本申請的實施方式涉及基板清洗裝置。

背景技術：

以往，作為對半導體晶圓等基板進行處理的基板清洗裝置之一，公知有一種基板清洗裝置，在該基板清洗裝置中，使刷子與基板接觸，從刷子的外側向刷子供給處理液、同時使基板和刷子彼此旋轉，從而對基板進行清洗處理(專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第4685914號

技術實現要素：

發明要解決的問題

然而，在上述的現有技術中，并沒有考慮針對將多個不同種類的清洗液向刷子供給的情況下的不良情況的產生、例如、持續地供給的多個化學溶液反應而產生鹽等的對策。

實施方式的一形態的目的在于提供一種即使在將多個不同種類的清洗液向刷子供給的情況下、也能夠進行良好的清洗處理的基板清洗裝置。

用于解決問題的方案

實施方式的一技術方案的基板清洗裝置具備基板保持部、刷子、臂、噴出部以及引導構件。基板保持部將基板保持成能夠旋轉。刷子具有：主體部；清洗體，其設置于主體部的下部，能夠被按壓于基板；空心部，其形成于主體部，上下兩端開口。臂借助主軸將刷子的主體部支承成能夠旋轉。噴出部設置于臂，能夠切換并噴出多個種類的處理液。引導構件配置于噴出部與刷子之間，暫且接收從噴出部噴出來的處理液并向刷子的空心部引導。

發明的效果

根據實施方式的一技術方案，能夠提供一種即使在將多個不同種類的清洗液向刷子供給的情況下、也能夠進行良好的清洗處理的基板清洗裝置。

附圖說明

圖1是第1實施方式的基板處理系統的示意俯視圖。

圖2是第1實施方式的基板處理系統的示意側視圖。

圖3是第2處理模塊的示意俯視圖。

圖4是第2處理單元的示意俯視圖。

圖5是第2處理單元的示意側視圖。

圖6是背面刷子的示意側視圖。

圖7是表示液體承接構件與周壁部之間的關系的圖。

圖8是背面清洗部的示意側剖視圖。

圖9是引導構件的示意立體圖。

圖10是背面刷子的示意立體圖。

圖11是收容部的示意側視圖。

圖12是表示背面清洗處理的處理順序的流程圖。

圖13是第2實施方式的背面清洗部的示意側視圖。

圖14是第2實施方式的引導構件以及背面刷子的示意立體圖。

圖15是圖13所示的a-a向視的示意剖視圖。

附圖標記說明

w、晶圓；28、第2處理單元；101、主體部；102、連接部；103、清洗體；104、液體承接構件；111、第1主體部；112、第2主體部；113、空心部；202、基板保持部；203、回收杯；204、背面清洗部；205、第1供給部；206、第2供給部；207、周壁部；241、背面刷子；242、主軸；243、臂；244、回轉升降機構。

具體實施方式

以下，參照附圖，詳細地說明本申請所公開的基板處理裝置的實施方式。此外，本發明并不被以下所示的實施方式限定。

(第1實施方式)

＜基板處理系統的結構＞

首先，參照圖1和圖2說明第1實施方式的基板處理系統1的結構。圖1是第1實施方式的基板處理系統1的示意俯視圖。另外，圖2是第1實施方式的基板處理系統1的示意側視圖。此外，以下，為了明確位置關系，規定彼此正交的x軸、y軸以及z軸，將z軸正方向設為鉛垂朝上方向。

如圖1所示，第1實施方式的基板處理系統1具備輸入輸出模塊2、處理模塊3以及交接模塊4。這些以輸入輸出模塊2、交接模塊4以及處理模塊3的順序排列地配置。

基板處理系統1將從輸入輸出模塊2輸入的基板、在本實施方式中半導體晶圓(以下稱為晶圓w)經由交接模塊4向處理模塊3輸送，在處理模塊3中進行處理。另外，基板處理系統1將處理后的晶圓w從處理模塊3經由交接模塊4返回輸入輸出模塊2，從輸入輸出模塊2向外部交出。以下，對各模塊2～4的結構進行說明。

＜輸入輸出模塊2的結構＞

輸入輸出模塊2具備載置部11和輸送部12。可在載置部11載置以水平狀態收容多張晶圓w的多個盒c。

輸送部12與載置部11相鄰地配置，在內部設置有主輸送裝置13。主輸送裝置13在載置部11與交接模塊4之間進行晶圓w的輸送。

＜處理模塊3的結構＞

如圖2所示，處理模塊3具備第1處理模塊3u和第2處理模塊3l。第1處理模塊3u和第2處理模塊3l被分隔壁、開閉門等在空間上分隔開，沿著高度方向排列地配置。在本實施方式中，第1處理模塊3u配置于上層側，第2處理模塊3l配置于下層側。

在第1處理模塊3u中，對電路形成面(以下記載為“表面”)朝上的狀態的晶圓w進行處理。另一方面，在第2處理模塊3l中，對與表面相反的一側的面即背面朝上的狀態的晶圓w進行處理。對這些第1處理模塊3u和第2處理模塊3l的結構進行說明。

＜第1處理模塊3u的結構＞

如圖1所示，第1處理模塊3u具備輸送部16、第1輸送裝置17、以及多個第1處理單元18。第1輸送裝置17配置于輸送部16的內部，多個第1處理單元18與輸送部16相鄰地配置于輸送部16的外部。

第1輸送裝置17在交接模塊4與第1處理單元18之間進行晶圓w的輸送。具體而言，第1輸送裝置17進行從交接模塊4取出晶圓w而向第1處理單元18輸送的處理以及將由第1處理單元18處理好的晶圓w從第1處理單元18取出而向交接模塊4輸送的處理。

