相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年3月21日提交的申請號為10-2016-0033473的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

本發明的各種實施例總體而言涉及半導體技術，更具體地，涉及形成精細圖案的方法。

背景技術：

隨著半導體產業的快速增長,很多努力集中于將更多的圖案集成在半導體襯底的有限區域中。即，增加半導體器件的集成密度的嘗試已經典型地集中于形成更精細的圖案。針對形成具有納米級臨界尺寸(cd)的精細圖案，例如從大約幾納米至大約幾十納米的尺寸，已經提出了各種技術。

在僅使用光刻工藝來形成半導體器件的精細圖案的情況下，由于在光刻工藝中所使用的光刻裝置的圖像分辨率極限，而在形成精細圖案時會存在一些限制。光刻裝置的圖像分辨率極限可能是歸因于光刻裝置中使用的光源所產生的光的波長，以及歸因于光刻裝置中所使用的現有的光學系統的分辨率極限。近來，已經提出了雙圖案化技術(dpt)或者間隔件圖案化技術(spt)，以克服光刻裝置的分辨率極限并且實現甚至更精細的圖案。

技術實現要素：

根據一個實施例，提供了一種形成精細圖案的方法。所述方法包括：在底層之上形成以行和列排列的柱體，并且在底層之上形成間隔件層以覆蓋柱體。分別覆蓋排列在每個行或者每個列中的柱體的間隔件層的部分彼此接觸，以提供設置在沿著行方向和列方向之間的對角線方向排列的柱體之間的第一間隙空間，并且在平面圖中第一間隙空間的每個的拐角處設置裂隙。愈合層形成在間隔件層上,以填充第一間隙空間的裂隙。愈合層形成為提供分別位于第一間隙空間中的第二間隙空間，并且包括聚合物材料。

根據另一個實施例，提供了一種形成精細圖案的方法。所述方法包括：在底層之上形成以行和列排列的柱體，并且在底層之上形成間隔件以覆蓋柱體。間隔件層形成為提供設置在沿著行方向與列方向之間的對角線方向排列的柱體之間的第一間隙空間。愈合層形成在間隔件層的側壁上，以平滑在平面圖中的間隔件層的側壁的表面輪廓。愈合層形成為包括聚合物材料。

根據又一個實施例，提供了一種形成精細圖案的方法。所述方法包括在底層之上形成圖案結構。所述圖案結構形成為提供在它們之間的第一間隙空間，并且形成為包括具有裂隙的側壁。愈合層形成在所述圖案結構的側壁之上，以填充裂隙并且提供分別位于第一間隙空間中的第二間隙空間。愈合層形成為包括聚合物材料。

附圖說明

結合附圖和所附具體描述，本發明的各種實施例將變得更加顯然，其中：

圖1至圖16圖示了根據本發明的一個實施例的形成精細圖案的方法；

圖17為根據本發明的一個實施例的、組成使用于形成精細圖案的方法中的愈合層的聚合物鏈的示意圖；

圖18圖示了根據本發明的一個實施例的、使用于形成精細圖案的方法中的間隔件層的表面官能團；

圖19為根據本發明的一個實施例的、接枝至使用于形成精細圖案的方法中的圖案結構上的聚合物鏈的示意圖；

圖20圖示了根據本發明的一個實施例的、形成使用于形成精細圖案的方法中的接枝層的步驟；

圖21圖示了根據本發明的一個實施例的、形成使用于形成精細圖案的方法中的愈合層的步驟；

圖22圖示了根據本發明的一個實施例的、使用于形成精細圖案的方法中的聚合物鏈的纏結移動；

圖23圖示了根據本發明的一個實施例的、去除在形成精細圖案的方法中未纏結的聚合物鏈的步驟。

具體實施方式

將參照附圖更具體地描述示例性實施例。然而，本發明可以采用不同的方式來實施，而不應解釋為限制于本文所列的實施例。更確切地，這些實施例被提供為示例，以使得本發明將充分和完整，并且將本發明的各個方面和特征充分地傳達給本領域的技術人員。

