技術特征：

1.一種VDMOS器件的制造方法，其特征在于：該方法包括以下步驟：

(1)在半導體襯底上制備外延層和生長場氧，場氧為SiO₂厚氧層；

(2)在SiO₂厚氧層兩側形成兩個p體區，然后在兩個p體區內形成N+源區；

(3)在SiO₂厚氧層、N+源極區和p體區上方形成柵氧層(柵介質層)；

(4)在SiO₂厚氧層、部分N+源區和部分p體區上方形成柵極區；

(5)在柵極區和所述柵氧層上方形成介質層；

(6)在所述介質層兩端刻蝕形成源極接觸孔；

(7)在所述源極接觸孔內部形成源極金屬層。

2.根據權利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：步驟(1)中，采用LOCOS工藝制備SiO₂厚氧層，具體制備過程為：在外延層表面兩側依次進行熱氧氧化和硬掩膜淀積，分別形成SiO₂氧化層和Si₃N₄硬掩膜；然后利用化學或物理淀積工藝淀積SiO₂厚氧層，并去除硬掩膜。

3.根據權利要求1或2所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述SiO₂厚氧層位于兩個p體區之間，SiO₂厚氧層的厚度為0.4μm～1.2μm。

4.根據權利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述柵氧層在p體區摻雜和N+源區摻雜之后形成。

5.根據權利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述柵氧層材料為SrTiO₃、HfO₂、ZrO₂或SiO₂。

6.根據權利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：步驟(5)中，所述介質層采用化學氣相淀積或等離子體化學氣相淀積工藝制備，介質層材料為SiO₂、SiO₂/Si₃N₄復合層或硼硅玻璃。

7.根據權利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：步驟(7)中，所述源極金屬層采用蒸發或濺射的方法制備，源極金屬層的厚度為1.2μm～6μm。

8.根據權利要求1或7所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：步驟(7)中，所述源極金屬層同時接觸介質層、N+源區和p體區。