第1處理單元18對表面朝上的狀態的晶圓w進行斜面清洗處理。斜面清洗處理是指將附著到晶圓w的周緣部(斜面部)的微粒、舟皿痕等去除的處理。

例如，第1處理單元18具備：吸附保持部，其可旋轉地吸附保持晶圓w；斜面清洗部，其通過使刷子與晶圓w的周緣部抵接來對晶圓w的周緣部進行物理清洗；噴出部，其朝向晶圓w的周緣部噴出化學溶液。該第1處理單元18以利用吸附保持部吸附保持著表面朝上的晶圓w的背面的狀態使晶圓w旋轉。并且，第1處理單元18一邊從噴出部朝向旋轉的晶圓w的背面周緣部噴出化學溶液、一邊使斜面清洗部的刷子與晶圓w的周緣部抵接，從而將附著到晶圓w的周緣部的微粒等去除。這樣，通過將由化學溶液進行的化學清洗和由刷子進行的物理清洗組合，能夠提高微粒、舟皿痕等的去除性能。

＜第2處理模塊3l的結構＞

接下來，參照圖3對第2處理模塊3l的結構進行說明。圖3是第2處理模塊3l的示意俯視圖。

如圖3所示，第2處理模塊3l具備輸送部26、第2輸送裝置27以及多個第2處理單元28。第2輸送裝置27配置于輸送部26的內部，多個第2處理單元28與輸送部26相鄰地配置于輸送部26的外部。

第2輸送裝置27在交接模塊4與第2處理單元28之間進行晶圓w的輸送。具體而言，第2輸送裝置27進行從交接模塊4取出晶圓w而向第2處理單元28輸送的處理以及將由第2處理單元28處理好的晶圓w從第2處理單元28取出而向交接模塊4輸送的處理。

第2處理單元28對背面朝上的狀態的晶圓w進行將附著到晶圓w的背面的微粒等去除的背面清洗處理。在此，參照圖4和圖5對第2處理單元28的結構進行說明。圖4是第2處理單元28的示意俯視圖。另外，圖5是第2處理單元28的示意側視圖。

如圖4和圖5所示，第2處理單元28具備腔室201、基板保持部202、回收杯203、背面清洗部204、第1供給部205、第2供給部206以及周壁部207。

腔室201收容基板保持部202、回收杯203、背面清洗部204、第1供給部205、第2供給部206以及周壁部207。在腔室201的頂部設置有在腔室201內形成下降流的ffu(風機過濾單元，fanfilterunit)211。

基板保持部202具備：主體部221，其直徑比晶圓w的直徑大；多個把持部222，其設置于主體部221的上表面；支柱構件223，其支承主體部221；以及驅動部224，其使支柱構件223旋轉。此外，把持部222的數量并不限定于圖示的數量。

該基板保持部202通過使用多個把持部222把持晶圓w的周緣部來保持晶圓w。由此，晶圓w以與主體部221的上表面稍微分開的狀態被水平地保持。

此外，在第2處理單元28中，對背面朝向上方的狀態、換言之表面朝向下方的狀態的晶圓w進行背面清洗處理。因此，若在第2處理單元28中使用如第1處理單元18的吸附保持部那樣吸附晶圓w的類型的構件，則有可能弄臟電路形成面即表面。因此，在基板處理系統1中，將把持晶圓w的周緣部的類型的構件用作基板保持部202，以盡量避免弄臟電路形成面。

回收杯203以包圍基板保持部202的方式配置。在回收杯203的底部形成有：排液口231，其用于將從第1供給部205、第2供給部206噴出的化學溶液向腔室201的外部排出；排氣口232，其用于排出腔室201內的氣氛氣體。此外，第2處理單元28也可以用具備對從第1供給部205噴出的化學溶液的排出目的地和從第2供給部206噴出的化學溶液的排出目的地進行切換的機構。

背面清洗部204具備：背面刷子241；臂243，其沿著水平方向(在此，y軸方向)延伸，借助主軸242從上方將背面刷子241支承成可旋轉；回轉升降機構244，其使臂243回轉和升降。

背面清洗部204經由閥244a、流量調整器(未圖示)等與第1化學溶液供給源245a連接，經由閥244b、流量調整器(未圖示)等與第2化學溶液供給源245b連接。另外，背面清洗部204經由閥244c、流量調整器(未圖示)等與沖洗液供給源245c連接。

背面清洗部204通過分別對閥244a、閥244b以及閥244c的開閉進行切換，從而能夠將從第1化學溶液供給源245a供給的第1化學溶液、從第2化學溶液供給源245b供給的第2化學溶液或從沖洗液供給源245c供給的沖洗液(在此，設為純水)從背面刷子241的內側朝向晶圓w噴出。隨后論述該背面清洗部204的具體的結構。

在此，第1化學溶液是sc-1(氨、過氧化氫以及水的混合液)，第2化學溶液是dhf(稀氫氟酸)，但第1化學溶液并不限定于sc-1，第2化學溶液也不限定于dhf。

第1供給部205配置于周壁部207的外方。第1供給部205具備：噴嘴251；噴嘴臂252，其沿著水平方向延伸，從上方支承噴嘴251；回轉升降機構253，其使噴嘴臂252回轉和升降。

噴嘴251經由閥254a、流量調整器(未圖示)等與第1化學溶液供給源255a連接。另外，噴嘴251經由閥254b、流量調整器(未圖示)等與沖洗液供給源255b連接。該第1供給部205通過打開閥254a從而將從第1化學溶液供給源255a供給的第1化學溶液朝向晶圓w噴出。另外，第1供給部205通過打開閥254b從而將從沖洗液供給源255b供給的純水朝向晶圓w噴出。

第2供給部206配置于周壁部207的外方。第2供給部206具備：噴嘴261；噴嘴臂262，其沿著水平方向延伸，從上方支承噴嘴261；回轉升降機構263，其使噴嘴臂262回轉和升降。