附圖并非一定按比例繪制，并且在一些情況下，可以夸大比例以更清楚地圖示實施例的各種元件。例如，在附圖中，為了便于圖示，元件的尺寸和元件之間的間隔與實際尺寸和間隔相比可以進行夸大處理。

本文使用的術語僅是出于描述特定實施例的目的，并非旨在對本發明進行限制。如果術語被詳細定義，則可以根據所述定義來解釋術語。除非另有限定，否則本文中所使用的術語具有如結合本發明的實施例所屬的領域的普通技術人員所通常理解的含義。

將理解的是，盡管術語第一、第二、第三等在本文中可以用于描述各種元件，但是這些元件不應當受限于這些術語。這些術語僅用于將一個元件與另一個元件區分開。因而，在不脫離本發明構思的教導的情況下，在一些實施例中的第一元件可以在其它的實施例中被稱為第二元件。

還將理解的是，當元件或層涉及在另一個元件或層“上”、“之上”、“下面”、“之下”或者“外部”時，該元件或層可以直接接觸其它的元件或層，或者可以存在中間元件或層。用于描述元件或者層之間的關系的其它詞語應當采用相似的方式來解釋，例如，“在…之間”與“直接在…之間”，或者“與…相鄰”與“直接與…相鄰”。在以下描述中，陳列了若干特定的細節，以提供對本發明的全面理解。在不具有這些具體細節中的一些或全部的情況下，也可以實踐本發明。在其它的情況下，為了不至于不必要地模糊本發明，未具體地描述已知的工藝結構和/或工藝。

還應當注意的是，在一些情況下，如本領域的技術人員顯而易見的是，結合一個實施例所描述的特征或元件可以單獨地使用，或者與另一個實施例的其它特征或元件結合使用，除非另外具體地說明。

可以應用以下實施例以實現集成電路，所述集成電路例如，動態隨機存取存儲(dram)器件、相變隨機存取存儲(pcram)器件或者電阻式隨機存取存儲(reram)器件。此外，可以應用以下實施例以實現存儲器件，所述存儲器件例如：靜態隨機存取存儲(sram)器件、快閃存儲器件、磁性隨機存取存儲(mram)器件或者鐵電隨機存取存儲(feram)器件。此外，可以應用以下實施例以實現使用集成邏輯電路的邏輯器件。

在說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。盡管參照附圖未提及或描述一個附圖標記，但是參照另一個附圖可能提及或描述了該附圖標記。另外，即使一個附圖標記在一個附圖中未被示出，但是參照另一個附圖可能進行了提及或者描述。

圖1和圖2圖示了形成柱體200的陣列。圖2為沿著圖1的平面圖的線a-a’截取的截面圖。

如圖1和圖2所示，柱體200的陣列可以形成在底層130上。每個柱體200可以具有分割圖案，并且間隔件可以在后續工藝中形成在柱體200的側壁上。具有分割圖案形狀的柱體200可以使用光刻工藝來形成。在一些實施例中，可以形成線/空間圖案，而不是柱體200。線/空間圖案可以包括多個線圖案，多個線圖案沿著一個方向反復地排列，以在它們之間提供空間，并且多個線圖案可以沿著與所述一個方向大體上垂直的另一個方向延伸。可替選地，可以形成設置了多個孔的圖案，而不是形成柱體200。可能需要均勻地且反復地排列的多個孔形狀的圖案，以形成隔離結構或者dram器件的多個位線接觸部，或者以形成阻變存儲器件(例如相變存儲(pcm)器件)的電極。在這種情況下，柱體200可以用作主圖案，主圖案對應于用于形成多個孔形狀圖案中的一些的初步圖案。

在平面圖中，每個柱體200可以具有圓形狀。在一些實施例中，每個柱體200可以具有橫向拉長的橢圓形狀。如圖1中所示，柱體200可以被排列成使得四個相鄰的柱體200分別位于四角形的四個頂點處。四角形可以為圖1中的正方形，或者可以為其它的一些四角形。例如，在另一個實施例中，其可以為矩形。在一些實施例中，柱體200可以被排列成使得六個相鄰的柱體200分別位于六角形的六個頂點處。在一些實施例中，柱體200可以被排列成使得三個相鄰的柱體200分別位于三角形的三個頂點處。柱體200可以沿著大體上垂直于底層130的表面的方向延伸。

