技術總結
本發(fā)明涉及抗EMI的超結VDMOS器件結構及其制備方法，所述方法在使用深溝槽外延填充技術制造超結過程中，在刻蝕出深溝槽后，采用3次不同傾斜角度的硼離子注入依次形成三個P型輔助耗盡區(qū)，可以減緩超結VDMOS開通或關斷瞬間由深溝槽造成的漏極源極間電容和米勒電容變化，從而改善電子系統EMI特性。
技術研發(fā)人員：任文珍;周宏偉;張園園;徐西昌
受保護的技術使用者：西安龍騰新能源科技發(fā)展有限公司
文檔號碼：201611103417
技術研發(fā)日：2016.12.05
技術公布日：2017.05.31