噴嘴261經由閥264a、流量調整器(未圖示)等與第2化學溶液供給源265a連接。另外，噴嘴261經由閥264b、流量調整器(未圖示)等與沖洗液供給源265b連接。該第2供給部206通過打開閥264a從而將從第2化學溶液供給源265a供給的第2化學溶液朝向晶圓w噴出。另外，第2供給部206通過打開閥264b從而將從沖洗液供給源265b供給的純水朝向晶圓w噴出。

周壁部207以包圍基板保持部202的方式配置于回收杯203的外方，接住從基板保持部202飛散的第1化學溶液、第2化學溶液以及純水這樣的處理液。周壁部207與升降機構271連接，利用升降機構271可沿著鉛垂方向移動。即、周壁部207構成為可變更高度。

第2處理單元28如上述那樣構成，利用基板保持部202保持背面朝上的晶圓w的周緣部而使晶圓w旋轉。并且，第2處理單元28使用第1供給部205和第2供給部206中的任一個和背面清洗部204來將附著到晶圓w的背面的微粒等去除。

此外，在第2處理單元28的腔室201內設置有使背面清洗部204的背面刷子241、第1供給部205的噴嘴251以及第2供給部206的噴嘴261從主體部221上退避的退避位置。并且，在各退避位置分別設置有收容背面刷子241、噴嘴251以及噴嘴261的收容部208a～208c。圖4中示出了背面清洗部204、第1供給部205以及第2供給部206配置于各退避位置而背面刷子241、噴嘴251以及噴嘴261分別收容于收容部208a～208c的情形。

＜交接模塊4的結構＞

接著，說明交接模塊4。如圖1和圖2所示，在交接模塊4的內部配置有多個傳遞裝置15a、15b、第1緩沖部21u、第2緩沖部21l、第1交接部22u、第2交接部22l、第1翻轉機構23a以及第2翻轉機構23b。

第1緩沖部21u、第2緩沖部21l、第1交接部22u、第2交接部22l、第1翻轉機構23a以及第2翻轉機構23b沿著高度方向排列配置。具體而言，從上起按照第1交接部22u、第1緩沖部21u、第2緩沖部21l、第2交接部22l、第1翻轉機構23a以及第2翻轉機構23b的順序依次配置(參照圖2)。

此外，緩沖部(在此，第1緩沖部21u和第2緩沖部21l)、交接部(在此，第1交接部22u和第2交接部22l)、翻轉機構(在此，第1翻轉機構23a和第2翻轉機構23b)的個數、高度方向上的配置并不限定于圖示的個數、高度方向上的配置。例如，也可以在交接模塊4的內部從上起按照交接部、緩沖部、翻轉機構、交接部以及翻轉機構的順序依次配置。

傳遞裝置15a、15b具備未圖示的升降機構，通過使用該升降機構而沿著鉛垂方向移動，相對于沿著高度方向排列配置的第1交接部22u等進行晶圓w的輸入輸出。傳遞裝置15a從第1交接部22u等的y軸正方向側訪問第1交接部22u等。另外，傳遞裝置15b從第1交接部22u等的y軸負方向側訪問第1交接部22u等。

第1緩沖部21u、第2緩沖部21l、第1交接部22u以及第2交接部22l是可呈多層收容晶圓w的模塊。其中，第1緩沖部21u和第2緩沖部21l被主輸送裝置13和傳遞裝置15a、15b訪問。

＜控制裝置的構成＞

基板處理系統1具備控制裝置5(參照圖1)。控制裝置5是例如計算機，具備控制部51和存儲部52。可在存儲部52儲存對要在基板處理系統1中執行的各種處理進行控制的程序。控制部51是例如cpu(中央處理單元，centralprocessingunit)，將存儲到存儲部52的程序讀出并執行，從而對基板處理系統1的動作進行控制。

此外，該程序既可以是記錄于由計算機可讀取的存儲介質的程序，也可以是從該存儲介質安裝到控制裝置5的存儲部52的程序。作為計算機可讀取的存儲介質，存在例如硬盤(hd)、軟盤(fd)、光盤(cd)、磁光盤(mo)、存儲卡等。此外，控制部51也可以不使用程序而僅由硬件構成。

＜晶圓的輸送流程＞

接著，簡單地說明基板處理系統1中的晶圓w的輸送流程的一個例子。在基板處理系統1中，首先，主輸送裝置13從盒c一并取出多張未處理的晶圓w而收容于第1緩沖部21u。接下來，傳遞裝置15a從第1緩沖部21u取出未處理的晶圓w而向第1交接部22u傳遞，第1處理模塊3u的第1輸送裝置17從第1交接部22u取出晶圓w而向第1處理單元18輸送，第1處理單元18對晶圓w進行斜面清洗處理。若斜面清洗處理結束，則第1輸送裝置17將斜面清洗處理完畢的晶圓w從第1處理單元18取出而收容于第1交接部22u。

接下來，傳遞裝置15a將斜面清洗處理完畢的晶圓w從第1交接部22u取出而向第1翻轉機構23a傳遞，第1翻轉機構23a使該晶圓w的表背翻轉，傳遞裝置15b從第1翻轉機構23a取出晶圓w而向第2交接部22l傳遞。接下來，第2處理模塊3l的第2輸送裝置27從第2交接部22l取出晶圓w而向第2處理單元28輸送，第2處理單元28對晶圓w進行背面清洗處理。若背面清洗處理結束，則第2輸送裝置27將背面清洗處理完畢的晶圓w從第2處理單元28取出而收容于第2交接部22l。

接下來，傳遞裝置15b從第2交接部22l取出晶圓w而向第2翻轉機構23b傳遞，第2翻轉機構23b使該晶圓w的表背翻轉，傳遞裝置15a從第2翻轉機構23b取出晶圓w而向第2緩沖部21l傳遞，主輸送裝置13將結束了斜面清洗處理和背面清洗處理的晶圓w從第2緩沖部21l一并取出多張而收容到盒c。由此，一系列的基板處理結束。