底層130可以形成在襯底110上，并且可以由與柱體200不同的材料形成。如果柱體200形成為包括第一材料，則底層130可以包括不同于第一材料的第二材料。圖案化目標層120可以形成在底層130與襯底110之間。圖案化目標層120可以對應于最后被圖案化的層。襯底110可以包括其上集成了電子電路的半導體層。襯底110可以為硅襯底或者硅晶片。

底層130可以為能夠使用硬掩模或者刻蝕掩模來圖案化的層。圖案化目標層120可以為層間電介質(ild)層或者金屬間電介質(imd)層。圖案化目標層120可以為導電層，例如用于形成互連的金屬層。圖案化目標層120可以為用于鑲嵌工藝的樣板層或者模板層。圖案化目標層120或者底層130可以具有包括多個不同材料的多層結構。圖案化目標層120可以為半導體襯底或者半導體層。圖案化目標層120可以由包括氧化硅層的電介質層形成，例如，具有大約2200埃厚度的正硅酸乙酯(teos)層。底層130可以包括具有大約730埃至大約1000埃厚度的非晶旋涂碳(soc)層。底層130還可以包括層疊在soc層上的氮氧化硅(sion)層。在這種情況下，sion層可以具有大約300埃至大約350埃的厚度。

用于形成柱體200的柱體層可以形成在底層130上。在一個實施例中，柱體層可以由非晶碳層(例如具有大約700埃至大約800埃厚度的soc層)形成。柱體層還可以包括層疊在非晶碳層上的氮氧化硅(sion)層。

可以使用光刻工藝來圖案化柱體層，以形成柱體200的陣列。具體地，可以在柱體層上形成光致抗蝕劑層(未示出)，可以使用光掩模(未示出)而選擇性地使光致抗蝕劑層的部分曝光，并且暴露出的光致抗蝕劑層可以被顯影，以形成光致抗蝕劑圖案(未示出)。在形成光致抗蝕劑層之前，可以在柱體層上額外地形成抗反射涂覆(arc)層，以在曝光步驟期間抑制不規則的反射現象，使得光致抗蝕劑層的部分被選擇性地曝光。在柱體層被圖案化時，光致抗蝕劑圖案可以用作刻蝕掩模。即，可以使用光致抗蝕劑圖案作為刻蝕掩模來刻蝕柱體層，以形成柱體200的陣列，并且可以在形成柱體200的陣列之后去除光致抗蝕劑圖案。在這種情況下，可以僅使用單個光刻步驟而不是需要多個光刻步驟的雙圖案化工藝來形成用作刻蝕掩模的光致抗蝕劑圖案。

盡管結合通過使用光刻工藝和刻蝕工藝來圖案化柱體層而形成柱體200的示例描述了本實施例，但是本發明不限制于此。例如，在一些實施例中，柱體200可以通過如下步驟來形成：在底層130上形成具有多個孔的樣板，形成分別填充多個孔的柱體200以及去除樣板。

圖3和圖4圖示了形成間隔件層300的步驟。圖4為沿著圖3的平面圖的線a-a’截取的截面圖。

如圖3和圖4所示，間隔件層300可以覆蓋柱體200的側壁。間隔件層300可以包括不同于柱體200的第三材料。例如，間隔件層300可以包括氧化硅材料，多晶硅材料和/或氮化硅材料。間隔件層300可以通過沉積相對于柱體200和底層130具有刻蝕選擇性的電介質材料來形成。例如，間隔件層300可以通過沉積超低溫氧化物(ulto)材料來形成。

