疊層太陽(yáng)能電池的制備工藝可以充分利用現(xiàn)有的成熟工藝和設(shè)備，無(wú)需更換和增加生產(chǎn)設(shè)備，減少產(chǎn)品的資金投入，有利于加快推廣硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池技術(shù)。附圖說(shuō)明【圖1】是本發(fā)明提供的一種硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)示意圖；其中，1為晶硅底電池，2為復(fù)合連接結(jié)構(gòu)層，3為硫化銻薄膜頂電池，4為背電場(chǎng)和背電極，5為SiO2鈍化層，6為金屬納米顆粒陣列，7為透明導(dǎo)電氧化物TCO層，8為高功函數(shù)過(guò)渡金屬氧化物層，9為硫化銻吸收層，10為緩沖層，11為窗口層和12為金屬頂電極?！緢D2】是實(shí)施例1中硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)示意圖?！緢D3】是實(shí)施例2中硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)示意圖。【圖4】是實(shí)施例3中硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)示意圖?！緢D5】是實(shí)施例4中硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)示意圖?！緢D6】是實(shí)施例5中硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)示意圖?！緢D7】是實(shí)施例6中硫化銻/硅疊層太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方案下面結(jié)合實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，但不得將這些實(shí)施例作為對(duì)本發(fā)明權(quán)利要求保護(hù)范圍的限制，凡在本發(fā)明的原則和思路之內(nèi)，所做的任何修改、替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。實(shí)施例1對(duì)未經(jīng)過(guò)制絨、鈍化和金屬化的晶硅電池上表面進(jìn)行常規(guī)清洗，用磁控濺射法在其表面制備Ag金屬層。以Ag為靶材，采用直流濺射，濺射功率為80w，氣壓為0.5Pa，基底溫度為常溫，靶材距基底距離10cm，濺射時(shí)間8min，形成厚度約100nm的Ag金屬層。對(duì)Ag金屬層進(jìn)行熱退火，在500℃氬氣氣氛中退火40min，形成金屬納米粒子陣列。在100℃空氣氛圍下退火10min，將晶硅電池上表面氧化形成SiO2層。用熱蒸發(fā)法在金屬納米粒子和SiO2復(fù)合層的表面制備MoOx層，以Mo金屬為蒸發(fā)源，蒸發(fā)源溫度為850℃，襯底溫度為400℃，在氧氣和氬氣混合的工作氣體氣氛下，蒸鍍30min，氧氣占工作氣體比例為30％，形成300nm的MoOx層。用反應(yīng)濺射法在復(fù)合連接結(jié)構(gòu)表面制備硫化銻預(yù)制層。對(duì)硫化銻預(yù)制層進(jìn)行硫化退火，獲得性能更好的硫化銻吸收層。用化學(xué)水浴法制備CdS緩沖層。用磁控濺射法在緩沖層上制備ZnO窗口層。用熱蒸發(fā)法在窗口層表面制備Ag柵線電極。采用本例中的電池結(jié)構(gòu)和工藝制備出的規(guī)格為40mm×40mm，節(jié)寬為5mm的疊層太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率為31.8％(開(kāi)路電壓Voc為1.88V,短路電流Jsc為20.4mA/cm2,填充因子FF為0.83)，所使用的硅太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為20.6％，硫化銻薄膜太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為12.9％。實(shí)施例2在未經(jīng)過(guò)制絨、鈍化和金屬化的晶硅電池上表面，用真空蒸鍍法制備Au金屬層。以Au為蒸發(fā)源，氣壓為0.001Pa，蒸發(fā)源溫度為800℃，蒸鍍時(shí)間40min，形成厚度約30nm的Au金屬層。對(duì)Au金屬層進(jìn)行熱退火，在850℃，0.001Pa氬氣氣氛中退火20min，形成Au納米粒子陣列。用磁控濺射法制備ITO層，基底溫度常溫，濺射功率60w，氣壓0.4Pa，濺射時(shí)間10min，形成厚度約300nm的ITO層。