＜背面清洗部的結構＞

接著，參照圖6～圖11說明背面清洗部204的具體的結構。首先，參照圖6和圖7說明背面刷子241的結構。圖6是背面刷子241的示意側視圖。另外，圖7是表示液體承接構件與周壁部207之間的關系的圖。

如圖6所示，背面刷子241具備主體部101、連接部102、清洗體103以及液體承接構件104。

主體部101具有圓筒形狀，經由連接部102與主軸242(參照圖4)連接。主體部101具備第1主體部111和第2主體部112。第1主體部111和第2主體部112是具有相同的直徑的圓筒形狀的構件，通過第2主體部112安裝于第1主體部111的下部，形成主體部101。

連接部102具有直徑比主體部101的直徑小的圓筒形狀。該連接部102設置于第1主體部111，相對于第1主體部111向上方突出。另外，連接部102具有插入孔121，將主軸242插入該插入孔121，利用螺釘等將主軸242和連接部102固定，從而主體部101固定于主軸242。

清洗體103設置于第2主體部112的下部，能夠按壓于晶圓w。清洗體103由許多毛束構成，但并不限于此，也可以由例如海綿等構成。

液體承接構件104設置于主體部101的外周部、具體而言第2主體部112的外周部112a。液體承接構件104具有從第2主體部112的外周部112a突出的檐形狀，利用下表面141接住從清洗體103飛散的處理液，從而能夠防止處理液越過周壁部207而飛散(參照圖7)。液體承接構件104具有俯視圓形狀，因此，能夠全方位地抑制處理液的飛散。

另外，液體承接構件104配置于比清洗體103的安裝面、即、第2主體部112的下表面112b靠上方的位置，液體承接構件104的下表面141配置于比第2主體部112的下表面112b靠上方的位置。通過如此配置，在背面清洗處理中，能夠防止在使背面刷子241朝向晶圓w的外周部移動了之際液體承接構件104與其他構件發生干涉。

具體而言，如圖7所示，液體承接構件104的下表面141配置于比基板保持部202所具備的把持部222的上端靠上方的位置。另外，液體承接構件104的下表面141配置于比回收杯203的上端靠上方的位置。通過如此地配置，能夠防止液體承接構件104與把持部222、回收杯203發生干涉。另外，液體承接構件104的下表面141在不與把持部222(參照圖5)接觸的高度、在從第2主體部112的外周部112a突出的方向上既可以是水平的，也可以向下方傾斜。在使液體承接構件104的下表面141向下方傾斜的情況下，能夠進一步防止液體殘留于液體承接構件104的下表面141。而且，通過將液體承接構件104的下表面141設為疏水性，能夠防止液體殘留于液體承接構件104的下表面141。另外，通過將主體部101的外周部設為疏水性，能夠防止液體殘留于主體部101的外周部。

在進行背面清洗處理中的使用了背面刷子241的處理的情況下，周壁部207配置于周壁部207的上端最高的第1高度位置h1。液體承接構件104具有防止從清洗體103飛散的處理液越過被配置到第1高度位置h1的周壁部207的程度的直徑。如圖7所示，該直徑至少基于從清洗體103飛散的處理液可取得的相對于晶圓w的角度與周壁部207的第1高度位置h1之間的關系來決定。此外，飛散的處理液可取得的速度、晶圓w上的清洗體103的位置也可關系到直徑的決定。這樣，使用周壁部207來一定程度防止處理液的飛散、同時利用液體承接構件104接住越過周壁部207而飛散的處理液，從而能夠將周壁部207的高度抑制得較低、同時抑制處理液的飛散。

此外，液體承接構件104的檐形狀的上表面142朝向外方下傾。因此，能夠防止處理液殘存于上表面142。此外，上表面142的形狀無需如圖6那樣朝向外方向具有恒定的傾斜角，也可以是例如在朝向外方向的中途使傾斜角階段性地增大的多級的傾斜形狀、隨著朝向外方向去而傾斜角逐漸增大的圓弧狀的形狀。

周壁部207在一系列的基板處理中以第1高度位置h1、第2高度位置h2以及第3高度位置h3至少這3級變更高度位置。第1高度位置h1是在進行背面清洗處理中的使用了背面刷子241的處理的情況下周壁部207所配置的高度位置。第2高度位置h2是在進行如僅使用了例如第2供給部206的處理那樣處理液的飛散比使用背面刷子241的情況較少的處理的情況下周壁部207所配置的高度位置，設定得比第1高度位置h1低。第3高度位置h3是周壁部207的初始位置，設定成比第2高度位置h2低、例如與回收杯203相同程度的高度位置。

此外，第3高度位置h3是與背面清洗部204、第1供給部205以及第2供給部206發生干涉的高度位置，第1高度位置h1和第2高度位置h2是不與背面清洗部204、第1供給部205以及第2供給部206發生干涉的高度位置。

圖8是背面清洗部204的示意側剖視圖。如圖8所示，臂243具備沿著水平方向延伸的第1臂體246和設置于第1臂體246的下部的第2臂體247。

第1臂體246具有收容使主軸242旋轉的馬達等驅動部246a和主軸242的一部分的第1內部空間r1。驅動部246a和主軸242由例如帶輪246b、246c和傳遞帶246d連接。此外，在第1內部空間r1配置有將主軸242支承成可旋轉的軸承部246e、負荷傳感器等未圖示的設備。

在第1臂體246的下部形成有用于供主軸242貫穿的貫穿口246f。因而，第1內部空間r1并沒有成為完全的密閉空間。

第2臂體247具有第2內部空間r2，該第2內部空間r2經由第1臂體246的貫穿口246f將第1內部空間r1和外部連通，覆蓋主軸242的經由貫穿口246f從第1內部空間r1暴露的一部分。