間隔件層300還可以覆蓋柱體200的上表面。另外，間隔件層300可以延伸至底層130的上表面上。間隔件層300可以沉積在柱體200的側壁上，使得包圍柱體200的側壁的間隔件層300的部分在排列在每個行內的相鄰柱體200之間的區域處和在排列在每個列內的相鄰柱體200之間的區域處彼此接觸。因而，在從平面觀察時間隔件層300可以具有網格形狀。

當在平面圖中間隔件層300形成為具有網格形狀時，對應于第一開口的第一間隙空間310可以設置在沿對角線方向排列的相鄰柱體200之間的區域處。間隔件層300可以用作引導層，引導層提供了位于柱體200之間的第一間隙空間310。第一間隙空間310可以對應于被間隔件層300包圍的空間。每個第一間隙空間310可以位于被四個相鄰柱體200包圍的區域的中心部分處。間隔件層300可以具有提供第一間隙空間310(其上部為打開的)的網格形狀。

如果每個第一間隙空間310位于被四個相鄰柱體200包圍的區域的中心部分處，則第一間隙空間310至包圍第一間隙空間310的四個相鄰柱體200的距離可以大體上彼此相等。由于第一間隙空間310通過沉積在柱體200上的間隔件層300來限定和設置，所以每個第一間隙空間310可以具有與在平面圖中的柱體200的圓形狀不同的平面形狀。例如，每個第一間隙空間310可以具有包括四個頂點的四角形形狀，每個頂點通過角狀的裂隙310c來限定，正如在圖3的平面圖所示。第一間隙空間310的裂隙310c中的每個可以在一個位置處具有裂紋形狀的特征，在該位置處，間隔件層300的部分在兩個相鄰的柱體200的側壁上沿著水平方向生長以彼此接觸。因此，每個第一間隙空間310可以通過間隔件層300的四個部分來限定和設置，其中，間隔件層300的四個部分沉積在四個相鄰柱體200上以彼此接觸。第一間隙空間310的裂隙310c可以在一個位置處垂直地延伸，在該位置處，間隔件層300的部分在兩個相鄰的柱體200的側壁上生長以彼此接觸。每個第一間隙空間310可以被間隔件層300的四個部分所包圍，間隔件層300的四個部分沉積在四個相鄰的柱體200的側壁上。由于每個第一間隙空間310的平面形狀不用于每個柱體200的平面形狀，所以可能需要補償或者修改第一間隙空間310的平面形狀，使得每個第一間隙空間310具有類似于柱體200的圓形平面形狀的平面形狀。

圖5和圖6圖示了形成愈合層400，而圖6為沿著圖5的平面圖的線a-a’截取的截面圖。

如圖5和圖6所示，愈合層400可以形成在間隔件層300上，以填充裂隙310c，并且將對應于第二開口的第二間隙空間311設置在第一間隙空間310中。可以首先形成愈合層400，以填充裂隙310c。因而，每個第二間隙空間311可以具有圓形狀。即，愈合層400可以提供具有圓形平面形狀的第二間隙空間311。

愈合層400可以包括圖17中所示的聚合物鏈400p，并且可以使用旋涂工藝而在間隔件層300上形成包括聚合物鏈400p的愈合層400。圖17為根據一個實施例的、組成在形成精細圖案的方法中使用的愈合層400的聚合物鏈400p的示意圖。聚合物鏈400p可以包括：鏈本體410，其包括碳鏈；主管能團(rh)420,其與鏈本體410的一個端部結合；以及末端基團(x)430，其與鏈本體410的另一個端部結合。如圖18所示，主官能團(rh)420可以包括氫氧基(oh-)團，氫氧基(oh-)團能夠與表面官能團301n反應，表面官能團301n存在于包括間隔件層(圖5中的300)的圖案結構300p的表面300s上。例如，主官能團(rh)420可以包括氫氧基(oh-)團，氫氧基(oh-)團能夠與氫基(h+)團反應，氫基(h+)團與氧化硅層的表面的懸空鍵(或者斷裂鍵)鍵合。如圖19所示，聚合物鏈400p的主官能團(rh)420可以與圖案結構300p的表面300s的表面官能團301n反應，以引起接枝反應，所述接枝反應將聚合物鏈400p與圖案結構300p的表面300s結合。圖19圖示了聚合物鏈400p的接枝反應。例如，吸附在包括氧化硅材料的圖案結構300p的表面300s的氫基(h+)團可以與對應于主管能團(rh)420的氫氧基(oh-)團反應，以提供將聚合物鏈400p與氧化硅材料結合的共價鍵。作為聚合物鏈400p的接枝反應的結果，水(h2o)可以作為副產品而產生。