對(duì)ITO層熱退火，使其與硅電池表面發(fā)生界面反應(yīng)生成SiO2層，退火溫度300℃，退火時(shí)間100min。用熱蒸發(fā)法在ITO層的表面制備WOx層，以鎢金屬為蒸發(fā)源，蒸發(fā)源溫度為1150℃，襯底溫度為600℃，在氧氣和氬氣混合的工作氣體氣氛下，蒸鍍50min，氧氣占工作氣體比例為5％，形成800nm的WOx層。用反應(yīng)濺射法在復(fù)合連接結(jié)構(gòu)表面制備硫化銻預(yù)制層。對(duì)硫化銻預(yù)制層進(jìn)行硫化退火，獲得性能更好的硫化銻吸收層。用化學(xué)水浴法制備ZnS緩沖層。用磁控濺射法在緩沖層上制備ZAO窗口層。用熱蒸發(fā)法在窗口層表面制備Al柵線電極。采用本例中的電池結(jié)構(gòu)和工藝制備出的規(guī)格為40mm×40mm，節(jié)寬為5mm的疊層太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率為31.1％(開(kāi)路電壓Voc為1.84V,短路電流Jsc為20.9mA/cm2,填充因子FF為0.81)，所使用的硅太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為19.9％，硫化銻薄膜太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為12.2％。實(shí)施例3在未經(jīng)過(guò)制絨、鈍化和金屬化的晶硅電池上表面，用磁控濺射法制備Pd金屬層。以Pd為靶材，采用直流濺射，濺射功率為60w，氣壓為1.5Pa，基底溫度為常溫，靶材距基底距離10cm，濺射時(shí)間15min，形成厚度約150nm的Pt金屬層。對(duì)Pd金屬層進(jìn)行熱退火，在300℃，5×10-4Pa氬氣氣氛中退火80min，形成Pd納米粒子陣列。用磁控濺射法制備FTO層。基底溫度為室溫，濺射功率80w，氣壓1Pa，濺射時(shí)間15min，形成厚度800nm的FTO層。對(duì)FTO層熱退火，使其與硅電池表面發(fā)生界面反應(yīng)生成SiO2層，退火溫度500℃，退火時(shí)間30min。用熱蒸發(fā)法在FTO層的表面制備VOx層，以釩金屬為蒸發(fā)源，蒸發(fā)源溫度為700℃，襯底溫度為300℃，在氧氣和氬氣混合的工作氣體氣氛下，蒸鍍100min，氧氣占工作氣體比例為1％，形成500nm的VOx層。用反應(yīng)濺射法在復(fù)合連接結(jié)構(gòu)表面制備硫化銻預(yù)制層。在硫化銻預(yù)制層表面通過(guò)快速熱蒸發(fā)，蒸發(fā)一層厚度約為100nm的硫，然后進(jìn)行退火，獲得性能更好的硫化銻吸收層。用化學(xué)水浴法制備CdS緩沖層。用磁控濺射法在緩沖層上制備ZAO窗口層。用熱蒸發(fā)法在窗口層表面制備Ag柵線電極。采用本例中的電池結(jié)構(gòu)和工藝制備出的規(guī)格為40mm×40mm，節(jié)寬為5mm的疊層太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率為30.9％(開(kāi)路電壓Voc為1.88V,短路電流Jsc為20.3mA/cm2,填充因子FF為0.81)，所使用的硅太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為19.3％，硫化銻薄膜太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為13.2％。實(shí)施例4對(duì)未經(jīng)過(guò)制絨、鈍化和金屬化的晶硅電池上表面進(jìn)行常規(guī)清洗，用磁控濺射法在其表面制備Pd金屬層。以Pd為靶材，采用直流濺射，濺射功率為80w，氣壓為1.5Pa，基底溫度為常溫，靶材距基底距離10cm，濺射時(shí)間8min，形成厚度約100nm的Pd金屬層。對(duì)Pd金屬層進(jìn)行熱退火，在450℃，1×10-3Pa氬氣氣氛中退火50min，形成Pd納米粒子陣列。在100℃空氣氛圍下退火10min，將晶硅電池上表面氧化形成SiO2層。用熱蒸發(fā)法在金屬納米粒子和SiO2復(fù)合層的表面制備MoOx層，以Mo金屬為蒸發(fā)源，蒸發(fā)源溫度為800℃，襯底溫度為300℃，在氧氣和氬氣混合的工作氣體氣氛下，蒸鍍60min，氧氣占工作氣體比例為5％，形成500nm的MoOx層。用反應(yīng)濺射法在復(fù)合連接結(jié)構(gòu)表面制備硫化銻預(yù)制層。在硫化銻預(yù)制層表面通過(guò)快速熱蒸發(fā)，蒸發(fā)一層厚度約為100nm的硫，然后進(jìn)行退火，獲得性能更好的硫化銻吸收層。用化學(xué)水浴法制備InS緩沖層。