第2內部空間r2具有與第1臂體246的貫穿口246f連通的上側內部空間r2a和在上部與上側內部空間r2a連通并在下部與外部連通的下側內部空間r2b。上側內部空間r2a和下側內部空間r2b被環狀的第1突出部247a平緩地區分開，該第1突出部247a從形成第2內部空間r2的第2臂體247的內周面向第2內部空間r2側突出。

主軸242在配置于第2內部空間r2內的部分具有從外周面向徑向外方突出的環狀的第2突出部242a、242b。第2突出部242a配置于第1突出部247a的上方。另外，第2突出部242b配置于第1突出部247a的下方。

這樣，在背面清洗部204中，利用設置于第2臂體247的第2內部空間r2的第1突出部247a和設置于主軸242的第2突出部242a、242b，在第2內部空間r2內形成了所謂迷宮構造。由此，背面清洗部204能夠防止第1化學溶液、第2化學溶液等的氣氛氣體進入第1內部空間r1內而使第1內部空間r1內的驅動部246a等劣化。

而且，臂243具備氣體供給部247b。氣體供給部247b由在第1臂體246、第2臂體247形成的通路孔、配管等構成，其一端與第2內部空間r2中的下側內部空間r2b連接，另一端經由閥244d、流量調整器(未圖示)等與氣體供給源245d連接。該氣體供給部247b通過打開閥244d從而將從氣體供給源245d供給的n2氣體等非活性氣體向下側內部空間r2b供給。由此，外部氣氛氣體向下側內部空間r2b的進入受到非活性氣體妨礙，因此，能夠更可靠地防止第1化學溶液、第2化學溶液等的氣氛氣體進入第1內部空間r1內。

另外，臂243具備吸氣部247c。吸氣部247c由在第1臂體246、第2臂體247形成的通路孔、配管等構成，其一端與第2內部空間r2中的上側內部空間r2a連接，另一端與吸氣機構247d連接。該吸氣部247c使用吸氣機構247d而對上側內部空間r2a內的氣氛氣體進行吸氣。由此，能夠防止來自收容到第1內部空間r1內的驅動部246a、軸承部246e的揚塵向外部流出而污染晶圓w等。

另外，臂243具備噴出部247e。噴出部247e由在第1臂體246、第2臂體247形成的通路孔、配管等構成，其一端暴露于第2臂體247的下表面。另外，噴出部247e的另一端經由閥244a、流量調整器(未圖示)等與第1化學溶液供給源245a連接，經由閥244b、流量調整器(未圖示)等與第2化學溶液供給源245b連接，經由閥244c、流量調整器(未圖示)等與沖洗液供給源245c連接。

該噴出部247e為了將從第1化學溶液供給源245a供給的第1化學溶液、從第2化學溶液供給源245b供給的第2化學溶液或從沖洗液供給源245c供給的純水向在背面刷子241的主體部101形成的空心部113供給，從第2臂體247的下表面鉛垂朝下地噴出。

在此，在第2臂體247上，如上述那樣形成有第2內部空間r2，因此，難以使噴出部247e靠近第2臂體247的中央地配置。因此，噴出部247e配置于比背面刷子241的空心部113遠離主軸242的位置。具體而言，噴出部247e配置于比背面刷子241的主體部101的外周部遠離主軸242的位置。在該情況下，若是僅僅從噴出部247e噴出處理液，就無法向空心部113供給處理液。

因此，背面清洗部204具備引導構件248。引導構件248配置于噴出部247e與背面刷子241之間，暫且接住從噴出部247e噴出來的處理液并向背面刷子241的空心部113引導。

具體而言，引導構件248具有俯視圓形的承接皿形狀，在第2臂體247的下方與第2臂體247分開地配置。另外，引導構件248在中央部具有貫穿口248e，主軸242貫穿于該貫穿口248e，并且通過利用在主軸242形成的臺階部與背面刷子241的連接部102從上下方向夾持而被固定，與主軸242一起旋轉。

在此，參照圖9具體地說明引導構件248的結構。圖9是引導構件248的示意立體圖。

如圖9所示，引導構件248具備承接面248a和排出部248b。承接面248a配置于噴出部247e的下方，是從比噴出部247e遠離主軸242的位置朝向主軸242下傾的斜面。

排出部248b設置于承接面248a的位于背面刷子241的空心部113的正上方的區域，將由承接面248a承接到的處理液朝向空心部113排出。具體而言，排出部248b具備相對于承接面248a呈圓周狀排列地配置的多個排出口248b1。由此，與例如設置有單一的排出口的情況相比較，能夠使由承接面248a承接到的處理液朝向空心部113均等地落下。

另外，引導構件248具備從承接面248a的外周部朝向上方豎立設置的周狀的第1壁部248c。由此，能夠防止由承接面248a承接到的處理液從承接面248a的外周部落下。另外，引導構件248在排出部248b與主軸242之間具有朝向上方豎立立設置的周狀的第2壁部248d。由此，能夠防止由承接面248a承接到的處理液順著主軸242進入連接部102的插入孔121內。另外，能夠防止由該處理液導致的主軸242、連接部102的劣化。

接下來，參照圖8和圖10說明背面刷子241的空心部113的結構。圖10是背面刷子241的示意立體圖。

如圖8所示，背面刷子241的主體部101具備上下兩端開口的空心部113。空心部113的上部開口113a設置于第1主體部111。上部開口113a的內周面設置于比引導構件248的排出部248b遠離主軸242的位置。

