本發明涉及碘領域，具體是一種平行流超音速氧碘混合噴管。

背景技術：

現有技術中，用于現代科學領域如半導體、碘硫化銻(SbSI)這類化合物晶體作為具有潛在應用前景的一類材料，其合成路線的探索及控制生長越來越受到人們的關注。到目前為止，研究者們已經利用化學氣相沉積法(CVD)，超聲化學法和高溫水熱方法制備出SbSI等晶體。如用CVD方法可通過單質反應源在溫度超過600℃的條件下生長出碘硫化銻(SbSI)晶體。

發明專利內容

本發明專利提供一種平行流超音速氧碘混合噴管，亞音速混合段(1)和超音速膨脹段(2)由一長條狀結構構成，于長條狀結構內部、沿其長邊方向設有長方形孔，其為注碘腔(3)；

沿長條狀結構的厚度方向的截面由上、下二部份構成，截面下部為長方形、且長方形的下部寬邊為弧形邊，截面上部為三角形、三角形的底邊長度大于長方形的上部寬邊長度，三角形的底邊兩端與長方形的上部寬邊兩端采用弧線過渡連接，即沿長條狀結構的厚度方向的截面由上部水滴狀結構和下部的長方形結構連接而成；長方形結構一側為亞音速混合段(1)，水滴狀結構一側為超音速膨脹段(2)；于亞音速混合段(1)上設有噴碘孔(4)，噴碘孔(4)與長條狀結構內部的長方形孔相連通；

附圖說明

圖1為非金屬噴管元件結構示意圖

具體實施方式

本發明一種平行流超音速氧碘混合噴管，亞音速混合段(1)和超音速膨脹段(2)由一長條狀結構構成，于長條狀結構內部、沿其長邊方向設有長方形孔，其為注碘腔(3)；

沿長條狀結構的厚度方向的截面由上、下二部份構成，截面下部為長方形、且長方形的下部寬邊為弧形邊，截面上部為三角形、三角形的底邊長度大于長方形的上部寬邊長度，三角形的底邊兩端與長方形的上部寬邊兩端采用弧線過渡連接，即沿長條狀結構的厚度方向的截面由上部水滴狀結構和下部的長方形結構連接而成；長方形結構一側為亞音速混合段(1)，水滴狀結構一側為超音速膨脹段(2)；于亞音速混合段(1)上設有噴碘孔(4)，噴碘孔(4)與長條狀結構內部的長方形孔相連通；

顯然，本發明的上述實施例僅僅是為清楚地說明本發明所作的舉例，而并非是對本發明的實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明權利要求的保護范圍之內。