技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種提高VDMOS器件抗輻照能力的方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法是將VDMOS器件中的柵氧化層替換為三層結(jié)構(gòu)柵，從而提高VDMOS器件的抗輻照能力；所述三層結(jié)構(gòu)柵是由依次疊加復(fù)合的氮氧化物層、氫氧合成氧化層和氮氧化物層組成。本發(fā)明將H2?O2合成和氮氧化柵兩種技術(shù)結(jié)臺(tái)起來(lái)，充分利用兩者的優(yōu)點(diǎn)制成三層結(jié)構(gòu)柵氧化層。本發(fā)明對(duì)比常規(guī)氧化、H2?O2合成氧化，可有效提高VDMOS器件抗輻照特性。

技術(shù)研發(fā)人員：任通;鄭瑩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所
文檔號(hào)碼：201611157712
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.15
技術(shù)公布日：2017.05.31