1.一種釹鐵硼磁體晶界擴散的方法，其特征是，具體操作步驟如下：
(1)用釹鐵硼粉末冶金工藝制備主相合金粉末；
(2)采用稀土合金粉末冶金工藝制備低熔點稀土合金的晶界粉末；
(3)將主相合金粉末與低熔點稀土合金的晶界粉末按照比例混合均勻；
(4)在磁場中取向成型，制得毛坯釹鐵硼磁體，在1000～1100℃條件下燒結3～5小時，制備得到燒結釹鐵硼磁體；
(5)在磁體表層通過電泳的方法涂覆一層低熔點稀土合金；
(6)將磁體放入真空燒結爐中進行二級回火熱處理。
2.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼磁體晶界擴散的方法，其特征是，在步驟(1)中，所述的釹鐵硼粉末冶金工藝為：采用速凝工藝制得主相合金，然后通過氫破、氣流磨工藝制備主相合金粉末。
3.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼磁體晶界擴散的方法，其特征是，在步驟(2)中，所述的稀土合金粉末冶金工藝為：采用速凝工藝制得低熔點稀土合金，然后通過氫破、高能球磨工藝制備低熔點稀土合金的晶界粉末。
4.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼磁體晶界擴散的方法，其特征是，在步驟(2)、步驟(3)和步驟(5)中，所述低熔點稀土合金的成分配比為ReXn，其中Re為Pr、Nd、Dy和Tb元素中的一種或幾種，Xn為Al、Cu和Ga元素中的一種或幾種。
5.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼磁體晶界擴散的方法，其特征是，在步驟(3)中，低熔點稀土合金的晶界粉末占主相合金粉末的比例為1～3wt％。
6.根據權利要求1所述的一種釹鐵硼磁體晶界擴散的方法，其特征是，在步驟(6)中，二級回火的具體工藝如下：采用700～900℃保溫1～6h后，再采用400～600℃保溫1～6h。