空心部113的下部開口113b設置于第2主體部112。下部開口113b具有比上部開口113a的直徑小的直徑。具體而言，下部開口113b的內周面設置于比引導構件248的排出部248b靠近主軸242的位置。因而，在從引導構件248的排出部248b排出來的處理液從上部開口113a進入到空心部113內之后，向主軸242側聚集而從下部開口113b朝向晶圓w噴出。

如圖10所示，在空心部113的中途部設置有多個開口部113c。多個開口部113c設置于第1主體部111。另外，在各開口部113c之間設置有第1主體部111與連接部102之間的連結部113d。

＜背面刷子的收容部的結構＞

接著，參照圖11說明背面刷子241的收容部208a的結構。圖11是收容部208a的示意側視圖。

如圖11所示，在作為背面刷子241的退避位置的收容部208a的底面281設置有對配置于退避位置的背面刷子241進行清洗的刷子清洗部282。刷子清洗部282具有朝向鉛垂上方噴出清洗液的噴出口，經由閥283、流量調整器(未圖示)等與清洗液供給源284連接。該刷子清洗部282將從清洗液供給源284供給的清洗液(在此，設為純水)從收容部208a的底面281上的噴出口朝向背面刷子241向鉛垂上方噴出，從而使用清洗液來對背面刷子241進行清洗。

刷子清洗部282的噴出口配置于包括被配置于退避位置的清洗體103的外周部與液體承接構件104的基端部的區域的鉛垂下方，向該區域供給作為清洗液的純水。由此，能夠不僅清洗清洗體103、而且清洗液體承接構件104。

另外，在該刷子清洗處理中，背面清洗部204從背面刷子241的空心部113噴出純水。由此，能夠不僅對清洗體103的外側、也對內側進行清洗。

此外，在收容部208a的底面281設置有用于將在刷子清洗處理中從刷子清洗部282、空心部113噴出來的純水向外部排出的排出部285。收容部208a的底面281朝向排出部285下傾。

＜背面清洗處理的處理順序＞

接著，參照圖12對在第2處理單元28中執行的背面清洗處理的具體的處理順序進行說明。圖12是表示背面清洗處理的處理順序的流程圖。此外，控制部51通過對第2處理單元28的基板保持部202、背面清洗部204、第1供給部205以及第2供給部206等進行控制來執行圖12所示的各處理順序。

如圖12所示，在第2處理單元28中，在使輸入到腔室201內的晶圓w保持到基板保持部202之后，進行第1化學溶液處理(步驟s101)。在第1化學溶液處理中，首先，在使用第1供給部205的回轉升降機構253來使噴嘴臂252回轉而使噴嘴251位于晶圓w的上方之后，使用背面清洗部204的回轉升降機構244來使臂243回轉，使背面刷子241位于晶圓w的上方。之后，使用升降機構271來使周壁部207上升，使周壁部207的高度位置從第3高度位置h3(參照圖7)向第1高度位置h1變化。

接下來，使用基板保持部202的驅動部224來使晶圓w旋轉，使用背面清洗部204的驅動部246a來使背面刷子241旋轉。另外，從第1供給部205的噴嘴251向晶圓w供給作為第1化學溶液的sc-1，也從背面刷子241的空心部113向晶圓w供給sc-1。并且，在使用背面清洗部204的回轉升降機構244來使背面刷子241下降而將清洗體103按壓于晶圓w之后，使背面刷子241和噴嘴251從晶圓w的中心部朝向外周部移動。由此，利用基于清洗體103的物理的清洗力和基于sc-1的化學的清洗力將微粒從晶圓w去除。

若背面刷子241到達晶圓w的外周部，則使來自噴嘴251和空心部113的sc-1的供給停止，使背面刷子241上升，使背面刷子241的旋轉停止。另外，使背面刷子241和噴嘴251向晶圓w的中心部移動。

接下來，在第2處理單元28中，進行第1沖洗處理(步驟s102)。在第1沖洗處理中，將向晶圓w噴出的處理液從第1化學溶液切換成作為沖洗液的純水，使背面清洗部204和第1供給部205與上述的第1化學溶液處理同樣地動作。由此，晶圓w上的sc-1被純水沖洗掉。

若背面刷子241到達晶圓w的外周部，則使來自噴嘴251和空心部113的純水的供給停止，使背面刷子241上升，使背面刷子241的旋轉停止。之后，使周壁部207從第1高度位置h1向第2高度位置h2移位，使背面刷子241和第1供給部205從晶圓w上退避。

接下來，在第2處理單元28中，進行第2化學溶液處理(步驟s103)。在第2化學溶液處理中，首先，在將第2供給部206的噴嘴261配置到晶圓w上之后，使背面刷子241配置于晶圓w上，之后，使周壁部207從第2高度位置h2向第1高度位置h1移位。

接下來，使背面刷子241旋轉，從第2供給部206的噴嘴261向晶圓w供給作為第2化學溶液的dhf，也從背面刷子241的空心部113向晶圓w供給dhf。并且，在使背面刷子241下降而將清洗體103按壓于晶圓w之后，使背面刷子241和噴嘴261從晶圓w的中心部朝向外周部移動。由此，利用基于清洗體103的物理的清洗力和基于dhf的化學的清洗力將微粒從晶圓w去除。

若背面刷子241到達晶圓w的外周部，使來自噴嘴261和空心部113的dhf的供給停止，使背面刷子241上升，使背面刷子241的旋轉停止。之后，使周壁部207從第1高度位置h1向第2高度位置h2移位而使背面刷子241從晶圓w上退避。

接下來，在第2處理單元28中，進行第2沖洗處理(步驟s104)。在第2沖洗處理中，從第2供給部206的噴嘴261向晶圓w供給作為沖洗液的純水。由此，晶圓w上的dhf被純水沖洗掉。之后，使來自噴嘴261的純水的供給停止而使第2供給部206從晶圓w上退避。