能夠通過共價鍵接枝在氧化硅材料上的聚合物鏈400p的主官能團(rh)420可以包括：硅烷基團、鄰位取代基團、胺基團、炔基團、烷烴基團、兒茶酚基團、羧酸鹽基團、膦酸鹽基團等。末端基團(x)430可以為非活性基團，它們不參與聚合物鏈400p的接枝反應。由于僅主官能團(rh)420參與聚合物鏈400p的接枝反應，所以接枝的聚合物鏈400g可以排列成大體上彼此平行，并且大體上垂直于圖案結構300p的表面300s，正如圖20所示。圖20圖示了形成接枝層400l的步驟。接枝層400l可以組成愈合層(圖5中的400)的一部分。接枝的聚合物鏈400g可以與間隔件層(圖5的300)或者圖案結構300p結合，以大體上垂直于間隔件層300的表面或者圖案表面300p的表面300s。

聚合物鏈(圖17的400p)可以分散在溶劑中，以提供溶液，并且溶液可以涂覆在間隔件層(圖6的300)上。溶劑可以為有機溶劑。可以在包含聚合物鏈400p的溶液涂覆在間隔件層300上之前將表面處理工藝應用于間隔件層300的表面。可以使用熱退火工藝來執行表面處理工藝，以去除間隔件層300的表面上的濕氣。也可以通過熱退火工藝來改善間隔件層300的表面粗糙度。例如，可以使用低氧氣體作為環境氣體來執行熱退火工藝。在一些實施例中，可以在真空中執行或者使用惰性氣體作為環境氣體來執行熱退火工藝。熱退火工藝可以在大約100攝氏度至大約400攝氏度的溫度下執行。在一個實施例中，可以使用等離子體工藝來執行表面處理工藝。例如，可以將氧等離子體供應至間隔件層300的表面，以改善聚合物鏈400p的接枝反應的效率。

在包含聚合物鏈400p的溶液涂覆在間隔件層300上之后，焙烤工藝可以應用至包含聚合物鏈400p的溶液。可以執行焙烤工藝，以將聚合物鏈400p接枝在圖案結構300p的表面300s上，或者間隔件層300的表面上。作為焙烤工藝的結果，包含聚合物鏈400p的接枝層400l可以形成在圖案結構300p上或者間隔件層300上。焙烤工藝可以在大約140攝氏度至大約250攝氏度的溫度下執行，以產生用于接枝反應的共價鍵。

當聚合物鏈400p接枝在圖案結構300p的表面300s上，以在焙烤工藝期間形成接枝層400l時，聚合物鏈400p中的一些可以不與圖案結構300p的表面300s反應，以充當浮置在接枝層400l中的未接枝的聚合物鏈400u。未接枝的聚合物鏈400u可以被分成大致以兩種不同方式起反應的兩個基團。未接枝的聚合物鏈400u的反應可以根據未接枝的聚合物鏈400u的位置而不同。

圖21為圖示了圖5中所示的愈合層400的一部分的放大圖。參見圖5和圖21，如果接枝層400l形成在間隔件層300上，則與位于遠離裂隙310c的第一間隙空間310的第二部分310a相比，相鄰于裂隙310c的第一間隙空間310的第一部分310b可能相對窄。即，與相鄰于裂隙310c的第一間隙空間310的第一部分310b相比，第一間隙空間310的第二部分310a可能相對寬。

