技術總結
本發明公開了一種VDMOS器件的制造方法，屬于半導體分立器件制造技術領域。該方法通過將柵氧工藝安排在P體區注入和N+源區注入之后，用以避免現有技術中的高溫過程，提高柵氧質量，同時，將P體區和N+源區注入光刻掩膜版合二為一，減少N+源區注入光刻版，節省成本，并采用LOCOS工藝增加在P體區間的氧化層厚度，提高器件的抗擊穿能力和動態特性。該發明提高了VDMOS器件的抗輻照性能，同時使得VDMOS動態性能得到改善。

技術研發人員：鄭瑩
受保護的技術使用者：中國電子科技集團公司第四十七研究所
文檔號碼：201611144025
技術研發日：2016.12.13
技術公布日：2017.05.31