接下來，在第2處理單元28中，進行刷子清洗處理(步驟s105)。在刷子清洗處理中，在作為退避位置的收容部208a內使背面刷子241旋轉，從底面281向包括清洗體103的外周部和液體承接構件104的基端部的區域供給純水。另外，從旋轉的背面刷子241的空心部113噴出純水。由此，清洗體103的外側和內側被清洗、并且液體承接構件104被清洗。

接下來，在第2處理單元28中，進行干燥處理(步驟s106)。在干燥處理中，使晶圓w以比第2沖洗處理時快的旋轉速度旋轉。由此，晶圓w上的純水被去除而晶圓w干燥。之后，使晶圓w的旋轉停止而使周壁部207從第2高度位置h2向第3高度位置h3移位。

此外，刷子清洗處理也可以與第2沖洗處理、干燥處理并行地進行。另外，刷子清洗處理也可以與處理完畢的晶圓w的輸出處理、未處理的晶圓w的輸入處理并行地進行。

這樣，在背面清洗部204中，在第1化學溶液處理、第1沖洗處理以及第2化學溶液處理中，不僅從背面刷子241的外側噴出處理液，還從背面刷子241的內側噴出處理液，因此，能夠使從晶圓w去除了的微粒等難以殘留于清洗體103的內側。

另外，在背面清洗部204的噴出部247e(參照圖8)通過打開閥244a從而噴出多個種類的處理液中的作為第1處理液的第1化學溶液之后，接著關閉閥244a通過打開閥244c從而噴出作為第2處理液的純水，之后，關閉閥244c通過打開閥244b從而噴出作為第3處理液的第2化學溶液。這樣，在第1化學溶液處理之后且第2化學溶液處理之前的第1沖洗處理中，通過從背面刷子241的空心部113即清洗體103的內側噴出純水，能夠從清洗體103將sc-1更可靠地去除。因而，能夠防止在第2化學溶液處理中dhf和sc-1發生反應而產生鹽。

不過，第2處理單元28在例如電源投入后進行使背面清洗部204、第1供給部205以及第2供給部206返回作為各自的作為初始位置的退避位置的初始化處理。在該初始化處理中，第2處理單元28使背面清洗部204的臂243、第1供給部205的噴嘴臂252以及第2供給部206的噴嘴臂262同時以相同的速度朝向退避位置回轉。

背面清洗部204的臂243以與第1供給部205的噴嘴臂252的回轉軌跡和第2供給部206的噴嘴臂262的回轉軌跡相交的軌跡使背面刷子241回轉，但如上述那樣只要使臂243和噴嘴臂252、262同時以相同的速度移動，即使假設在電源非供給時作業人員等手動使臂243等運動等而臂243等從正規的位置偏離，也能夠彼此不干涉地返回作為初始位置的退避位置。

如上述那樣，本實施方式的第2處理單元28(基板清洗裝置的一個例子)具備基板保持部202、背面刷子241(刷子的一個例子)、臂243、第1供給部205以及第2供給部206(供給部的一個例子)。基板保持部202將晶圓w(基板的一個例子)保持成可旋轉。臂243借助主軸242將背面刷子241支承成可旋轉。第1供給部205和第2供給部206向晶圓w供給處理液。另外，背面刷子241具備主體部101、清洗體103以及液體承接構件104。主體部101與主軸242連接。清洗體103設置于主體部101的下部，能夠被按壓于晶圓w。液體承接構件104設置于主體部101的外周部，接住從清洗體103飛散的處理液。

因而，本實施方式的第2處理單元28能夠抑制處理液的飛散。

另外，本實施方式的第2處理單元28(基板清洗裝置的一個例子)具備基板保持部202、背面刷子241(刷子的一個例子)、臂243、噴出部247e以及引導構件248。基板保持部202將晶圓w(基板的一個例子)保持成可旋轉。背面刷子241是上下兩端開口的空心狀的刷子。臂243借助主軸242將背面刷子241支承成可旋轉。噴出部247e設置于臂243，可對多個種類的處理液進行切換而噴出。引導構件248配置于噴出部247e與背面刷子241之間，暫且接收從噴出部247e噴出來的處理液并向所述刷子的空心部113引導。

因而，根據本實施方式的第2處理單元28，即使在將多個不同種類的清洗液向背面刷子241供給的情況下也能夠進行良好的清洗處理。另外，能夠使從晶圓w去除了的微粒等難以殘留于背面清洗部204的清洗體103。

在上述的第1實施方式中，對引導構件248與背面刷子241一體化地旋轉的情況的例子進行了說明，但引導構件248也可以不與第2臂體247一體化地旋轉。

另外，在上述的第1實施方式中，對液體承接構件104設置于主體部101的第2主體部112的情況的例子進行了說明，但也可以是液體承接構件104設置于第1主體部111。

另外，在上述的第1實施方式中，以用于對基板的背面進行清洗的背面刷子為例進行了說明，但并不限于此，也可以將同樣的結構適用于用于對表面進行清洗、用于對基板的周緣部進行清洗的刷子。

另外，在上述的第1實施方式中，向第2內部空間r2(參照圖8)的下側內部空間r2b供給非活性氣體、同時對上側內部空間r2a的氣氛氣體進行吸氣，但也可以向上側內部空間r2a供給非活性氣體、同時對下側內部空間r2b的氣氛氣體進行吸氣。另外，背面清洗部204未必需要具備吸氣部247c。

另外，在上述的第1實施方式中，對第1供給部205和第2供給部206這兩者構成為可供給作為沖洗液的純水的情況的例子進行了說明，但也可以構成為僅第1供給部205和第2供給部206中的任一者可供給作為沖洗液的純水。另外，背面清洗部204也可以還具備供給沖洗液的第3供給部。

(第2實施方式)