在具有相對窄的寬度的第一間隙空間310的第一部分310b中，未接枝的聚合物鏈400u可以通過纏結移動而與接枝的聚合物鏈400g纏結，以產生纏結的聚合物鏈400e，正如圖21所示。圖22圖示了聚合物鏈400p的纏結移動。如圖21和圖22所示，纏結的聚合物鏈400e可以具有與接枝的聚合物鏈400g纏結的混雜狀態，并且可以固定在第一間隙空間310的第一部分310b中。纏結的聚合物鏈400e可以組成纏結層400el，并且纏結層400el可以大體上填充第一間隙空間310的裂隙310c。

在具有相對寬的寬度的第一間隙空間310的第二部分310a中，未接枝的聚合物鏈400u可以自由地移動，以充當未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu。未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu可以具有比纏結的聚合物鏈400e的密度低的密度。即，固定在第一間隙空間310的第一部分310b中的纏結的聚合物鏈400e可以具有比未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu的密度高的密度。纏結的聚合物鏈400e與未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu之間的密度差可以引起纏結的聚合物鏈400e的溶解度與未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu的溶解度之間的差。纏結的聚合物鏈400e與接枝的聚合物鏈400g纏結，以具有相對高的密度。未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu不彼此纏結，并且與纏結的聚合物鏈400e相比，在某一溶劑中會呈現出相對高的溶解度。

如圖21和圖22所示，接枝的聚合物鏈400g可以形成接枝層400l，而纏結的聚合物鏈400e可以形成纏結層400el。在接枝層400l和纏結層400el形成之后，可以通過利用未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu與纏結的聚合物鏈400e之間的溶解度差來選擇性地去除未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu，正如圖23所示。由于與纏結的聚合物鏈400e相比，未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu在有機溶劑中會呈現出相對高的溶解度，所以可以使用有機溶劑來選擇性地去除未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu，以形成提供了與第一間隙空間310中的第二開口相對應的第二間隙空間311的愈合層400。在一個實施例中，可以使用有機溶劑來選擇性地去除未纏結/未接枝的聚合物鏈400eu，例如，乙酸正丁酯(nba)、丙二醇甲醚醋酸酯(pgmea)、甲基甲氧基丙酸酯(mmp)稀釋劑或者pgmea和丙二醇單甲醚(pgme)的混合物。

如圖5和圖23所示，由于愈合層400可以填充第一間隙空間310的裂隙310c，所以每個第二間隙空間311可以設置成具有與每個柱體200大體上相同的平面形狀。即，第二間隙空間311由于愈合層400(形成為填充第一間隙空間310的裂隙310c)而可以設置成在平面圖中具有圓形狀。

愈合層400可以修改間隔件層300的側壁輪廓。愈合層400可以填充第一間隙空間310的裂隙310c，以平滑間隔件層300的側壁輪廓，或者減輕間隔件層300的表面粗糙度。即，即使間隔件層300具有粗糙的側壁，愈合層400也可以減輕間隔件層300的側壁的粗糙度。

圖7至圖10圖示了使用愈合層400在間隔件層300中形成第三間隙空間501。圖8為沿著圖7所示的平面圖的線a-a’截取的截面圖，而圖10為沿著圖9所示的平面圖的線a-a’截取的截面圖。

如圖7和圖8所示，可以各向異性地刻蝕愈合層400，以形成位于間隔件層300的側壁上的愈合圖案400a。在形成愈合圖案400a之后，可以暴露出覆蓋柱體200的上表面的間隔件層300的第一部分300t，并且也暴露出覆蓋底層130的上表面的間隔件300的第二部分300l。由于愈合圖案400a形成為覆蓋間隔件層300的側壁，所以愈合圖案400a可以對應于形成在間隔件層300上的額外的間隔件。

如圖9和圖10所示，可以使用愈合圖案400a作為刻蝕掩模來各向異性地刻蝕間隔件層300的第一部分300t和第二部分300l，以暴露出柱體200的上表面200t和底層130的上表面130sa的部分。在這種情況下，間隔件層300的其余部分的上表面300m可以與柱體200的上表面200t大體上共面。當各向異性地刻蝕間隔件300的第一部分300t和第二部分300l時，第二間隙空間311可以垂直地且向下地延伸至間隔件層300，以提供與暴露出底層130的部分的第三開口相對應的第三間隙空間501。即，第三間隙空間501可以被在愈合圖案400a之下的間隔件層300的部分300f包圍。