用磁控濺射法在緩沖層上制備FTO窗口層。用熱蒸發(fā)法在窗口層表面制備Au柵線電極。采用本例中的電池結(jié)構(gòu)和工藝制備出的規(guī)格為40mm×40mm，節(jié)寬為5mm的疊層太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率為30.7％(開(kāi)路電壓Voc為1.87V,短路電流Jsc為20.8mA/cm2,填充因子FF為0.79)，所使用的硅太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為19.8％，硫化銻薄膜太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為12.3％。實(shí)施例5在未經(jīng)過(guò)制絨、鈍化和金屬化的晶硅電池上表面，用磁控濺射法制備Au金屬層。以Au為靶材，采用直流濺射，濺射功率為100w，氣壓為2Pa，基底溫度為常溫，靶材距基底距離15cm，濺射時(shí)間20min，形成厚度約150nm的Au金屬層。對(duì)Au金屬層進(jìn)行熱退火，在300℃，5×10-4Pa氬氣氣氛中退火40min，形成Au納米粒子陣列。用磁控濺射法制備ZAO層?；诇囟葹槭覝兀瑸R射功率100w，氣壓1.5Pa，濺射時(shí)間15min，形成厚度500nm的ZAO層。對(duì)ZAO層熱退火，使其與硅電池表面發(fā)生界面反應(yīng)生成SiO2層，退火溫度500℃，退火時(shí)間30min。用熱蒸發(fā)法在金屬納米粒子和SiO2復(fù)合層的表面制備WOx層，以鎢金屬為蒸發(fā)源，蒸發(fā)源溫度為1200℃，襯底溫度為600℃，在氧氣和氬氣混合的工作氣體氣氛下，蒸鍍40min，氧氣占工作氣體比例為30％，形成500nm的WOx層。用反應(yīng)濺射法在復(fù)合連接結(jié)構(gòu)表面制備硫化銻預(yù)制層。對(duì)硫化銻預(yù)制層進(jìn)行硫化退火，獲得性能更好的硫化銻吸收層。用化學(xué)水浴法制備CdS緩沖層。用磁控濺射法在緩沖層上制備氧化鋅錫窗口層。用熱蒸發(fā)法在窗口層表面制備Ni/Al柵線電極。采用本例中的電池結(jié)構(gòu)和工藝制備出的規(guī)格為40mm×40mm，節(jié)寬為5mm的疊層太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率為30.3％(開(kāi)路電壓Voc為1.85V,短路電流Jsc為20.5mA/cm2,填充因子FF為0.8)，而所使用的硅太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為19.2％，硫化銻薄膜太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為12.9％。實(shí)施例6在未經(jīng)過(guò)制絨、鈍化和金屬化的晶硅電池上表面，用真空蒸鍍法制備Ag金屬層。以Ag為蒸發(fā)源，氣壓為0.001Pa，蒸發(fā)源溫度為800℃，蒸鍍時(shí)間40min，形成厚度約30nm的Ag金屬層。對(duì)Ag金屬層進(jìn)行熱退火，在850℃，0.001Pa氬氣氣氛中退火20min，形成Ag納米粒子陣列。用磁控濺射法制備FTO層。基底溫度為室溫，濺射功率80w，氣壓1Pa，濺射時(shí)間15min，形成厚度800nm的FTO層。對(duì)FTO層熱退火，使其與硅電池表面發(fā)生界面反應(yīng)生成SiO2層，退火溫度500℃，退火時(shí)間30min。用熱蒸發(fā)法在FTO層的表面制備VOx層，以釩金屬為蒸發(fā)源，蒸發(fā)源溫度為700℃，襯底溫度為300℃，在氧氣和氬氣混合的工作氣體氣氛下，蒸鍍100min，氧氣占工作氣體比例為1％，形成500nm的VOx層。用反應(yīng)濺射法在復(fù)合連接結(jié)構(gòu)表面制備硫化銻預(yù)制層。對(duì)硫化銻預(yù)制層進(jìn)行硫化退火，獲得性能更好的硫化銻吸收層。用化學(xué)水浴法制備ZnS緩沖層。用磁控濺射法在緩沖層上制備ZnO窗口層。用熱蒸發(fā)法在窗口層表面制備Au柵線電極。采用本例中的電池結(jié)構(gòu)和工藝制備出的規(guī)格為40mm×40mm，節(jié)寬為5mm的疊層太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率為30.9％(開(kāi)路電壓Voc為1.92V,短路電流Jsc為20.4mA/cm2,填充因子FF為0.79)，而所使用的硅太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為20.3％，硫化銻薄膜太陽(yáng)電池單節(jié)光電轉(zhuǎn)換效率為12.1％。