接著，參照圖13～圖15說明第2實施方式的背面清洗部的結構。圖13是第2實施方式的背面清洗部的示意側視圖。圖14是第2實施方式的引導構件以及背面刷子的示意立體圖。圖15是圖13所示的a-a向視的示意剖視圖。此外，在以下的說明中，對于與已經說明的部分相同的部分，標注與已經說明的部分相同的附圖標記，省略重復的說明。

如圖13、圖14所示，第2實施方式的背面清洗部204a具備背面刷子241a和引導構件248a。

背面刷子241a具備主體部112a、清洗體103以及液體承接構件104。主體部112a是圓筒形狀的構件，具有上下兩端開口的空心部113a。清洗體103設置于主體部112a的下部，液體承接構件104設置于主體部112a的外周部。

引導構件248a配置于噴出部247e和背面刷子241a之間，暫且接收從噴出部247e噴出來的處理液而向背面刷子241a的空心部113a引導。

引導構件248a具備俯視呈圓形的承接皿部248a1、在承接皿部248a1的下部與承接皿部248a1形成為一體的圓柱狀的連結部248a2。

承接皿部248a1具有在主軸242的徑向上從比噴出部247e遠離主軸242的位置朝向主軸242下傾的承接面248aa。

在承接面248aa設置有多個流入口248ab、第1壁部248ac以及第2壁部248ad。

多個流入口248ab在比噴出部247e靠近主軸242的位置呈圓周狀排列地配置。第1壁部248ac(周壁部的一例)在主軸242的徑向上設于比噴出部247e遠離主軸242的位置，并朝向上方突出而包圍承接面248aa。第2壁部248ad設置于多個流入口248ab和主軸242之間，并朝向上方突出。

連結部248a2在下部與背面刷子241a的主體部112a連接。具體而言，在連結部248a2的下部形成有與主體部112a的上部112a1嵌合的筒狀的嵌合部248ah。嵌合部248ah的直徑比主體部112a的上部112a1的直徑大，并從外側相對于主體部112a的上部112a1嵌合。通過主體部112a連結于連結部248a2，在連結部248a2的內部形成與空心部113a的上部開口113aa連通的內部空間248ai。

在連結部248a2的內部設置有多個內部流路248af。多個內部流路248af在上游側與設置于承接面248aa的多個流入口248ab分別連通，在下游側與開口于內部空間248ai的多個流出口248ag分別連通。該多個內部流路248af將由承接面248aa承接的處理液向空心部113a引導。

另外，連結部248a2具備第1插入孔248ae、第2插入孔248aj(參照圖15)。第1插入孔248ae沿著鉛垂方向延伸，設于連結部248a2的中央部，并供主軸242插入。另外，如圖15所示，第2插入孔248aj沿著水平方向延伸，供緊固構件200插入。第2插入孔248aj避開多個內部流路248af地設置。

將主軸242插入第1插入孔248ae，將緊固構件200插入第2插入孔248aj，利用緊固構件200將主軸242和引導構件248a固定。由此，背面刷子241a成為借助引導構件248a而固定于主軸242的狀態。緊固構件200是例如螺栓，一邊相對于被形成于主軸242的螺母部旋轉一邊插入，從而引導構件248a固定于主軸242。此外，在圖15中，省略形成于緊固構件200以及主軸242的螺母部的螺紋槽而表示。

接著，說明第2實施方式的背面清洗部204a中的處理液的流動。在從噴出部247e噴出的處理液被引導構件248a的承接面248aa承接之后，向主軸242側聚集，從多個流入口248ab流入到多個內部流路248af。之后，處理液通過多個內部流路248af而從多個流出口248ag排出。在從多個流出口248ag排出的處理液經由引導構件248a的內部空間248ai向背面刷子241a的空心部113a的上部開口113aa流入之后，向主軸242側聚集而從空心部113a的下部開口113ab朝向晶圓w噴出。

這樣，從噴出部247e噴出的處理液通過被設置于引導構件248a的內部的多個內部流路248af而流入背面刷子241a的空心部113a。因此，能夠抑制在從承接面248aa到空心部113a為止的期間、處理液的氣氛氣體漏出到外部。因而，在例如處理液是sc－1、dhf等化學溶液的情況下，能夠抑制在從噴出部247e到空心部113a為止的期間、化學溶液的氣氛氣體泄漏到外部而給晶圓w帶來不良影響。

另外，利用設置于承接面248aa的外周部的第1壁部248ac，能夠抑制在從噴出部247e到承接面248aa為止的期間、處理液的氣氛氣體漏出到外部。

另外，通過具備內部流路248af，可防止在從承接面248aa到空心部113a為止的期間、處理液由于旋轉而向周圍飛散。因而，與不具備內部流路248af的情況相比較，能夠將更大流量的處理液向背面刷子241a供給。此外，在圖12的流程圖所示的處理中，示出了從噴嘴251、261和背面刷子241這兩者供給化學溶液或沖洗液的情況，但也可存在僅從背面刷子241供給化學溶液或沖洗液的例子。在這樣的情況下，本實施方式的背面刷子241a在能夠供給大流量的處理液這一點上是有效的。

如上所述，第2實施方式的引導構件248a在連結部248a2的內部具備將由承接面248aa承接的處理液向空心部113a引導的多個內部流路248af。因而，能夠抑制處理液的氣氛氣體漏出到外部。

此外，在上述第2實施方式中，對引導構件248a具備多個流入口248ab、多個內部流路248af以及多個流出口248ag的情況的例子進行了說明，但引導構件248a只要具備至少一個流入口248ab、至少一個內部流路248af以及至少一個流出口248ag即可。

進一步的效果、變形例能夠由本領域技術人員容易地導出。因此，本發明的更廣泛的形態并不限定于如以上那樣表示且記述的特定的詳細和代表性的實施方式。因而，不脫離由權利要求書及其等同物定義的總結性的發明的概念的精神或范圍，可進行各種變更。