圖11和圖12圖示了移除柱體200的步驟。圖12為沿著圖11所示的平面圖的線a-a’截取的截面圖。

如圖11和圖12所示，可以選擇性地去除被各向異性刻蝕的間隔件層300暴露出的柱體200，以提供對應于第四開口的第四間隙空間502。第四間隙空間502可以暴露出底層130的部分130sb。被各向異性刻蝕的間隔件層300可以具有網格形狀，提供了對應于第四開口(諸如孔)的開口500。開口500可以包括第三間隙空間501和第四間隙空間502。

圖13和圖14圖示了第一通孔550的形成。圖14為沿著圖13所示的平面圖的線a-a’截取的截面圖。

如圖13和圖14所示，可以使用被各向異性刻蝕的間隔件層300作為刻蝕掩模來選擇性地刻蝕被開口500暴露出的底層130的部分130sa和130sb。結果，穿透底層130的第一通孔550可以暴露出圖案化目標層120的部分120s。第一通孔550可以具有與第三間隙空間501或者第四間隙空間502大體上相同的平面形狀。即，開口500可以垂直地且向下地延伸至底層130中，以形成第一通孔550。因此，第一通孔550可以分別暴露出圖案化目標層120的部分120s。在形成第一通孔550之后，可以選擇性地去除被各向異性刻蝕的間隔件層300。

圖15和圖16圖示了第二通孔590的形成。圖16為沿著圖15所示的平面圖的線a-a’截取的截面圖。

如圖15和圖16所示，可以使用具有第一通孔550的底層130作為刻蝕掩模來刻蝕圖案化目標層120的部分120s，直到暴露出襯底110為止。結果，可以形成穿透圖案化目標層120的第二通孔590。因此，第一通孔550可以垂直地且向下地延伸至圖案化目標層120，以提供第二通孔590。在形成第二通孔590之后，可以去除具有第一通孔550的底層130。

第二通孔590的陣列可以用作形成存儲器件(例如，dram器件或者邏輯器件)的互連結構的接觸孔。可替選地，第二通孔590的陣列可以用于dram器件中電容器結構的柱體電極或者圓柱形電極的形成。在一些其它的實施例中，第二通孔590的陣列可以用于具有交叉點單元陣列結構的存儲器件的形成。

根據上述實施例，可以在大尺寸的襯底上制造納米級結構或者納米結構。納米結構可以用于偏光板的制造或者反射液晶顯示(lcd)單元的反射透鏡的形成。納米結構也可以用于單個偏光板的制造以及包括顯示面板的偏光部件的形成。例如，納米結構可以用于包括薄膜晶體管的陣列襯底的制造，或者用于在濾色襯底上直接形成偏光部件的工藝。另外，納米結構可以用于制造納米線晶體管或存儲器的模塑工藝、用于制造電氣/電子部件的模塑工藝(例如，納米級互連)、用于制造太陽能電池和燃料電池的催化劑的模塑工藝、用于制造刻蝕掩模和有機發光二極管(oled)的模塑工藝以及用于制造氣體傳感器的模塑工藝。

根據前述實施例的方法和由此形成的結構可以用于集成電路(ic)芯片的制造。所述ic芯片可以未加工晶片的形式、裸片的形式或者封裝體的形式供應給用戶。ic芯片還可以采用單個封裝體的形式或者多芯片封裝體的形式來供應。ic芯片可以集成在中間產品(例如，母板)或者最終產品中，以組成信號處理器件。最終產品可以包括：玩具、低端應用產品或者高端應用產品(例如，計算機)。例如，最終產品可以包括：顯示單元、鍵盤或者中央處理單元(cpu)。

出于說明性的目的已經公開了本發明的實施例。本領域的技術人員將理解的是，在不脫離本發明和所附權利要求的范圍和精神的情況下，各種修改、添加和替換是可能的。